【課題】曲がり耐性に優れ、パターン転写性能が高く、かつエッチング耐性にも優れるレジスト下層膜を形成することができ、下層膜形成時のアウトガスの臭気を抑制できるレジスト下層膜形成用組成物の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、［Ａ］下記式（１）で表される基を有する化合物を含有するレジスト下層膜形成用組成物である。下記式（１）中、Ｒは、炭素数１〜３０の１価の有機基である。但し、この有機基は、隣接する硫黄原子側の末端に酸素原子を含まない。［Ａ］化合物が、芳香環及びヘテロ芳香環からなる群より選ばれる少なくとも１種の環を有し、上記式（１）で表される基の＊で示される結合手が、これらの環に直接又は酸素原子を介して結合していることが好ましい。
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【課題】反射防止膜として最適なレジスト下層膜と無機ハードマスクを組み合わせたパターン形成方法の提供。
【解決手段】一般式(１)で表されるナフタレン誘導体又はそれを含有する高分子化合物をレジスト下層膜材料として用いた下層膜形成方法により、反射防止膜としての最適な特性、エッチング耐性、高耐熱性、耐溶媒性を有し、ベーク中のアウトガスの発生を抑制でき、基板のエッチング中によれのないレジスト下層膜を形成できる。


（環構造Ａｒ１、Ａｒ２はベンゼン環又はナフタレン環。Ｘは単結合又はＣ１〜２０のアルキレン基。ｍは０又は１。ｎは分子量が１０万以下となる自然数。） （もっと読む）

本発明は、ポリオールの制御された酸化によって硬化剤を調製する工程、およびその硬化剤とフェノール化合物とを反応させる工程を含んだ、ホルムアルデヒドを含まないフェノプラスト樹脂の調製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性に優れ、また溶剤への溶解性に優れた、半導体用のコーティング剤やレジスト用樹脂として使用できる樹脂を提供する。
【解決手段】特定構造のジメチルナフタレンホルムアルデヒド樹脂を、式[２]の化合物を必須成分とするフェノール類で変性した変性ジメチルナフタレンホルムアルデヒド樹脂。


[２]（Ｒ_１は水素または炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ_２は炭素数５〜２０の炭化水素であって、芳香族環やヘテロ原子を有していても良い） （もっと読む）

【課題】耐熱性に優れ、また溶剤への溶解性に優れた、半導体用のコーティング剤やレジスト用樹脂として使用できる樹脂を提供する。
【解決手段】特定構造のジメチルナフタレンホルムアルデヒド樹脂を、アセナフテン骨格を有する特定の化合物を必須成分とする変性剤で変性した変性ジメチルナフタレンホルムアルデヒド樹脂。前記変性剤としてフェノール類およびナフトール類からなる群から選択される少なくとも１種の化合物を使用する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性に優れ、また溶剤への溶解性に優れた、半導体用のコーティング剤やレジスト用樹脂として使用できる樹脂の製造方法を提供する。
【解決手段】特定構造のジメチルナフタレンホルムアルデヒド樹脂を、酸性触媒の存在下で加熱・攪拌し、その後フェノール類およびナフトール類からなる群から選択される少なくとも１種で変性することを特徴とする変性ジメチルナフタレンホルムアルデヒド樹脂の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ゴムに配合した場合、靭性や伸びの低下を招くことなくゴム配合物に高い機械的強度を付与することができる液状ゴム類によって変性されたゴム変性フェノール樹脂を提供する。
【解決手段】 液状ゴム類によって変性されたゴム配合用ゴム変性フェノール樹脂であって、前記液状ゴム類が、ジエン系ゴム、シリコーン系ゴム、ウレタン系ゴム、多硫化ゴムであることが好ましく、ジエン系ゴムがポリブタジエンであることが特に好ましい。前記変性フェノール樹脂における前記液状ゴム類の含有量は、前記変性フェノール樹脂全体に対して、１〜５０重量％であることが好ましい。また、前記のゴム配合用ゴム変性フェノール樹脂を配合してなるゴム配合物である。 （もっと読む）