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Fターム[4K029BB03]の内容

物理蒸着 (93,067) | 被膜構造 (4,668) | 被膜形態 (3,472) | 部分被膜、模様被膜 (622)

Fターム[4K029BB03]に分類される特許

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少なくとも1つの基板(5)を真空プロセスにて処理するための少なくとも1つの処理チャンバ(1)を備えた、基板を処理するためのシステムであって、前記処理チャンバ(1)は、閉鎖ボディ(15)にて閉鎖することができる基板アクセス(13)を備え、このシステムは、少なくとも前記閉鎖ボディ(15)を移動させるように構成された運搬デバイス(8)を備え、この運搬デバイス(8)は、前記基板(5)を前記真空プロセスの際に少なくとも部分的にカバーするためのマスク(4)を、少なくとも前記処理チャンバ(1)の外側のある位置と前記処理チャンバ(1)の内側のある位置との間で運搬するように構成される。少なくとも前記基板ホルダ(2)に、基板ホルダ(2)とマスク(4)とを互いに位置決めするための手段が提供された場合は、有利である。本発明は、更に、このようなシステムの使用に係る。
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ゲート電極と、ゲート誘電体と、ソースおよびドレイン電極と、半導体層とを含む薄膜トランジスタを提供する工程と、封止材料をアパーチャマスクのパターンを通して前記半導体層の少なくとも一部の上に蒸着する工程とを含む、薄膜トランジスタの封止方法。
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