【課題】 ボイド、未充填といった成形不具合が発生することがなく、封止成形工程後、後硬化工程後、及び表面実装工程後における常温での反り変動量と、表面実装時の高温下での反り量とがともに小さい半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 下記一般式で表されるエポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂と、フェニレン基又はビフェニレン基を有するナフトールアラルキル樹脂を含むフェノール樹脂系硬化剤と、無機充填剤と、カチオン部とシリケートアニオン部とを有する硬化促進剤を含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
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【課題】流動性や連続成形性等の成形性、耐湿性等の信頼性に優れたエポキシ樹脂組成物、及びそれにより成形された電子部品装置用パッケージ、並び電子部品装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）トリアジン環を有するエポキシ樹脂より誘導されるエポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール系硬化剤、（Ｃ）下記構造単位（Ｉａ）及び（Ｉｂ）を有する化合物、（Ｄ）無機充填剤、を含有するエポキシ樹脂組成物。
−（Ｃ_ｎＨ_２ｎ）− ・・・（Ｉａ）
−（Ｃ_ｍＨ_２ｍＯ）− ・・・（Ｉｂ）
（式（Ｉａ）及び（Ｉｂ）中、ｎ及びｍは、それぞれ独立して正の整数を示し、互いに同じであっても異なってもよい。） （もっと読む）

【課題】 金線変形が発生し難く、流動性、成形性、硬化性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び耐半田性に優れた半導体装置を提供すること。
【解決手段】 エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、及び無機充填材（Ｄ）を含むエポキシ樹脂組成物であって、前記無機充填材（Ｄ）が平均粒径１０μｍ以上４０μｍ以下、比表面積１ｍ^２／ｇ以上３．５ｍ^２／ｇ以下の球状溶融シリカ（ｄ１）を含むものであり、かつ該球状溶融シリカ（ｄ１）が平均粒径２０μｍ以上６０μｍ以下、比表面積０．１ｍ^２／ｇ以上０．５ｍ^２／ｇ以下の球状溶融シリカ（ｄ１１）と、平均粒径０．１μｍ以上１０μｍ以下、比表面積１ｍ^２／ｇ以上５０ｍ^２／ｇ以下の球状溶融シリカ（ｄ１２）とを含んでなるものであることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 金線変形が発生し難く、流動性、成形性、硬化性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び耐半田性に優れた半導体装置を提供すること。
【解決手段】 エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、及び無機充填材（Ｄ）を含むエポキシ樹脂組成物であって、前記硬化促進剤（Ｃ）が一般式（１）で表されるホスホベタイン化合物（ｃ１）を含むものであり、前記無機充填材（Ｄ）が平均粒径１０μｍ以上４０μｍ以下、比表面積１．０ｍ^２／ｇ以上３．５ｍ^２／ｇ以下の球状溶融シリカ（ｄ１）を含むものであり、かつ該球状溶融シリカ（ｄ１）が平均粒径２０μｍ以上６０μｍ以下、比表面積０．１ｍ^２／ｇ以上０．５ｍ^２／ｇ以下の球状溶融シリカ（ｄ１１）と、平均粒径０．１μｍ以上１０μｍ以下、比表面積１ｍ^２／ｇ以上５０ｍ^２／ｇ以下の球状溶融シリカ（ｄ１２）とを含んでなるものであることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 難燃性付与剤を使用することなく高い難燃性を有し、かつ耐半田リフロー性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いて半導体素子を封止してなる半導体装置を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型のエポキシ樹脂、（Ｂ）ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型のフェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填剤、及び（Ｅ）トリアゾール系化合物を必須成分とし、（Ｄ）無機充填剤を全エポキシ樹脂組成物中に８４重量％以上、９２重量％以下含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】硬化物の難燃性に優れ、電子部品封止装置の製造に用いた場合、電子部品封止装置の信頼性を向上させることができる封止用樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）下記化学式（１）で示されるエポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂および（Ｃ）無機充填材を必須成分として含有する封止用樹脂組成物であって、前記封止用樹脂組成物全体に対し、前記前記（Ｃ）無機充填材を６０重量％以上９０重量％以下の割合で含有してなるもの。
【化１】


（但し、化学式（１）中、Ｒは下記化学式（２）で示される１価の基である。）
【化２】


（但し、化学式（２）中、Ｒ^１、Ｒ^２は水素原子またはアルキル基を、Ｘは２価の原子または２価の有機基を示す。） （もっと読む）

【課題】耐トラッキング性に優れた半導体封止用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材、硬化促進剤を含有する半導体封止用樹脂組成物に関する。エポキシ樹脂として下記（Ａ）で表されるものを用いる。硬化剤としてジシクロペンタジエン骨格を有するノボラック型フェノール樹脂を用いる。
【化１】
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【課題】 半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて使用され、フォトレジスト用のアルカリ性現像液で現像できる反射防止膜を形成するための反射防止膜形成組成物、及びその反射防止膜形成組成物を用いたフォトレジストパターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】 テトラカルボン酸二無水物化合物と少なくとも一つのカルボキシル基を有するジアミン化合物から製造されるポリアミド酸、少なくとも二つのエポキシ基を有する化合物、及び溶剤を含む反射防止膜形成組成物。 （もっと読む）