本発明のプラズマ発生装置は、柱形状の電源極、電源極の周りを覆う誘電体膜、電源極に隣接して配置される補助プラズマ接地極、反応ガスを提供するためのガス流入部、及び電源極に印加されるＲＦ電源を制御する電源コントローラを含み、プラズマ発生装置が作動する間には、電源コントローラは、電源極と補助プラズマ接地極との間に補助プラズマを維持することを特徴とする。本発明のプラズマ発生装置は、大気圧下で低温プラズマを生成することができ、補助プラズマを利用することによって、安定したプラズマを提供することができる。特に、電源の供給が不安定である高周波電源を使用する場合にも、補助プラズマが安定的なプラズマソースとして機能するので、均一で且つ大面積に適用可能なグロープラズマを生成することができる。 （もっと読む）

コストアップを抑制しつつ良好な耐圧強度を発揮する耐圧構造体を提供する。ウエハＷが配置される第一空間９３と、ヒータ８１、８２が設置された第二空間９４と、第一空間９３と第二空間９４とに仕切る仕切パネル９５を備え、仕切パネル９５は内部が中空の中空体９６と、少なくとも第二空間９４側の部分には固着しない状態で中空体９６の中空部内に収容された耐圧支持体９７とから構成され、中空体９６の中空部は第一空間９３の圧力よりも低圧に減圧されている。中空体９６の第一空間９３に接する上側壁９６ａにも上側壁９６ａを耐圧支持体９７の上面に押接する力Ｆｃが作用するので、中空体９６は耐圧支持体９７で補強され、仕切パネル９５は所期の耐圧強度を発揮する。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマ処理装置の炭化シリコン部品、その部品の製造方法、半導体基板を処理してその基板のパーティクル汚染を減少させるようにする処理におけるその部品の使用方法が提供される。その炭化シリコン部品は、内部に遊離炭素を生成させるようなプロセスにより製造される。その炭化シリコン部品は、少なくとも表面からその遊離炭素が除去されるように処理される。
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本発明の半導体基板用熱処理治具によれば、半導体基板と直接接触して支持するシリコン材料から構成される第１の治具と、この第１の治具を保持するとともに熱処理ボートに載置するための第２の治具（ホルダ）とからなる２分割構造で構成し、さらに治具材料の最適化を図るとともに、表面粗さと表面平坦度を規定することにより、熱処理時に半導体基板の特定箇所への応力集中を抑制し、治具の変形を低減できる。これにより、自重応力の大きい半導体ウェーハを熱処理する場合、また熱応力の大きい条件で熱処理する場合でも、スリップの発生を有効に防止でき、安定した半導体基板用の熱処理
として広く適用できる。 （もっと読む）

ナノサイズヒータ付きノズルは、原料ガスを基板Ｗに向けて局所的に供給するためのノズルと、ノズルの側面に設けられた一対の電極と、カーボンナノチューブ等からなるナノサイズヒータなどで構成され、ナノサイズヒータは、ノズルの開口部を横切るように各電極にそれぞれ接続され、通電によって原料ガスを加熱する。
こうした構成によって、基板上の限定された領域において、局所的な成膜を容易に実現できる。 （もっと読む）

【解決手段】
原子層沈着（ＡＬＤ）システムで使用するためのダイヤフラムバルブ（２００）が開示される。一実施例では、加熱ボディ（２９０）は、ダイヤフラム（２２０）とバルブボディ（２１０）との間の熱伝導経路を形成し、ダイヤフラムで作動温度を維持させ、高温前駆ガスがバルブ通路（２１４）内で凝結又は凍結することを防止する。別の実施例では、ダイヤフラムの背後で覆い空間（２９６）と連通する圧力排出口（３０２、３０６、３１０）は、ダイヤフラムの開位置及び閉位置の間の移行に対する抵抗を減少させる。ポンプ又は吸引源（３１６）は、覆い空間内で流体圧力を減少させるため圧力排出口に連結される。別の実施例では、バルブシート（２３０）は、バルブの入口（２１６）を取り囲み、閉じられるときのダイヤフラムの側部の大部分と接触する環状座席表面を備え、熱輸送を容易にし、ダイヤフラムの散逸的冷却を相殺させる。 （もっと読む）

【課題】成膜装置において反応容器内に付着した薄膜をフッ素を含むクリーニングガスでクリーニングするにあたり、その後ウエハに対して成膜処理をおこなったときに薄膜へのフッ素の混入を抑えること。
【解決手段】反応容器内にクリーニングガスを供給しながら反応容器内の温度を検出し、クリーニングガスを供給する前の反応容器内の温度をＴ０とすると、温度検出値がピーク値Ｔｐに達したとき、あるいはその後Ｔ０＋０．５（Ｔｐ−Ｔ０）の値になるまでの間にクリーニングガスの供給を止める。この方法は温度検出値と設定値との比較により実施してもよいが、クリーニングガスの供給を開始してから設定温度になるまでの時間を予め求め、経過時間を管理することによりクリーニングガスの供給を止めるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハを保持具に棚状に保持して反応容器内に下方側から搬入して熱処理を行う装置において、処理雰囲気の温度安定時間を短くし、また温度の均一性の高い処理雰囲気を広くとれるようにする。
【解決手段】 反応容器の下端を塞ぐ蓋体と保持具との間に保温ユニットを設け、この保温ユニットの例えば上面部に、例えば高純度の炭素素材よりなる抵抗発熱線を石英プレートの中に封入してなる発熱体ユニットを設け、この発熱体ユニットの下方側に例えば石英ブロックを設ける。保温ユニットを蓋体に固定する一方、保温ユニットの中央部に保持具を回転させる回転軸を貫通させ、発熱体ユニットに給電するための給電路部材の外部への引き出しを容易にする。 （もっと読む）