【解決手段】本発明は、透明基板を用いた多結晶シリコン薄膜の製造方法及び製造装置であり、ＲＴＰ光源を、熱処理源ではなく、多結晶シリコン蒸着のためのエネルギー源として用いるものであり、その方法は、透明基板上に光吸収層を形成し、ＲＴＰ（Rapid Thermal Process）光源の照射により光吸収層を加熱しながら、光吸収層上に多結晶シリコン薄膜を蒸着することを行うことで、電気的特性が良好な多結晶シリコン薄膜を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】難削材の切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆サーメット製切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、３〜２０μｍのＴｉ化合物層の下部層と、０．１〜１．９μｍの密着α型Ａｌ₂Ｏ₃層の層間密着層と、６〜２０μｍの改質α型Ａｌ₂Ｏ₃層の上部層からなる硬質被覆層を形成してなる被覆サーメット工具の前記上部層および層間密着層を、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、結晶粒の結晶面である（０００１）面の法線がなす傾斜角を測定して、傾斜角度数分布グラフを作成した場合、それぞれ３０〜４５度および７５〜９０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在すると共に、前記傾斜角区分内に存在する度数の合計が度数全体の５０％以上である傾斜角度数分布グラフを示すα型Ａｌ₂Ｏ₃層で構成する。 （もっと読む）

【課題】 湿式による高速切削加工において発生する熱による切刃への影響を抑えて、高速切削においても、優れた耐摩耗性、耐欠損性を発揮することができる、長寿命な表面被覆切削工具を、また、高速切削加工によって発生しやすい逃げ面への被削材の溶着を抑えて、長寿命かつ優れた加工面精度を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 基体と、該基体の表面に形成される硬質被覆層とからなる表面被覆切削工具であって、前記硬質被覆層のすくい面における水の接触角θが３０〜８０°の範囲内にある。基体と、該基体の表面に形成される硬質被覆層とからなる切削工具であって、前記硬質被覆層のすくい面における水の接触角θ_Ｒと、前記硬質被覆層の逃げ面における水の接触角θ_Ｆが、θ_Ｒ＜θ_Ｆの関係にあり、これにより、優れた耐摩耗性および耐欠損性を発揮することができる、長寿命な切削工具となる。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速切削ですぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆サーメット製切削工具を提供する。
【解決手段】下部層がＴｉ化合物層、上部層が上下２層構造のＡｌ₂Ｏ₃層、からなる硬質被覆層において、上位層のα型Ａｌ₂Ｏ₃層を、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、表面研磨面の測定範囲内に存在する六方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、前記表面研磨面の法線に対して、前記結晶粒の結晶面である（０００１）面の法線がなす傾斜角を測定し、前記測定傾斜角のうち、４５〜９０度の範囲内にある測定傾斜角を０．２５度のピッチ毎に区分すると共に、各区分内に存在する度数を集計してなる傾斜角度数分布グラフにおいて、７５〜９０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在すると共に、前記７５〜９０度の範囲内に存在する度数の合計が５０％以上の割合を占める傾斜角度数分布グラフを示す改質α型Ａｌ₂Ｏ₃層で構成する。 （もっと読む）

【課題】難削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する被覆超硬工具を提供する。
【解決手段】被覆超硬工具の硬質被覆層の上部層を、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、表面研磨面の測定範囲内に存在する六方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、前記表面研磨面の法線に対して、前記結晶粒の結晶面である（０００１）面の法線がなす傾斜角を測定し、この測定結果から作成した傾斜角度数分布グラフにおいて、少なくとも７〜１５度の範囲内の傾斜角区分および０〜７度の範囲内の傾斜角区分にピークが存在すると共に、前記７〜１５度の範囲内に存在する度数の合計が全体の３５〜５０％、前記０〜７度の範囲内に存在する度数の合計が全体の２５〜４０％、である傾斜角度数分布グラフを示す改質α型Ａｌ₂Ｏ₃層で構成し、前記改質α型Ａｌ₂Ｏ₃層の表面粗さをＲａ：０．２μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】難削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する被覆超硬工具を提供する。
【解決手段】被覆超硬工具の硬質被覆層の上部層を、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、表面研磨面の測定範囲内に存在する六方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、前記表面研磨面の法線に対して、前記結晶粒の結晶面である（０００１）面の法線がなす傾斜角を測定し、この測定結果から作成した傾斜角度数分布グラフにおいて、少なくとも７〜１５度の範囲内の傾斜角区分および０〜７度の範囲内の傾斜角区分にピークが存在すると共に、前記７〜１５度の範囲内に存在する度数の合計が全体の３５〜５０％、前記０〜７度の範囲内に存在する度数の合計が全体の２５〜４０％、である傾斜角度数分布グラフを示す改質α型Ａｌ₂Ｏ₃層で構成し、前記改質α型Ａｌ₂Ｏ₃層の表面粗さをＲａ：０．２μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】不純物の付着がほとんどなく、均一な薄膜の形成が可能で、成長薄膜の面内均一性を向上させることができる半導体薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】反応管１２と、該反応管１２内に配置されるサセプタ２０と、該サセプタ２０上に配置された基板２２Ａに負圧をかけてこれを保持する負圧発生手段と、を備え、前記基板２２Ａの結晶成長面の法線と鉛直下方向とのなす角度が１８０°未満となるように、前記基板２２Ａが設置されることを特徴とする半導体薄膜製造装置である。 （もっと読む）

【課題】難削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する被覆サーメット工具を提供する。
【解決手段】被覆サーメット工具の硬質被覆層のＴｉＣＮ層およびα型Ａｌ_２Ｏ_３層を、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、表面研磨面の測定範囲内に存在する結晶粒個々に電子線を照射して、前記表面研磨面の法線に対して、それぞれ前記結晶粒の結晶面である｛１１２｝面および（０００１）面の法線がなす傾斜角を測定し、この測定結果から傾斜角度数分布グラフを作成した場合に、いずれも０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、かつ前記０〜１０度の範囲内に存在する度数の合計が、度数全体の４５％以上の割合を占める傾斜角度数分布グラフを示す改質ＴｉＣＮ層および改質α型Ａｌ_２Ｏ_３層で構成し、前記改質α型Ａｌ_２Ｏ_３層の表面粗さをＲａ：０．２μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】難削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する被覆サーメット工具を提供する。
【解決手段】被覆サーメット工具の硬質被覆層のＴｉＣＮ層およびα型Ａｌ_２Ｏ_３層を、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、表面研磨面の測定範囲内に存在する結晶粒個々に電子線を照射して、前記表面研磨面の法線に対して、それぞれ前記結晶粒の結晶面である｛１１２｝面および（０００１）面の法線がなす傾斜角を測定し、この測定結果から傾斜角度数分布グラフを作成した場合に、いずれも０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、かつ前記０〜１０度の範囲内に存在する度数の合計が、度数全体の４５％以上の割合を占める傾斜角度数分布グラフを示す改質ＴｉＣＮ層および改質α型Ａｌ_２Ｏ_３層で構成し、前記改質α型Ａｌ_２Ｏ_３層の表面粗さをＲａ：０．２μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】 Ｉｎの偏析が少なく、且つ、Ｉｎの組成比を向上させつつＩｎＧａＮ層の結晶性が高いＩｎＧａＮの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るＩｎＧａＮ層の製造方法は、７００℃〜７９０℃の成長温度、３０Å／分〜９３Å／分の成長速度及び１．７６×１０^−５モル／分〜３．５３×１０^−５モル／分のトリメチルインジウムの流量の条件下でＩｎＧａＮ層を成長させる。 （もっと読む）

【課題】高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する穴なし被覆切削チップを提供する。
【解決手段】チップ基体の表面に、下部層としてＴｉ化合物層、上部層として酸化アルミニウムと酸化ジルコニウムの２相混合酸化物層（Ａｌ_２Ｏ_３−ＺｒＯ_２層）、の硬質被覆層を蒸着形成してなり、工具本体にクランプ駒による挟み締めにより取り付けられる穴なし被覆切削チップにおいて、前記上部層の２相混合酸化物層の全面に、いずれも０．１〜２．５μｍの平均層厚を有するＴｉＮ層とＴｉＣＮ層の２層以上の交互積層で構成され、かつ、０．４〜５μｍの全体平均層厚を有する研磨材層を蒸着形成した状態で、ウエットブラストにて、噴射研磨材としてＡｌ_２Ｏ_３微粒を配合した研磨液を噴射し、前記クランプ駒当接面部分の研磨材層を残して、前記上部層の２相混合酸化物層の表面を研磨して、その表面粗さをＲａ：０．２μｍ以下としてなる。 （もっと読む）

【課題】放電電極と対向電極との間に形成される高周波プラズマの密度を容易に均一にすることが可能な放電電極を提供する。
【解決手段】放電電極３は、互いに略平行に第１方向へ伸びる二本の横電極２０と、二本の横電極２０の間に設けられ、互いに略平行に第２方向へ伸びる複数の縦電極２１とを具備する。複数の縦電極２１は、放電電極３と対向電極２との間で高周波電力により供給ガスのプラズマが形成されるとき、プラズマの密度の分布を均一化するように複数の縦電極２１の形態が設定される。例えば、複数の縦電極２１は、複数の縦電極２１の各々同士の間隔が、プラズマの密度の分布を均一化するように設定されている。 （もっと読む）

【課題】高速切削加工で耐チッピング性を発揮する穴なし被覆切削チップを提供する。
【解決手段】チップ基体の表面に、下部層としてＴｉ化合物層、上部層として酸化アルミニウムと酸化ジルコニウムの２相混合酸化物層（Ａｌ_２Ｏ_３−ＺｒＯ_２層）を蒸着形成してなり、工具本体にクランプ駒による挟み締めにより取り付けられる穴なし被覆切削チップにおいて、前記上部層の全面に、下側層として、組成式：ＴｉＯ_Ｘで表わした場合、Ｘ：原子比で１．２〜１．７、を満足する酸化チタン層、上側層として、組成式：ＴｉＮ_１−Ｙ（Ｏ）_Ｙで表わした場合（但し、（Ｏ）は前記酸化チタン層からの拡散酸素を示す）、Ｙ：原子比で０．０１〜０．４、を満足する窒酸化チタン層、の研磨材層を蒸着形成した状態で、ウエットブラストにて、Ａｌ_２Ｏ_３微粒を配合した研磨液を噴射し、前記クランプ駒当接面部分の研磨材層を残して、前記２相混合酸化物層（Ａｌ_２Ｏ_３−ＺｒＯ_２層）の表面を研磨して、その表面粗さをＲａ：０．２μｍ以下としてなる。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体を利用して基板に成膜処理するにあたって、耐圧容器の熱伝導率が小さいことに基づく処理雰囲気の温度安定性の課題を解決し、処理雰囲気の安定化を図って安定して成膜処理を行うことができる高圧処理装置を提供すること。
【解決手段】耐圧容器内にヒータを備えた基板の載置台を設け、前記耐圧容器内において、この載置台から見える部分に耐圧容器の材質よりも熱伝導率の大きい材質例えばアルミニウムや銅などの材質からなる熱的シールド層を積層する。この場合、熱的シールド層内に加熱手段等の温度調整部を設けることが好ましく、また熱的シールド層と耐圧容器の内壁との間に耐圧容器の材質よりも熱伝導率の小さい石英などの断熱層を設けることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】難削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する被覆サーメット工具を提供する。
【解決手段】被覆サーメット工具の硬質被覆層のＴｉＣＮ層およびα型Ａｌ_２Ｏ_３層を、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、表面研磨面の測定範囲内に存在する結晶粒個々に電子線を照射して、前記表面研磨面の法線に対して、それぞれ前記結晶粒の結晶面である｛１１２｝面および（０００１）面の法線がなす傾斜角を測定し、この測定結果から傾斜角度数分布グラフを作成した場合に、いずれも０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、かつ前記０〜１０度の範囲内に存在する度数の合計が、度数全体の４５％以上の割合を占める傾斜角度数分布グラフを示す改質ＴｉＣＮ層および改質α型Ａｌ_２Ｏ_３層で構成し、前記改質α型Ａｌ_２Ｏ_３層の表面粗さをＲａ：０．２μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】 良好な表面状態を有し、しかも、転位密度が低減されて十分に大きい発光効率が得られる、広い有効発光波長範囲を有する発光デバイスを得ることができる半導体装置用基材およびその製造方法の提供。
【解決手段】 半導体装置用基材は、基板と、この基板上に形成された超格子構造層と、この超格子構造層上に形成された、ＡｌＧａＮ半導体化合物よりなる機能素子形成用ベース層とを有し、前記超格子構造層は、機能素子形成用ベース層よりも低結晶性であるＡｌＧａＮ半導体化合物よりなる第１の低結晶性層と、Ａｌの組成比率が第１の低結晶性層よりも大きいＡｌＧａＮ半導体化合物よりなる第２の低結晶性層とからなる積層単位が３以上重ねられた周期構造を有するものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続切削ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆サーメット製切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、下部層がＴｉ化合物層、上部層がα型Ａｌ₂Ｏ₃層の硬質被覆層を蒸着形成してなる被覆サーメット工具の前記α型Ａｌ₂Ｏ₃層を、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、結晶粒の結晶面である（０００１）面の法線がなす傾斜角を測定して、傾斜角度数分布グラフを作成した場合、３０〜４５度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在すると共に、前記３０〜４５度の範囲内に存在する度数の合計が度数全体の５０％以上の割合を占める傾斜角度数分布グラフを示す上位層と、７５〜９０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在すると共に、前記７５〜９０度の範囲内に存在する度数の合計が度数全体の５０％以上の割合を占める傾斜角度数分布グラフを示す下位層層で構成する。 （もっと読む）

【課題】プリコート膜の膜厚を最適な厚さに形成し、且つ膜厚分布を小さくすることが可能な成膜装置のプリコート方法を提供する。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器１４内へシャワーヘッド３２よりなるガス供給手段から成膜ガスを含む所定のガスを供給し、載置台２８上に載置した被処理体Ｗの表面に所定の成膜条件でプラズマＣＶＤにより薄膜を堆積させるようにした成膜装置のプリコート方法において、処理容器内へ被処理体を搬入しない状態で処理容器内へガスを供給しつつプリコート膜を形成するに際して、プリコート膜の厚さＸは、シャワーヘッドに付着した膜が表面から剥離しないような最大膜厚Ａからクリーニング周期間に被処理体の表面に堆積される積算総膜厚Ｂを減じた値以下であって、載置台の輻射率が実質的に飽和する膜厚Ｃ以上となるような式（Ｃ≦Ｘ≦Ａ−Ｂ）で表される膜厚分布で実行する。 （もっと読む）

【課題】高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する被覆切削チップを提供する。
【解決手段】チップ基体の表面に、下部層としてＴｉ化合物層、上部層として酸化アルミニウムと酸化ジルコニウムの２相混合酸化物層（Ａｌ_２Ｏ_３−ＺｒＯ_２層）、の硬質被覆層を蒸着形成してなる被覆切削チップにおいて、前記上部層の２相混合酸化物層の全面に、いずれも０．１〜２．５μｍの平均層厚を有するＴｉＮ層とＴｉＣＮ層の２層以上の交互積層で構成され、かつ、０．４〜５μｍの全体平均層厚を有する研磨材層を蒸着形成した状態で、ウエットブラストにて、噴射研磨材としてＡｌ_２Ｏ_３微粒を配合した研磨液を噴射し、工具取り付け孔周辺部の前記研磨材層を残して、前記上部層の２相混合酸化物層の表面を研磨して、その表面粗さをＲａ：０．２μｍ以下としてなる。 （もっと読む）

【課題】 熱およびプラズマ増強蒸着のための装置および操作方法を提供することである。
【解決手段】 基板上の蒸着のための方法、コンピュータ読み取り可能なメディアおよびシステムであって、処理システムの移送空間から真空アイソレーションされた処理システムの処理空間に基板を配置し、移送空間から真空アイソレートが維持されている間、処理空間の第１の位置または第２の位置のいずれかで基板を処理し、前記第１の位置または第２の位置のいずれかで前記基板に材料を堆積させる。 （もっと読む）