【課題】 ＣＣＤ、ＣＭＯＳセンサ等の高歩留まりが要求される製品に使用される高品質ウェーハのリーク電流の測定において、リーク源である欠陥種を簡易な方法で特定することができる半導体基板の評価方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板をリーク電流により評価する方法であって、評価対象である半導体基板にＰＮ接合を形成し、該ＰＮ接合が形成された半導体基板の基板温度を変化させながらリーク電流を測定し、この測定結果をプロットすることによって得られる前記リーク電流の温度特性から、前記評価対象である半導体基板に含まれる欠陥種を特定する半導体基板の評価方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の金属汚染評価をＤＬＴＳ法によってより一層高感度に行うための手段を提供する。
【解決手段】半導体試料上の半導体接合に対して空乏層を形成するための逆方向電圧Ｖ_Rと該空乏層にキャリアを捕獲するための弱電圧Ｖ₁とを交互かつ周期的に印加することで発生するＤＬＴＳ信号を温度を変化させながら測定し第一のＤＬＴＳスペクトルを得て、又上記半導体接合に対して、上記Ｖ_Rを周期的に印加することで発生するＤＬＴＳ信号を温度を変化させながら測定し第二のＤＬＴＳスペクトルを得て、第二のＤＬＴＳスペクトル、または第二のＤＬＴＳスペクトルを直線ないし曲線近似して得られたスペクトルを補正用スペクトルとして、該補正用スペクトルと前記第一のＤＬＴＳスペクトルとの差分スペクトルを得る。前記差分スペクトルを評価用ＤＬＴＳスペクトルとして用いる。 （もっと読む）

【課題】ＲＴＮに関する絶縁膜の品質判定、製造工程の良否判定、回路設計などをより高精度に実施すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の評価方法は、ゲート絶縁膜を有するＭＩＳ型ＦＥＴを備える半導体装置の評価方法であって、複数のＭＩＳ型ＦＥＴのＲＴＮを測定し、ＲＴＮの測定結果に基づいて、ゲート絶縁膜中のトラップの位置、トラップのエネルギー、ＲＴＮの時定数、及びＲＴＮ振幅のうち少なくとも２つパラメータを抽出し、当該２つのパラメータの相関関係を求めるものである。 （もっと読む）

【課題】
耐熱性の低いサンプルであっても損傷を与えることなく、量子ドットと量子ドット近傍の半導体材料等のエネルギ準位の差を測定することのできるエネルギ準位測定装置及びエネルギ準位の測定方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
光源１の照射光を分光器３で掃引し、サンプル１００のピーク静電容量値を与える照射光の波長λ１を求める。次に、このλ１の照射光を照射した状態で、光源２の照射光を分光器４で掃引しながらサンプル１００に照射し、電流値がピークとなる波長λ２を求める。サンプル１００に含まれる量子ドットのエネルギ準位と、量子ドットに近接又は隣接する絶縁層の伝導帯の底のエネルギ準位との差は、波長λ２の照射光の照射エネルギＥ２としても求まるため、エネルギ準位の正確な測定が可能である。 （もっと読む）

【課題】レーザ光線を照射して被測定物全体からのフォトルミネッセンス光の強度分布を短時間で測定できるフォトルミネッセンス測定装置を提供する。
【解決手段】この装置はレーザ光源１とＣＣＤカメラ８を具備し、被測定物５とＣＣＤカメラ間の光路上に、偏光フィルター６とレーザ光線の波長を遮断して測定波長のみを透過させるバンドパスフィルター７が配置され、レーザ光源と被測定物間の光路上に、集光レンズ２と第１のガルバノミラー３および第２のガルバノミラー４が配置され、集光レンズで集光されたレーザ光線が、第１のガルバノミラーと第２のガルバノミラーにより反射されて２次元走査されるようになっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、負、ゼロ、あるいは非常に小さい正の電子親和力表面からの光電子放出現象を利用した従来にない新しい原理に、半導体内の不純物や欠陥の電子状態の高感度非破壊測定を簡便に行うことが出来る手法を提供する。
【解決手段】不純物若しくは欠陥を含む半導体を用い、照射光によって前記半導体の不純物若しくは欠陥の準位から伝導帯へ励起された光電子のうち、当該半導体の厚み方向に拡散し、あらかじめ電子親和力を負、ゼロ、あるいは当該半導体の結晶運動量相当のエネルギーに対応する小さな正の電子親和力状態にせしめた当該半導体の表面から外部光電子放出させ、光電子検出器によって光電子数を計数し、同時に照射光エネルギーを計測し、当該照射光エネルギーに対する光電子放出率を計測することにより、不純物若しくは欠陥を含む半導体内の電子状態測定方法。 （もっと読む）

【課題】不純物準位や欠陥準位を正確に求めることができる技術を提供する。
【解決手段】試料１５にイオンビーム２１を照射すると、イオン照射によって励起した正孔が捕獲中心に遷移するとき、価電子帯と捕獲中心のエネルギー準位の差に応じた波長の光を放出するので、放出光の強度のピークとその波長を測定すると、捕獲中心の準位が分かる。 （もっと読む）

太陽電池などの間接バンドギャップ半導体デバイスの空間分解特性を特定または測定する方法およびシステムの実施形態が説明される。一実施形態において、間接バンドギャップ半導体デバイスの空間分解特性は、間接バンドギャップ半導体デバイスを外部励起して間接バンドギャップ半導体デバイスにルミネセンスを発光させ（１１０）、外部励起に応答して間接バンドギャップ半導体デバイスから発光されたルミネセンスの像を捕捉し（１２０）、１つ以上のルミネセンス像中の領域の相対的強度の比較に基づいて間接バンドギャップ半導体デバイスの空間分解特性を測定することによって測定される（１３０）。
（もっと読む）

【課題】ｘ線光電子分光の帯電現象の解析により評価対象の材料中の電荷欠陥を定量的な計測を可能とする。
【解決手段】１ 試料にあたっているｘ線の照射面積を可変とするため複数の異なった孔径を有する稼動しぼりを試料の前面に設ける。 ２ 試料に当たっているｘ線の強度分布が均一であるように上記１の稼動絞りを用いて計測する手法。 ３ ｘ線の試料への照射開始、終了は、定常状態のｘ線源から放射されているｘ線を、ｘ線源と試料の間に設けた高速シャッターで行う。 （もっと読む）

【課題】電極―絶縁膜―半導体基板構造において絶縁膜中に存在する電子捕獲欠陥と正孔
捕獲欠陥の密度及び準位を評価する。
【解決手段】表面に絶縁膜を有し、更にその上に金属電極を有するシリコン基板において
、絶縁膜中欠陥に電子もしくは正孔を捕獲させて、光エネルギーによってその電子もしく
は正孔を脱離させ、それに伴う際の容量−電圧曲線の電圧軸方向の変化量を計測し、膜中
に存在する電子捕獲欠陥もしくは正孔捕獲欠陥の密度及び準位を独立に評価する。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の物性値や挙動を高い精度で評価する。
【解決手段】 半導体素子Ｓは、第１電極４１と有機材料からなる半導体層４６とが絶縁
層４４を挟んで対向する構造を有する。計測装置Ｄ2は、第１電極４１と半導体層４６に
形成された第２電極４２との間に印加される電圧Ｖ_Gと、第１電極４１と第２電極４２と
の間の容量値Ｃ_MIS0との関係を実測する。制御装置２１は、Ｃ-Ｖ論理式によって表現さ
れる特性が計測装置Ｄ2による計測の結果に近づくようにＣ-Ｖ論理式の各パラメータを決
定することによって半導体素子Ｓの特性を評価する。このＣ-Ｖ論理式は、電圧Ｖ_Gと容量
値Ｃ_MIS1との関係を表す演算式であり、半導体層４６の容量値Ｃ_seと抵抗値Ｒ_seとをパラ
メータとして含む。 （もっと読む）