【課題】ＭＥＭＳ技術をベースとして加速度センサを製造する場合、複雑構成の加速度センサを得ることができるものの、ＭＥＭＳ特有の製造プロセスを経る必要があり、通常の半導体製造プロセスとの親和性は低い。
【解決手段】半導体装置１００は、凹状のガス流路２２が設けられた積層体１０と、積層体１０に対して設けられると共に、ガス流路２２の底面にて露出するヒータ４０と、積層体１０に対して設けられると共に、ガス流路２２の底面にて露出し、かつガス流路２２の延在方向においてヒータ４０を挟み込むように配置された複数の熱センサ３０、５０と、を有する。通常の半導体製造プロセスに対して親和性が高い加速度センサを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】コストを大幅に増加させることなく精度を向上したＣＭＯＳセンサを提供する。
【解決手段】一実施形態におけるＣＭＯＳセンサシステムにおいて向上した精度を提供する方法及びシステムは、相補型金属酸化膜半導体基板１１２上の第１の端子１１４及び第２の端子１１６を有する複数のセンサ素子と、第１の端子１１４を電源に選択的に接続すると共に、該第１の端子１１４を読出し回路１０８に選択的に接続するように構成される第１の複数のスイッチと、第２の端子１１６を電源に選択的に接続すると共に、該第２の端子１１６を読出し回路１０８に選択的に接続するように構成される第２の複数のスイッチとを含む。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成、ダイヤフラム部の厚さの制御等も容易で、高歩留まり、低コスト、かつ温度依存性が低く、高感度の半導体圧力センサを提供する。
【解決手段】複数のショットキーバリアダイオードが半導体基板１７に、分散して形成されている。各ショットキーバリアダイオードＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４は、バリア膜、電極、半導体基板で構成されている。バリア膜１、３、５、７と半導体基板１７とを接触させることで、半導体基板１７側の接触面に空乏層が生じ、ショットキー障壁が発生する。このショットキー接合部分が、半導体基板１７におけるダイヤフラム領域１８に含まれており、圧力を感知する領域となる。 （もっと読む）

【課題】二酸化ケイ素や窒化ケイ素など非常に薄い低応力誘電体材料と半導体層とで
形成された可とう性の膜で集積回路（２４、２６、２８、．．．３０）を製造する汎用手
法を提供する。
【解決手段】膜（３６）の半導体層中に半導体デバイス（２４、２６、２８．．．３
０）を形成する。最初に、標準厚さの基板（１８）から半導体膜層（３６）を形成し、次
いで、基板の薄い表面層をエッチングまたは研磨する。他のバージョンでは、ボンディン
グされた従来の集積回路ダイ用の支持および電気的相互接続として可とう性膜を使用し、
膜中の複数の層に相互接続部を形成する。１つのそのような膜に複数のダイを接続するこ
とができ、膜は次いでマルチチップ・モジュールとしてパッケージされる。 （もっと読む）

本発明は、基板（１）と、電気的な特性の値が温度に依存して変化する、マイクロ構造化された少なくとも１つのセンサ素子（５２）と、空洞（２６，７４，９４）の上方における少なくとも１つのダイアフラム（３６．１）とを有するセンサ、殊に空間分解能検出のためのセンサに関する。少なくとも１つのセンサ素子（５２）が少なくとも１つのダイアフラム（３６．１）の下面に配置されており、またセンサ素子（５２）は、ダイアフラム（３６．１）の内部または上部または下部に延在している線路（６０，６２；９８−１，９８−２，１００−１，１００−２）を介して接触している。殊に複数のセンサ素子（５２）をダイオードピクセルとして単結晶のエピタキシャル層内に形成することができる。ダイアフラム（３６．１）内に、個々のセンサ素子（５２）を弾性的且つ絶縁的に収容する懸架ばねを形成することができる。
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