ＰＭＤＡと芳香族ジアミンよりなるポリイミドは、一般に溶媒に難溶である。これを溶剤可溶化させ、四成分系以上のブロック共重合体を製造する。ＰＭＤＡと或る種の芳香族ジアミンとを１：２〜１．５モル比で反応させると溶剤可溶のオリゴマーを生成する。これに更に酸ジ無水物と芳香族ジアミンを加え、４成分以上の溶媒可溶ブロック共重合体が生成する。ＰＭＤＡと共に添加する芳香族ジアミンのモル比は１：２〜１．５である。ＰＭＤＡを含む多数の溶剤可溶のブロック共重合体が製造できる。二成分系触媒の存在下に、ＰＭＤＡ、ＢＴＤＡ、ＤＡＴを含有する四成分以上のブロック共重合ポリイミドが遂次反応によって製造される。この結果、多数の原料が安価に入手できる各種のポリイミドの製造が可能となった。経済性のよい直接イミド化法を採用して、ＰＭＤＡ−ＢＴＤＡ−ＤＡＴを含むポリイミドは高性能）、多量生産、低価格となり、今後、広く利用できる。 （もっと読む）

【課題】光通信に使用される近赤外領域で高い透明性と低い屈折率を示し、高周波エレクトロニクス材料として有用な低誘電率を有し、加工性に優れたポリベンゾオキサゾール樹脂とその前駆体を提供すること。
【解決手段】主鎖にパーフルオロアルキレン基を持つ繰り返し単位を有し、かつゲル・パーミエーション・クロマトグラフィによりポリスチレン換算値として測定される重量平均分子量が３，０００〜１，０００，０００の範囲内であるポリベンゾオキサゾール樹脂、その前駆体、これらの製造方法、該樹脂から形成された光学素子、光学部品、高周波エレクトロニクス部品。 （もっと読む）

【課題】微細な独立セル構造と低い誘電率を有し、しかも、高い耐熱性を有する多孔質ポリイミド、特に、そのフィルムと、それらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば、一般式（Ｉ）
【化１】


（式中、Ｒは脂環式炭化水素基を示す。) で表される置換１，３−ジアミノベンゼンと芳香族テトラカルボン酸二無水物を重縮合して得られるポリアミド酸を熱的にイミド化し、又は化学的にイミド化した後に加熱して得られる多孔質ポリイミドが提供される。このような多孔質ポリイミドは、上記置換１，３−ジアミノベンゼンと芳香族テトラカルボン酸二無水物を溶媒中、重縮合して得られるポリアミド酸の溶液を基板上に塗布し、乾燥して、ポリアミド酸フィルムとし、次いで、このポリアミド酸を熱的にイミド化し、又は化学的にイミド化した後に加熱することによって得ることができる。 （もっと読む）

アルコキシル化アミン類、アルコキシル化ポリオール類、疎水性ポリアミンエトキシレートポリマー類を硫酸を使用することで、硫酸化する方法。 （もっと読む）

優れた耐熱性を有し、電気化学的酸化還元電位を容易にコントロール可能で、また、化合物自体のバンドギャップが非常に狭く、更に強い蛍光発光特性を有する下記式（１ａ）で表されるアミノキノキサリン化合物及び該化合物を重合してなるポリアミノキノキサリン化合物を提供する。


（式中、Ｒ¹及びＲ²は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルコキシ基等を表し、Ｒ³及びＲ⁴は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルコキシ基等を表し、Ｘ¹は、−ＮＨ−Ｒ⁵−ＮＨ₂又は−ＮＨ−Ｒ⁶を表す。） （もっと読む）

優れた耐熱性、熱的寸法安定性を有し、かつ低吸湿性を実現した芳香族ポリイミド及びその前駆体である芳香族ポリアミド酸に関する。
下記一般式（１）で表される構造単位を有する芳香族ポリアミド酸及びこれをイミド化して得られる芳香族ポリイミドである。この芳香族ポリアミド酸又は芳香族ポリイミドは、他の構造単位を有する共重合型の芳香族ポリアミド酸又は芳香族ポリイミドであることができる。


（式中Ar₁は芳香環を1個以上有するテトラカルボン酸から生じる4価の有機基であり、Rは炭素数2〜6の炭化水素である。） （もっと読む）

【課題】 半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて使用され、フォトレジスト用のアルカリ性現像液で現像できる反射防止膜を形成するための反射防止膜形成組成物、及びその反射防止膜形成組成物を用いたフォトレジストパターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】 テトラカルボン酸二無水物化合物と少なくとも一つのカルボキシル基を有するジアミン化合物から製造されるポリアミド酸、少なくとも二つのエポキシ基を有する化合物、及び溶剤を含む反射防止膜形成組成物。 （もっと読む）