【課題】異常放電を抑え、異常放電によるワークへのダメージを抑えることのできる真空処理装置の静電吸着テーブルおよびワーク処理方法を提供する。
【解決手段】貫通孔Ｗａを有する導電性のワークＷがセットされる真空処理装置１の静電吸着テーブル６４において、上部に静電吸着機構７０を組み込んだテーブル本体６４ａと、テーブル本体６４ａの上面に敷設され、絶縁性材料および半導体材料のいずれかで構成された保護シートＳと、を有している。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング装置において、エッチング処理室やエッチング処理室内部品を構成するアルミミニウム基材の腐食を防止し、溶射被膜の飛散による生産性の低下をなくす。
【解決手段】プラズマエッチング装置において、アルミニウム合金から成るエッチング処理室及びエッチング処理室内部品と耐プラズマ性に良好なセラミックス溶射膜の間に、陽極酸化被膜を配置する。この陽極酸化被膜は５μｍ以下として耐熱性を持たせる。 （もっと読む）

【課題】良好に任意の形状に加工することが可能なエッチング装置、エッチング方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】エッチング装置１０は、イオンガン１１とＸＹステージ１２と制御部１３とＰＣ１５とを備える。予め測定されたエッチングが施される基板２１の厚みの分布から、升目状に区分された基板２１の各領域の被エッチング総量を算出し、この被エッチング総量に達するようにＰＣ１５は各領域におけるエッチング時間を判別する。制御部１３は、このＰＣ１５によって判別されたエッチング時間に基づき、ＸＹステージ１２及びイオンガン１１を制御する。イオンガン１１とＸＹステージ１２との間にはマスク等の遮蔽物が設けられていないためエッチング可能領域を遮ることがなく、良好に任意の形状に加工することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴット等の被加工物を切断するための、破断しにくいプラズマ電極
【解決手段】プラズマ加工装置１００の反応室１０１内で、ＳＦ₆存在下でリボン状電極１０と被加工物であるシリコンインゴット２０との間に高周波を印加してフッ素ラジカルを発生させる。シリコンインゴット２０は厚さ２０μｍ以下のリボン状電極１０の側辺１０ａ付近に発生したフッ素ラジカルにより徐々にエッチングされる。昇降台４０によりシリコンインゴット２０を徐々に上方向に移動させることでシリコンインゴット２０は５０μｍ以下のカーフロスで切断され、ウエハを得る。リボン状電極１０を、ロール３１及び３２で把持し、当該ロール３１及び３２を同方向に回転させて、リボン状電極１０を図面左から右へ走行させて、リボン状電極１０の損耗を抑制する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理システム用の改良されたベローズシールドを提供する。
【解決手段】プラズマ処理システム用のベローズシールド６２は、内面８２、外面８４、第１の端部８６、及び第２の端部８８を具備する円筒壁８０を具備する。第１の端部８６は取り付けフランジ９０を具備する。取り付けフランジ９０は、円筒壁８０の内面８２に結合されると共に基板ホルダ３０と係合するように構成された内部面９６と、内側半径方向面９７と、外部面９８とを具備する。円筒壁８０の第２の端部８８は端面９４を具備する。ベローズシールド６２の複数の露出面１１０に保護バリア１５０が結合される。複数の露出面１１０は、第２の端部８８の端面９４、円筒壁８０の外面８４、及び第１の端部８６の取り付けフランジ９０の外部面９８を含む。
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