【課題】半導体製造における成膜原料であるテトラ−ｔ−ブトキシハフニウム、テトラキス（アセチルアセトナト）ハフニウム、テトラキス（１−メトキシ−２−メチル−２−プロパノラト）ハフニウム、等の製造方法の提供。
【解決手段】テトラ−ｔ−ブトキシハフニウム、テトラキス（アセチルアセトナト）ハフニウム、テトラキス（１−メトキシ−２−メチル−２−プロパノラト）ハフニウム、等の製造方法において、一般式：Ｈｆ［Ｎ（Ｒ₁）（Ｒ₂）］₄で示されるハフニウムアミド錯体に一般式：Ａ（Ｏ_yＸＯ_nＲ_f）_mで示される化合物を添加した後、減圧蒸留を行う工程、得られる留分に一般式：Ｌｉ（ＮＲ₃Ｒ₄）で示されるリチウムアルキルアミドを添加した後、減圧蒸留を行う工程、得られる留分にｔ−ブタノール、アセチルアセトン、１−メトキシ−２−メチル−２−プロパノール、等を添加した後、減圧蒸留を行う工程を順次実施する。 （もっと読む）

【課題】磁気による分離回収が可能で尚且つ再利用も可能な相間移動触媒を提供する。
【解決手段】下記に表される、磁石により分離回収可能な磁性微粒子担持４級アンモニウム塩を相間移動触媒として用いる。


（式中、Ｍは、磁性体微粒子を表し、Ｒ^１は炭化水素基を表す。Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４は炭化水素基を表し、それぞれが結合して環を形成していてもよい。Ｒ^５は炭素数が１から３のアルキル基を表す。Ｘ⁻は酸の陰イオンを表す。） （もっと読む）

本発明は、一般式［１］〜［３］すなわち−ＮＲ_２^＋−Ｂ−Ａ⁻［１］、＝ＮＲ^＋−Ｂ−Ａ⁻［２］、≡Ｎ^＋−Ｂ−Ａ⁻［３］から選択される少なくとも１つの構造要素と、一般式［１］〜［３］のプロトン化および脱プロトン化の形態の構造要素とを含み、Ａが‐ＳＯ_３スルホン酸基、‐Ｃ（Ｏ）Ｏカルボン酸基、または‐Ｐ（Ｏ）（ＯＲ^７）Ｏホスホン酸基であり、Ｂが（ＣＲ^１_２）_ｍの任意選択的に置換されたアルキル基、アリール基、またはヘテロ原子を間に挟むヘテロアリール基であり、ＲおよびＲ^７が水素基、または任意選択的に置換された炭化水素基であり、Ｒ^１が水素基、ハロゲン基、または任意選択的に置換された炭化水素基であり、ｍが１、２、３、４、または５の値であることを特徴とし、一般式［２］の窒素原子が環内窒素原子として脂肪族複素環の一部であること、および一般式［３］の窒素原子が環内窒素原子として芳香族複素環の一部であることを条件とする粒子（ＰＳ）に関する。 （もっと読む）