【課題】 本発明の目的はセンサ特性の低下を抑え、かつ簡単な構成で加速度センサの耐衝撃性を向上させることにある。。
【解決手段】 本発明に係る加速度センサは、フレーム部と、前記フレーム部の内側に位置する錘部と、前記フレーム部と前記錘部とを接続する可撓部と、前記可撓部及び／又は前記フレーム部に配置された複数の歪検出部と、前記フレーム部上に配置された複数の電極パッドと、前記可撓部及び前記フレーム部上に配置され、前記歪検出部同士の間または前記歪検出部と前記電極パッドとの間を接続する配線部と、を備え、前記歪検出部と前記電極パッドの間を接続する配線部のいずれかは、第１の折返し部と第２の折返し部とを含む複数回の折返し形状を有し、前記第１の折返し部は前記フレーム部上に位置し、前記第２の折返し部は前記可撓部上に位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明によれば、低消費電力化に対応でき、かつ出力特性の変動を抑えた信頼性の高い物理量センサ及びその製造方法を提供できる。
【解決手段】 本発明に係るセンサは、開口を有するフレーム部と、前記フレーム部の開口内に配置された錘部と、前記フレーム部と前記錘部とを接続する少なくとも一本の梁部と、前記梁部に形成され、かつ前記梁部の一端が前記フレーム部と接続する領域と、前記梁部の他端が前記錘部と接続する領域にそれぞれ配置された、物理量変動を検出するための複数の検出部とを備え、前記検出部は、複数のピエゾ抵抗素子を金属材料からなる配線により直列に接続して構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明によれば、通電による出力特性変動を抑えたセンサ及びその製造方法を提供することができる。
【解決手段】 本発明に係るセンサは、錘部と、前記錘部の周囲に位置するフレーム部と、前記フレーム部と前記錘部とを連結するダイアフラム状あるいは梁状の可撓部と、前記可撓部及び／又は前記フレーム部に配設され、少なくとも１軸方向の物理量を検出するための歪検出部と、前記可撓部及び前記フレーム部上に、ブリッジ回路を構成するように前記歪検出部を接続する配線部と、を備え、前記配線部を介して前記歪検出部と接続された複数の外部接続パッドと、前記配線部を介して前記歪検出部と接続されるとともに外部接続に用いないダミーパッドと、を前記フレーム部上に配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高感度のセンサ機能を安定して発現するセンサと、このようなセンサを簡便に製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】 センサを、枠部と、この枠部から内側方向に突出する複数の梁部と、梁により支持される錘部と、梁部に配設されたピエゾ抵抗素子と、ピエゾ抵抗素子を被覆する絶縁層とを備えたものとし、ピエゾ抵抗素子は折り返し部を１個以上有し、この折り返し部に位置する絶縁層上には金属配線を配設するとともに、この金属配線を絶縁層に形成された２個以上のコンタクトホールを介して折り返し部に接続し、ピエゾ抵抗素子の両端部に位置する絶縁層にはコンタクトホールを設け、このコンタクトホールを介してブリッジ回路配線をピエゾ抵抗素子に接続形成する。 （もっと読む）

【課題】３次元の慣性力を検出するＭＥＭＳのセンサ部を構成するダイの平面形状の自由度を高める。
【解決手段】支持部と、前記支持部に架設された互いに平行な二本の両端固定梁と、二本の前記両端固定梁の中間部に結合している錘部と、前記両端固定梁の幅方向の中央より外側の領域における前記支持部または前記錘部との近接領域に設けられ当該近接領域の歪みを検出する歪み検出手段と、前記歪み検出手段の出力を、前記両端固定梁の長さ方向に平行な軸の周りの前記錘部の回転に相関する電気信号に変換する信号処理手段と、を備えるＭＥＭＳ。 （もっと読む）

【課題】 特性の異なるセンサを簡便に製造することが可能なセンサおよびその製造方法を提供できる。
【解決手段】 本発明に係る加速度センサは、開口を有するフレーム部と、該開口内に配置された錘部と、前記フレーム部と前記錘部とを接続する梁部と、該梁部上に形成された複数の検出部とを具備してなるセンサであって、前記梁部上には、物理量変動を検出可能な複数本のピエゾ抵抗素子を備え、前記検出部は、前記複数本のピエゾ抵抗素子のいずれかを用いて構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 設計自由度の高いセンサを提供する。
【解決手段】 枠体と、前記枠体の内側に前記枠体と間隔を空けて設けられた乗載体と、
可撓性を有し、前記乗載体を支持するように前記枠体と前記乗載体との間に設けられる梁部と、前記乗載体に設けられた重錘と、前記枠体の前記梁部との接続部に設けられ、前記乗載体の変位に起因する前記枠体の変位を検出する変位検出素子とを含んでセンサを構成する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ軸方向（又はＹ軸方向）のピエゾ抵抗素子と、Ｚ軸方向のピエゾ抵抗素子とを、梁の長手方向の同位置に形成した場合でも、Ｘ軸方向（又はＹ軸方向）の加速度感度と、Ｚ軸方向の加速度感度とをほぼ等しくすることができる３軸加速度センサを提供すること。
【解決手段】中心非可動部１５の長さ：梁１４の長さ＝１：２とし、又は中心非可動部１５の長さ：錘１３の高さ＝１：２とし、又は中心非可動部１５の長さ：梁１４の長さ：錘１３の高さ＝１：２：２とした。 （もっと読む）

【課題】従来のブリッジ回路を用いる物理量センサは、ブリッジ回路の一部を開放端にするために、接続端子の数が増えてサイズが縮小できないという課題があった。
【解決手段】本発明の物理量センサは、センサの可撓部に設ける複数のピエゾ抵抗素子を用いて構成する複数のブリッジ回路を開放端の無い閉回路として構成する。各ブリッジ回路には、ピエゾ抵抗素子間に複数の接続端子を設け、各ブリッジ回路でそれぞれ１つの接続端子を共通接続し、同一電位を印加することによって、接続端子の数を減らすことができる。このような構成とすることによって、本発明の物理量センサは、そのサイズを小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】性能の信頼性を高める。
【解決手段】半導体から成るベース３の表面の一部分に形成され応力変化に応じて電気抵抗の大きさが変化するピエゾ抵抗部２を有するピエゾ抵抗構造１であって、ベース３とピエゾ抵抗部２とのうちの一方はｐ型半導体と成し、他方はｎ型半導体と成している。ピエゾ抵抗部２の一端２Ｈ側が電圧印加手段の高電位側に、また、他端２Ｌ側が上記電圧印加手段の低電位側に、それぞれ電気的に接続されてピエゾ抵抗部２に電圧が印加されている状態において、ピエゾ抵抗部２とベース３とのＰＮ接合部分の空乏層Ｈの厚みＤを考慮して、ピエゾ抵抗部２の高電位側の端部２Ｈから低電位側の端部２Ｌにかけて電流導通路の実効断面積が等しくなるように連続的に又は段階的に幅又は厚みを変化させてピエゾ抵抗部２を形成する。 （もっと読む）

【課題】歪み抵抗素子と同等の熱影響を受け、応力の影響を受けず、かつ歪み抵抗素子と同等の伝熱量特性を有する箇所に温度補償用抵抗素子を設け、精度の高い温度補償を行って高精度の応力検出を行える力覚センサ用チップを提供する。
【解決手段】力覚センサ用チップは、外力作用領域部４Ａと非変形領域部４Ｂを有する作用部４、この作用部を支持する支持部３、および作用部と支持部を連結する連結部５Ａ〜５Ｄを備える半導体基板２と、連結部の変形発生部に設けられる歪み抵抗素子Ｓxa1，Ｓxa2，Ｓxb1，Ｓxb2，Ｓya1，Ｓya2，Ｓyb1，Ｓyb2と、作用部の非変形領域部上に設けられる温度補償用抵抗素子１１を備える。上記構成で、変形発生部での歪み抵抗素子の配置箇所周辺構造と、非変形領域部での温度補償用抵抗素子の配置箇所周辺構造とが同じである。 （もっと読む）

【課題】加速度センサ自身を中心とした回転角加速度を検出できる加速度センサを提供する。
【解決手段】フレーム１０１と、フレーム１０１の中心部に設けられた重り１０２と、フレーム１０１と重り１０２とを接続する４本の架梁１０３と、Ｘ軸方向の加速度を検出するための第１のピエゾ抵抗素子群と、Ｙ軸方向の加速度を検出するための第２のピエゾ抵抗素子群と、Ｚ軸方向の加速度を検出するための第３のピエゾ抵抗素子群と、重り１０２の中心軸の回転角速度を検出するためのピエゾ抵抗素子ＲＡ，ＲＢ，ＲＣ，ＲＤからなる第４のピエゾ抵抗素子群とを有し、前記第４のピエゾ抵抗素子群を構成するピエゾ抵抗素子ＲＡ，ＲＢ，ＲＣ，ＲＤは、架梁１０３の根元部分に斜めに配置され、前記第１、第２、第３及び第４のピエゾ抵抗素子群は、それぞれブリッジ回路を構成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ノイズが発生したとしてもセンサ出力演算でキャンセルされ、ドリフトノイズを低減し、安定した力およびモーメント検出を行える力覚センサ用チップを提供する。
【解決手段】力覚センサ用チップ１は、外力作用領域部３ａを有する作用部３と、この作用部３を支持する支持部４と、作用部と支持部を連結する連結部５を備え、連結部５は、作用部の周囲に位置する少なくとも環状中間部（５Ａ，５Ｂ）と、作用部と環状中間部を連結する第１連結腕部５１と、支持部と環状中間部を連結する第２連結腕部５２とから成る半導体基板２と、連結部における第１連結腕部と第２連結腕部のそれぞれの変形発生部に設けられる歪み抵抗素子Ｓxa1〜Ｓxa3，Ｓya1〜Ｓya3，Ｓxb1〜Ｓxb3，Ｓyb1〜Ｓyb3とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体加速度センサに製造上の加工バラツキが生じたとしても他軸感度を抑制して加速度の検出精度を向上させる手段を提供する。
【解決手段】外枠部と、外枠部の中心部に配置された重錘部と、外枠部と重錘部とを接続する少なくとも一対の可撓部を有し、一対の可撓部は一の可撓部の外枠部と重錘部との延在方向に他の可撓部が配置される半導体加速度センサであって、一対の可撓部は、第１の軸方向の加速度成分を検出する複数の第１の軸抵抗素子と、第１の軸抵抗素子に直交する第２の軸方向の加速度成分を検出する第１の軸抵抗素子と同数の複数の第２の軸抵抗素子とを有し、第１の軸抵抗素子は重錘部の中心に対して点対称あるいは線対称に配置される。 （もっと読む）

【課題】安価に角加速度を検出することができる角加速度センサーを提供する。
【解決手段】角加速度センサー１において、ピエゾ式の加速度センサーからなる第１および第２センサー部１１，１２を、それぞれのｚ軸が、ともにセンサー基板１３の表面に垂直であり、かつ互いに逆の方向を向くように配置する。また、角加速度センサー１は、第１および第２センサー部１１，１２のそれぞれのｘ軸方向の出力およびｙ軸方向の出力に加減算部１５によって加算および減算の処理を施す。これにより、ピエゾ式の加速度センサーを用いることで、角加速度を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ピエゾ抵抗素子の形状、抵抗値、および温度変化による抵抗値変化の特性のばらつきを低減させ、検出精度を高めることができる加速度センサを提供することを目的とするものである。
【解決手段】固定部１と、この固定部１に接続された第１、第２の片持ち梁部２，３と、この第１、第２の片持ち梁部２，３の先端にそれぞれ形成された第１、第２のおもり部４，５と、前記第１、第２の片持ち梁部２，３のそれぞれに形成された第１〜第４のピエゾ抵抗素子６〜９とを備え、前記第１、第２の片持ち梁部２，３および第１、第２のおもり部４，５をそれぞれ同一形状にするとともに、同一平面上に同じ向きに並べて構成したものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、検出精度の劣化を低減または防止し、かつ周りの部品等との干渉の発生も低減または防止することができる加速度センサを提供することを目的とするものである。
【解決手段】第１、第２の片持ち梁部２，３の断面の高さ方法にｘ軸を設定し、前記片持ち梁部２，３の断面の上端をｘ＝０、前記片持ち梁部２，３の断面の下端をｘ＝ｈとし、かつ前記片持ち梁部２，３の断面の幅をＷ（ｘ）としたとき、前記片持ち梁部２，３の断面形状を、０＜ｘ＜ｈにおいて、Ｗ（ｘ）≦Ｗ（０）またはＷ（ｘ）≦Ｗ（ｈ）が成立し、Ｗ（ａ）＜Ｗ（０）かつＷ（ａ）＜Ｗ（ｈ）が成立する０＜ａ＜ｈなるａが存在するような形状にしたものである。 （もっと読む）

【課題】外部電界の影響（表面電界効果）による抵抗値変動の少ないピエゾ抵抗素子及びその製造方法を提供することを第一の課題とする。また、ブレイクダウン耐圧が高く、リーク電流が小さいピエゾ抵抗素子及びその製造方法を提供することを第２の課題とする。
【解決手段】ピエゾ抵抗素子を製造する方法において、半導体基板に溝を形成する工程と；溝の内部に半導体基板と異なる導電型の抵抗層を形成する工程と；抵抗層の上部に半導体基板と同じ導電型のシリコン層を形成する工程とを含むことを特徴とする。また、本発明の第２の態様に係るピエゾ抵抗素子は、半導体基板内に形成された一対のコンタクト領域と；半導体基板と異なる導電型であり、半導体基板の一対のコンタクト領域の間に形成された溝の内部に形成された抵抗層と；半導体基板と同じ導電型であり、抵抗層の上に形成されたシリコン層とを備えたこと特徴とする。 （もっと読む）

【課題】加速度センサの精度、感度を高め、小型化を図る。
【解決手段】加速度センサ１は、ＸＹ平面に平行なＸＹ基板面を持つ基台２と、基台２のＸＹ基板面上に浮いた状態で配置される枠状の梁部４と、梁部４を支持部５ａ，５ｂを介して基台２に両持ち梁状に支持する梁部支持固定部と、基台２のＸＹ基板面上に浮いた状態で配置される錘部７（７ａ，７ｂ）と、錘部７（７ａ，７ｂ）を梁部４に片持ち梁状に支持する連結部８とを有して構成する。錘部７は、枠状の梁部４の撓み変形によってＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の三軸方向に変位可能な構成と成す。梁部４には、Ｘ軸方向の加速度の錘部７の変位に起因した梁部４の撓み変形に基づいて加速度を検出するＸ軸方向加速度検出部と、Ｙ軸方向の加速度の錘部７の変位による梁部４の撓み変形に基づいたＹ軸方向加速度検出部と、Ｚ軸方向の加速度の錘部７の変位による梁部４の撓み変形に基づいたＺ軸方向加速度検出部とを設ける。 （もっと読む）

【課題】気密性の信頼性を高めることが可能なウェハレベルパッケージ構造体およびセンサエレメントを提供する。
【解決手段】センシング部を有するセンサ基板（センサ本体）１を複数形成したセンサウェハ１０と第１のパッケージウェハ２０および第２のパッケージウェハ３０とをウェハレベルで接合したウェハレベルパッケージ構造体１００であり、センサウェハ１０と第１のパッケージウェハ２０との枠状封止用接合金属層１８，２８同士が直接接合されている。センサウェハ１０は、枠状封止用接合金属層１８が多重に設けられ、第１のパッケージウェハ２０は枠状封止用接合金属層２８が多重に設けられている。加速度センサエレメントは、ウェハレベルパッケージ構造体１００をセンサ基板１のサイズに基づいて規定した所望のサイズに分割することで形成されている。 （もっと読む）