【課題】中性のイミノホスファゼニウム塩をイオン交換して塩基性のイミノホスファゼニウム塩をより簡便で効率的に製造する方法の提供。
【解決手段】一般式（１）


［式中、Ｒ_１及びＲ_２は、各々独立して、水素原子又は炭化水素基、または同士が互いに結合して環構造を表す。］で示されるイミノホスファゼニウム塩を、溶解度パラメータが１０〜１５［ｃａｌ／ｃｍ^３］^１／２の範囲である溶媒中、塩基性化合物Ａ^＋Ｘ⁻［式中、Ｘ⁻は、ヒドロキシアニオンなどを表し、Ａ^＋は対カチオンを表す。］と反応させ、塩化物イオンをイオン交換して塩基性のイミノホスファゼニウム塩とする。 （もっと読む）

本発明は、ビスホスファイトの製造のための段階式プロセスを提供する。工程（ａ）に於いて、このプロセスは、三塩化リンを芳香族ジオールと、スラリー中で反応条件下で、第二の芳香族ジオールの存在下で接触させて、ホスホロモノクロリダイト、第二の芳香族ジオール及び過剰のＰＣｌ₃を含む混合物を製造することによって、高収率でホスホロモノクロリダイトを製造する。このスラリーは、５モル％よりも少ない窒素塩基を含み、有機溶媒は、その低い塩化水素溶解度のために選択される。過剰のＰＣｌ₃を除去した後、窒素塩基を添加して、ビスホスファイトを生成するための、ホスホロモノクロリダイトと第二の芳香族ジオールとの縮合を実施する。本発明は、特に、上記の経路による、６，６’−（３，３’，５，５’−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−２，２’−ジイル）ビス（オキシ）ジジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピンの製造プロセスを提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡便で穏やかな反応条件を用いた工業的に有用な金属錯体の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】多座配位子と金属化合物とを反応温度で液体状態であるイオン性化合物中で反応させることを特徴とする金属錯体の製造方法。 （もっと読む）