【課題】工業的に応用可能な、導電性ポリマーとして有用な架橋構造を有する共役ポリマー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記式（１）


（式（１）中、Ｒ¹及びＲ²は、それぞれ独立に置換又は非置換のヘテロ原子を示し、Ｒ³及びＲ⁴は、それぞれ独立に水素原子、又は置換若しくは非置換の炭素数１〜２０の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基を示し、Ｒ⁵は芳香環若しくはヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数２〜２０の置換又は非置換の２価の炭化水素基を示す。）
で表される化合物を気相重合させる工程を含むことを特徴とするポリマーの製造法。 （もっと読む）

【課題】新規の重合体及びその重合体を製造する方法を提供することである。
【解決手段】本発明に係る重合体は、下記式（１）で表される繰り返し単位を有する。
【化１】


（上記式（１）において、Ａ^１〜Ａ^９はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、シリル基、シロキシ基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、アミド基、イミド基又は炭化水素チオ基を表し、ｎは０〜２０の整数を表す） （もっと読む）

【課題】原料であるペリレン誘導体から容易にポリペリナフタレン系高分子を製造する。
【解決手段】ペリレン誘導体を原料ターゲットとし、超短パルスレーザーを用いるレーザーアブレーション法で、基体表面にポリペリナフタレン又はポリペリナフタレン誘導体を化学気相堆積させることを特徴とするポリペリナフタレン系高分子薄膜製造方法。 （もっと読む）

【課題】防振性能及び耐久性を低下することなく耐熱性に優れた防振ゴムの製造方法及び防振ゴムを提供すること。
【解決手段】天然ゴムを主成分とするゴム成分を含有するゴム組成物の加硫ゴム表面にパラキシリレン樹脂層を形成するコーティング工程を含むことを特徴とする防振ゴムの製造方法であって、好ましくはコーティング工程が、気相蒸着重合法により加硫ゴム表面にパラキシリレン樹脂層を形成するものであることを特徴とする防振ゴムの製造方法。 （もっと読む）

ペルフルオロ−［２，２］−パラシクロファン二量体化合物を含む組成物を開示する。１，４−ビス（クロロジフルオロメタン）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンからのパラシクロファン二量体の合成反応は、金属触媒及び溶媒の存在下で加熱することを含む。ペルフッ素化パラシクロファン二量体から形成されるペルフッ素化パラキシリレン被覆も開示する。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどの層間絶縁膜に用いられる低い誘電率と優れた機械強度を有し、更には膜の経時安定性の良好な層間絶縁膜を提供すること。更に該塗布液を用いて得られる電子デバイスの層間絶縁膜および該絶縁膜を層構成層として有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】式（１）で表される基を構成単位として有する高分子化合物を含有する半導体集積回路の絶縁膜により解決される。
−Ｒ₁−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ− 式（１）
Ｒ₁はカゴ型構造基を表す。 （もっと読む）

【課題】成膜対象物の形状に制限されることなく、かつ、成膜効率の良い、重合体膜製造装置およびポリパラキシリレン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】重合体膜製造装置４０では、固体原料を気化炉１で気化させ、分解炉２で分解してモノマー原料とし、成膜チャンバー３に供給し、内部の成膜対象物に重合体膜を成膜する。このとき、成膜チャンバー３から排出させる残存モノマー原料は連結部１９ｄおよび循環用ポンプ５により分解炉２に循環させる。これにより残存モノマー原料を成膜に再利用できるので、成膜効率を向上することができる。上記重合体膜製造装置４０は、特にパラキシリレン膜の成膜に好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】比誘電率及び吸湿性が低いと共に機械的強度に優れた層間絶縁膜を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜は、置換アセチレニル基を有すると共に三次元方向に重合可能な第１のモノマー、例えば置換アセチレニル基を有するアダマンタン誘導体と、置換シクロペンタノニル基を有すると共に二次元方向に重合可能な第２のモノマー、例えば置換シクロペンタノニル基を有する芳香族誘導体とが三次元的に重合した重合体よりなる。 （もっと読む）