【課題】基板処理装置に於いて、処理室に処理ガスを導入するガス供給ノズル接続部からの処理ガスの外部へのリークを防止し、ガス供給ノズル取付け時の破損を防止すると共に取付けが容易に行える様にする。
【解決手段】基板４を積層して収納する処理室６１と、該処理室内を所望の温度迄加熱する加熱手段５８と、前記処理室に所望の処理ガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内を排気する排気手段６２，６３，６４とを具備し、前記ガス供給手段は、前記基板の積層方向に立設された直管のガス供給ノズル６６と、該ガス供給ノズルを支持する金属配管６５と、前記処理室の下部を形成するマニホールド２とを有し、前記金属配管は、前記処理室外から前記マニホールドを貫通して前記処理室内に延在する第１の部位と、該第１の部位に接続され、前記積層方向に沿って延在する第２の部位とを有し、前記ガス供給ノズルは前記第２の部位に嵌合して支持される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基底面転位などの欠陥が著しく低減された炭化珪素結晶からなる半導体基板を製造することが可能な、半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、炭化珪素単結晶基板を用い、上記炭化珪素単結晶基板の表面を水素エッチング処理する第１水素エッチング工程と、上記炭化珪素単結晶基板の上記第１水素エッチング工程において水素エッチング処理された表面上に、炭化珪素結晶をエピタキシャル成長させることにより、炭化珪素結晶からなるバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、上記バッファ層の表面を水素エッチング処理する第２水素エッチング工程と、上記水素エッチング処理されたバッファ層の表面上に、炭化珪素結晶をエピタキシャル成長させることにより、炭化珪素結晶からなる仕上層を形成する仕上層形成工程と、を有することを特徴とする半導体基板の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】安価で且つ精度の高い温度測定を行うことが可能な温度測定装置、これを用いた載置台構造及び熱処理装置を提供する。
【解決手段】所定の熱処理が施される被処理体Ｗを載置する載置台３２に設けられる温度測定装置において、載置台内に、載置台の厚さ方向に沿って埋め込まれると共に上端部が表面に露出しているプローブ本体５４と、プローブ本体の下端部の加熱及び／又は冷却を行うことできる温調手段５６と、プローブ本体の上端部の温度を測定する第１の温度センサ５８と、プローブ本体の下端部の温度を測定する第２の温度センサ６０と、第１の温度センサと第２の温度センサの測定値の温度差を求める温度差検出部６２と、温度差検出部から出力される温度差に基づいて該温度差がゼロになるように温調手段を制御することにより被処理体の温度を求める温度測定制御部６４とを備える。 （もっと読む）

【課題】一括して処理することの出来る基板の枚数を減らすことなく、隣接する基板間へのガスの供給を促進させることが出来る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】水平姿勢で多段に積層された基板１０を処理室４内に搬入する工程と、処理室４の内壁に沿うように基板１０の積層方向に延在された１本以上の処理ガス供給ノズル２２ａ，ｂから処理室４内に処理ガスを供給するとともに、処理室４の内壁に沿うように基板１０の積層方向に延在されるとともに基板１０の周方向に沿って処理ガス供給ノズル２２ａ，ｂを両方から挟むように設けられた一対の不活性ガス供給ノズル２２ｃ，ｄから処理室内に不活性ガスを供給して基板１０を処理する工程と、処理後の基板を処理室から搬出する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】被処理体がクランプリング部材と接触していても、被処理体の面内温度の均一性を高くして、熱処理の面内均一性を向上させることが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】処理容器４内にて被処理体Ｗに対して所定の熱処理を施すために被処理体を載置するための載置台構造において、内部に被処理体を加熱する加熱手段３８が収容された透明材料よりなる載置台３２と、載置台の上面に設けられると共に、その直径が載置台の直径よりも小さく設定されて上面に被処理体を直接的に載置するための不透明材料よりなる均熱板４２と、 載置台の周辺部の上方に昇降可能に設けられて、被処理体を載置台側へ押し付けるための不透明材料よりなるクランプリング部材５０を有するクランプ機構４８とを備える。 （もっと読む）

マイクロ波源の可動位置及びマイクロ波源へのパルス状電力などの付加的な処理パラメータを導入して、マイクロ波源の支援により作動範囲及び処理ウィンドウを拡大することにより、向上した膜特性を実現するためのシステムを開示する。同軸マイクロ波アンテナを用いてマイクロ波を放射して、物理的気相成長（ＰＶＤ）又は化学的気相成長（ＣＶＤ）システムを支援する。システムは同軸マイクロ波アンテナを処理チャンバの内部で使用してもよく、この同軸マイクロ波アンテナは、基板と、スパッタリングターゲット、平面状容量生成プラズマ源、又は誘導結合源のようなプラズマ源との間で移動できるようになっている。マイクロ波プラズマ源だけが存在している特別な場合では、マイクロ波アンテナの位置は基板に対して移動できる。プラズマ源に隣接した同軸マイクロ波アンテナは、より均一にイオン化を促進することができるとともに、大面積全体を覆って実質的に均一な堆積を可能にする。
（もっと読む）

【課題】最適な整合を迅速に達成できる整合ネットワークのリアクタンス性インピーダンスを制御する方法および装置の提供。
【解決手段】リアクタンス性インピーダンス要素１２およびプラズマを含む負荷の高周波源１４に対する同調とを制御する第１および第２の可変リアクタンス１８，２０を含んでいる整合ネットワークを介して接続される。第１および第２の可変リアクタンス１８，２０の値を変化させて、高周波源１４の出力端子の内外に現れるインピーダンスの間の最良の整合を達成するために第１の可変リアクタンス１８が第２の可変リアクタンス２０の各単位変化に対して変化する量を決定する。次いで、高周波源１４の出力端子の内外に現れるインピーダンスの間の考えられる最良のインピーダンス整合が達成されるまで、上記の決定に基づいて第１および第２のリアクタンス１８，２０の値を変動させる。 （もっと読む）

【課題】伝熱ガスの放電を防ぎかつ被処理体の温度制御を精度よく行うことが可能な処理装置及び処理装置に使用するガス放電抑制部材を提供する。
【解決手段】気密な処理容器内に設けられた電極に高周波電力を印加し，処理容器内に導入された処理ガスをプラズマ化して，被処理体Ｗ表面に所定の処理を施す処理装置において，電極上に設けられ被処理体Ｗを吸着保持する保持手段１１２と被処理体Ｗとの間の微小空間Ｓに，被処理体Ｗを所定の温度に制御するための伝熱ガスを電極の下方に配設された絶縁部材１０４内を通して供給する伝熱ガス供給部１６０を有し，伝熱ガス供給部１６０は，絶縁部材１０４内を通る部分において，内部に有するランダムな空泡によって伝熱ガスの通路を形成し，伝熱ガスの放電を抑制するコマ部１６４を有する。 （もっと読む）

【課題】 気化器の液体原料流路内からの有機金属液体原料の除去を促進させ、液体原料流路内の閉塞を抑制する。
【解決手段】 処理室内に基板を搬入する工程と、処理室内に複数種類の反応物質を複数回供給することにより基板を処理する工程と、処理後の基板を処理室内から搬出する工程と、を有し、複数種類の反応物質のうち少なくともいずれか一つは、液体原料を気化部で気化させた原料ガスを含み、基板を処理する工程では、気化部に液体原料を供給して気化させる気化動作を間欠的に行うと共に、少なくとも液体原料の気化動作時以外の時に、気化部に液体原料を溶解することのできる溶媒を第１の流量で流し、液体原料の気化動作時以外の時であって、液体原料の気化動作を所定回数行う毎に、気化部に溶媒を第１の流量よりも大きな第２の流量で流す。 （もっと読む）

【課題】電圧分布不均一による処理の不均一を防止することができる基板処理装置の提供。
【解決手段】ＡＬＤ装置は、複数枚のウエハを積載したボートを収容する処理室３２と、処理ガスをウエハに供給するガス供給系と、ウエハの積載方向に配置された一対の放電電極５７、５７と、一対の放電電極５７、５７に高周波電力を供給する高周波電源５８と、一対の放電電極５７、５７の高周波電源５８と反対側先端間に接続された可変インピーダンス素子６２と、高周波電源５８の出力周波数を変化させるコントローラとを備える。プラズマ放電中に、高周波電源の出力周波数を変化させ、電圧分布の極小点を移動させ、一対の放電電極内でのプラズマ生成量を均一化させる。一対の放電電極内でのプラズマ生成量を均一化することにより、ボートに積層したウエハ相互間の処理のばらつきを抑制し、処理をボート全長にわたって均一化することができる。 （もっと読む）

【課題】処理性能の長期にわたる安定化し、歩留まりの向上と連続稼働時間を延長することが可能なプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】内部に減圧されたプラズマが形成される処理室１０を有した真空容器１０、この処理室内に配置された試料台３１とを有するプラズマ処理装置を用い、前記試料台上の試料を前記プラズマを用いて処理するプラズマ処理方法において、不活性ガスを用いてプラズマ放電を実施しこのプラズマ放電による発光を測定用ガス以外からの発光強度を用いて計測して処理性能の変動の原因となる装置状態の変動を逐次計測する。 （もっと読む）

【課題】安価なハロゲン化アルミニウムを酸化アルミニウム系薄膜のプレカーサとして用いた化学気相成長用原料及び該原料を用いた酸化アルミニウム系薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】化学気相成長用原料として、下記一般式（１）で表されるハロゲン化アルミニウム化合物及び下記一般式（２）で表されるシアノ基を有する有機化合物からなる化学気相成長用原料を用いる。


（式中、Ｘはハロゲン原子を表し、Ｒは炭素数１〜１０の炭化水素基を表し、ｎは１又は２を表す。） （もっと読む）

【課題】縦型基板処理装置において、限られた容積の反応室に対してより多くの被処理基板を搭載することでより多くの被処理基板の一括処理を可能にする。
【解決手段】所定温度、所定圧力に保持される反応室に処理ガスを供給して被処理基板を処理する基板処理装置であって、同一平面上に前記被処理基板を載置する基板載置部１４ａとこれに高周波電力を給電するための給電部１４ｂとを有し、前記反応室２０１に多段に支持される複数の電極１４と、相対峙する電極１４，１４同士を一対として、位相が１８０゜異なる高周波電力を、各対の給電部に供給する高周波電力供給手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高品質で、しかも均質なＣＶＤダイヤモンド膜を効率よく、経済速度で製造する方法を提供する。
【解決手段】一桁ナノダイヤモンド粒子凝膠体を、ビーズミリングを行なって水性コロイドを作成し、水を除いてフレーク状とした後、非水系分散媒に再分散させて一桁ナノダイヤモンド粒子の非水系分散媒中コロイドを製造し、前記一桁ナノダイヤモンド粒子の非水系分散媒中コロイドを、インクジェットプリント原理を利用したパターニング装置を用いて、一桁ナノダイヤモンド粒子が一平方糎当たり２×１０１１以上の密度となるように基板上に種付けしたあと、真空加熱乾燥法又はマイクロ波照射により、非水系分散媒を除去し、続いて、一桁ナノダイヤモンド粒子を種として、ＣＶＤ法により基板上にダイヤモンド膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】熱対流の望ましくない効果の影響を実質的に受けず、スループットを増大させるために容易に且つ経済的に拡大され得る反応装置を提供すること。
【解決手段】化学気相成長反応装置は、複数のチャンバ（９５１，９５２，９５３）と、共通の反応ガス供給システム（９６０）及び共通のガス排出システム（９７０）の少なくとも一方とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウエハへの微小なパーティクルの付着を防止できる基板処理装置用の部品を提供する。
【解決手段】ウエハＷにプラズマエッチングを施す基板処理装置が備えるチャンバ１１を被覆するイットリア皮膜５０は、内壁に積層されたイットリア基層５１と、該イットリア基層５１の少なくとも一部に積層されたイットリア上層５２とからなり、イットリア上層５２の構造は、イットリア層を構成する粒子の大きさが２５０ｎｍ以上であることによりイットリア基層５１の構造よりも疎である。 （もっと読む）

【課題】誘導加熱により加熱対象物を加熱する加熱装置において、加熱対象物の温度分布を制御すること。
【解決手段】加熱対象物をその内部に収容する処理容器と、処理容器を囲むように設けられたコイルと、前記コイルに高周波を供給し、加熱対象物の周囲に誘導磁界を形成して、電磁誘導により加熱対象物を誘導加熱するための高周波電源と、コイルにより形成される前記誘導磁界中に設けられ、その周囲の誘導磁界を緩和して加熱対象物の温度分布を制御するための導体により構成される温度分布制御部材と、を備えるように加熱装置を構成する。例えば前記温度分布制御部材を、コイルに対して任意の位置に移動することができるように構成し、処理条件に応じてその位置を調整することで容易に温度制御を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の冷却効率が高く、スループットを向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理基板Ｗを搬入及び搬出する搬入出機構３４を備え、大気圧状態で被処理基板Ｗを搬入及び搬出する搬入出室３１ａと、被処理基板搬送機構２４を備え、減圧状態で被処理基板Ｗを搬送する搬送室２１ａと、大気圧状態で搬入出室３１ａと被処理基板Ｗの受け渡しを行い、減圧状態で搬送室２１ａと被処理基板Ｗの受け渡しを行う、大気圧状態と減圧状態とを切り換え可能なロードロック室４２ａと、減圧状態で搬送室２１ａと被処理基板Ｗの受け渡しを行い、減圧状態で被処理基板Ｗに対して処理を行う複数の処理室２２、２３と、を備え、搬送室２１ａ内に、被処理基板Ｗを冷却する冷却部６を設ける。 （もっと読む）

【課題】ｎ／ｎ＋／ｎ基板でのゲッタリング能力の確実性とその向上を図る。
【解決手段】ＣＺ法によりＰがドープされるとともに炭素濃度が１．０×１０^１６〜１．６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、初期酸素濃度が１．４×１０^１８〜１．６×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３として育成されたシリコン単結晶から製造されたシリコン基板であって、
表面に濃度１０×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上のｎ型ドーパントがイオン注入されたｎ＋注入層と、該ｎ＋注入層上に１×１０^１６〜１．０×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３のｎ型ドーパントがドープされたｎエピタキシャル層とが形成された。 （もっと読む）

【課題】オゾンガスにより原料ガスの成分を酸化することで基板の上に薄膜を形成する薄膜形成装置において、成膜室内を減圧するための排気機構における異物発生を抑制する。
【解決手段】排気系１１３の途中に設けられた副反応室１１５と、オゾンガス発生部１０４から供給されるオゾンガスを副反応室１１５に輸送するためのオゾンガス供給配管１１６とを備える。なお、オゾンガス供給配管１１６の経路中には、バルブ１１７が設けられている。また、副反応室１１５の内部には、吸着部１１８が設けられている。バルブ１１０の開閉状態およびバルブ１１７の開閉状態を含む切り替え手段により、オゾンガス発生部１０４からのオゾンガスの供給先を、成膜室１０１と副反応室１１５とに切り替えることができる。 （もっと読む）