【課題】センサチップの厚み方向の加速度に対応する出力電圧におけるオフセット電圧の温度変動を抑制できる加速度センサを提供することにある。
【解決手段】加速度センサは、フレーム部１０と、フレーム部１０の内側に配置される重り部１１と、重り部１１の四方からそれぞれ延設されて、重り部１１をフレーム部１０に揺動自在に支持させる４つの撓み部１２とを備えて半導体基板から形成されるセンサチップ１を有し、該センサチップ１には、センサチップ１の厚み方向の加速度検出に用いられる厚み方向用圧電素子である４つのピエゾ抵抗Ｒｚ１〜Ｒｚ４と、前記厚み方向に直交する方向の加速度検出に用いられる各４つのピエゾ抵抗Ｒｘ１〜Ｒｘ４，Ｒｙ１〜Ｒｙ４とが設けられ、これらピエゾ抵抗Ｒｘ１〜Ｒｘ４，Ｒｙ１〜Ｒｙ４，Ｒｚ１〜Ｒｚ４は、センサチップ１の撓み部１２において重り部１１側の端部Ｐに形成されている。 （もっと読む）

【課題】センサ部と外周部の電気配線を内側に含めて外周で封止する構造の物理量センサにおいて、小型化を可能とする。
【解決手段】物理量に応じて電気信号を出力するセンサ部２が形成されたセンサウエハ３と、その上下のカバーウエハ４及び下部カバー５とを備え、センサ部２が封止される。センサウエハ３の表面に、センサ部２の電気信号の入出力を行う第１の配線１１の厚みよりも深い溝状の凹部６が形成され、第１の配線１１は、センサウエハ３の接合部材１３の近傍で凹部６内に形成され、凹部６は、センサウエハ３の接合部材１３の近傍で第１の配線１１の上に、又は、第１の配線１１を覆うように設けた非導電性の保護膜１４の上に、充填材料１５を配置して埋め戻され、第１の配線１１に導通する第２の配線１２はセンサウエハ３の表面及び埋め戻された凹部６の上に形成されて各ウエハ３，４の接合部材１３，４３の内側で貫通電極４１に接続される。 （もっと読む）

【課題】センサ基板と貫通孔配線形成基板との間の接合を容易に行うことが可能なセンサエレメントを提供する。
【解決手段】センサ基板１とセンサ基板１の一表面側に封着された貫通孔配線形成基板２と他表面側に封着されたカバー基板３とを備える。センサ基板１と貫通孔配線形成基板２とは、互いの対向面に形成された第１の封止用接合金属層１８と第２の封止用接合金属層２８とが接合されるとともに、互いの対向面に形成された第１の接続用接合金属層１９と第２の接続用接合金属層２９とが接合されている。センサ基板１は、第１の接続用接合金属層１９における金属配線１７との接続部位が、貫通孔配線形成基板２におけるセンサ基板１との対向面に形成された凹所である変位空間形成用凹部２１内に位置している。 （もっと読む）

【課題】インターポーザを用いることなく実装基板へ半田リフローにより実装可能であり、且つ、平面サイズの小型化を図れるセンサエレメントを提供する。
【解決手段】貫通孔配線形成基板２は、センサ基板１側とは反対側の表面に各貫通孔配線２４と電気的に接続された複数の半田リフロー用パッド２５が形成されている。センサ基板１と貫通孔配線形成基板２とは、第１の封止用接合金属層１８と第２の封止用接合金属層２８とが接合され、第１の接続用接合金属層１９と第２の接続用接合金属層２９とが接合されている。第２の接続用接合金属層２９の長手方向の中間部が、貫通孔配線形成基板２における複数の半田リフロー用パッド２５の所望のレイアウトに応じて第１の接続用接合金属層１９と第２の接続用接合金属層２９との接合部位と第２の接続用接合金属層２９と貫通孔配線２４との接続部位との相対的な位置関係を調整する再配線部を構成している。 （もっと読む）

【課題】半導体チップをウェハレベルで積層して３次元半導体装置を製造する場合、加圧及び加熱を伴う電極接合工程がある。この工程では、ウェハ上の電極を所定の加圧・加熱条件により処理する必要があるが、ウェハ全体の圧力分布を加圧時間の関数として、また温度分布を加熱時間の関数として測定する手段がなく、加熱装置、加圧装置の機械的な動作パラメータの設定が正確に出来なかった。その結果、電極接合処理の歩留まりの低下を招いていた。
【解決手段】半導体ウェハ上にアツリョクセンサとしてピエゾ抵抗素子を集積化し、同時に測温素子を一体的に作りつけることにより、圧力分布及び温度分布を処理時間の関数として測定が可能になる。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ抵抗特性の不釣合いを誘引するような構造を改善し、残留応力の影響の小さいＭＥＭＳ加速度センサを実現する。
【解決手段】ＭＥＭＳ加速度センサは、枠形状のフレーム部１２と、上記フレーム部の枠内に配置される錘部１１とを、複数の可撓性の梁部１３にて接続する構成とする。梁部１３におけるフレーム部１２との接続側では、長さＵのノッチ部１２Ａがフレーム部１２において形成され、梁部１３における錘部１１との接続側では、長さＵｐのノッチ部１１Ａが錘部１１において形成される。 （もっと読む）

【課題】 角速度検出の感度向上を容易にする。
【解決手段】 角速度センサ１は、ＸＹ平面に平行なＸＹ基板面を持つ基台２と、基台２のＸＹ基板面上に浮いた状態で配置される枠状梁４と、枠状梁４を支持部５ａ，５ｂを介して基台２に両持ち梁状に支持する梁部支持固定部と、基台２のＸＹ基板面上に浮いた状態で配置される錘部７（７ａ，７ｂ）と、錘部７（７ａ，７ｂ）を枠状梁４に片持ち梁状に支持する連結部８とを有する。錘部７は枠状梁４の撓み変形によってＸ軸方向とＹ軸方向とＺ軸方向の三軸方向の外力により変位可能な構成と成す。錘部７をＺ軸方向に駆動振動させる錘部駆動手段２２を設ける。枠状梁４には、Ｚ軸方向に駆動振動している状態でＹ軸回りの回転により発生したＸ軸方向のコリオリ力による錘部７の変位に起因した枠状梁４の撓み変形に基づいて角速度を検出するためのＹ軸回り角速度検出部を設ける。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ抵抗検出型の加速度検出装置において、装置の大型化を招来することなく検出感度を向上させるとともに、各ホイートストーンブリッジにおける抵抗特性のミスマッチの影響を軽減する。
【解決手段】１組のホイートストーンブリッジＸＷＢａ，ＸＷＢｂを、面内のある一方向（Ｘ方向）への加速度が加えられたときに、両ホイートストーンブリッジの出力信号Ｖａｘ，Ｖｂｘが互いに逆極性になり、上記面に垂直な方向（Ｚ方向）への加速度が加えられたときに、両ホイートストーンブリッジの出力信号Ｖａｘ，Ｖｂｘが互いに同極性になるように配置する。また、両ホイートストーンブリッジの出力信号同士を加算する加算器３０２と、両ホイートストーンブリッジの出力信号同士を減算する減算器３０３とを備える。 （もっと読む）

【課題】パッケージと半導体素子との熱膨張係数の違いによる応力の発生を低減し、且つ、半導体素子を収納するパッケージの外部応力や熱膨張などによる変形に対して安定して動作することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、内部にキャビティ（１０１ａ及び１０１ｂ）を有するパッケージ（下部容器１０１、スペーサ１１１及び上部蓋１１２）と、キャビティ（１０１ａ及び１０１ｂ）の何れかの面から突出する端子１０２と、キャビティ（１０１ａ及び１０１ｂ）の何れの面にも接触しないように、端子１０２に固定された半導体加速度センサチップ１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】
Ｘ，Ｙ，Ｚの各軸方向の加速度を独立的に且つ高感度に検出することができる半導体加速度センサを提供する。
【解決手段】
Ｘ、Ｙ軸方向の加速度検出用ピエゾ抵抗ＲＸ１〜ＲＸ４、ＲＹ１〜ＲＹ４をその長手方向がそれぞれの軸方向と並行するように重り部２の近傍において第一のビーム１０及び第二のビーム１１上に形成配置し、Ｚ軸方向の加速度検出用ピエゾ抵抗ＲＺ１〜ＲＺ４をその長手方向が重り部２の中心を通り且つＸ軸方向と並行する直線と一致するように横一列に第一のビーム１０上に形成配置した。 （もっと読む）

【課題】 簡易な方式で微小な可動部を有する微小構造体を精度よく検査する検査装置、検査方法および検査プログラムを提供する。
【解決手段】 テスト音波を入力して、テスト音波の入力に応答したセンサ出力電圧振幅の周波数特性を解析する。予め想定される使用条件等からデバイスに要求される最大周波数および最小周波数を算出し、その周波数帯域の中で望ましい特性が検出することができるかを判定する。具体的には、所定の周波数帯域において、応答特性がしきい値である最小特性レベルを越えているか否かに基づいて、良品もしくは不良品であると判定する。 （もっと読む）

【課題】 実装スペースを低減でき、実装基板等への接合強度に優れ、実装基板等からの外部応力による影響が少なく、構造の簡略化及びコストの低減を果たすことができる半導体センサ装置を提供する。
【解決手段】 可動部及び梁部２１を有する半導体センサが形成されている半導体基板２の片面にケース板３が接着剤層５を介して半導体基板２に積層されており、ケース板３の半導体基板２に貼り合わされている側とは反対側の面に複数の突起３ｂが設けられており、複数の突起３ｂの外表面に設けられた端子電極７が、半導体基板２に設けられるように、半導体センサを外部と電気的に接続するための外部接続用電極９に対し、ケース板３の側面において端子電極に連ねられるように設けられている接続電極８により電気的に接続されている、半導体センサ装置。 （もっと読む）

【課題】従来技術の構成では可撓部を細い梁形状にすることができず、小型かつ高感度な電気機械変換器とすることができないという問題があった。
【解決手段】錘部と枠部と、錘部と枠部とを接続するＸ軸方向の梁部とＸ軸方向と平面的にほぼ直交するＹ軸方向の梁部とを有し、機械的変動を電気的変動に変換する変換器を有する電気機械変換器であって、変換器と離間して抵抗器を備え、変換器は、少なくとも３つの変換器からなり、Ｘ軸方向の梁部には、第１の変換器を設け、Ｙ軸方向の梁部には、第２の変換器を設け、Ｘ軸方向の梁部またはＹ軸方向の梁部には、Ｘ軸方向またはＹ軸方向とは異なるＺ軸方向の機械的変動を電気的変動に変換する第３の変換器を設ける構成を有する。このような構成とすることで、小型かつ高感度な電気機械変換器を得ることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】半導体センサの製造プロセスにおける残渣物をなくし、半導体センサの裏面に取り付ける台座の接合を良好にして歩留まりを向上させる。
【解決手段】表面側半導体層８、裏面側半導体層９及び埋込み酸化膜１０を備えたＳＯＩ基板の支持部形成領域２のうち、重錘部形成領域４側の枠状の領域２ａを除いた領域の裏面側半導体層９上に第１エッチングマスク層１２を形成する（ａ）。第１エッチングマスク層１２を含んで裏面側半導体層９上に重錘部形成領域４及び支持部形成領域２を画定するための第２エッチングマスク層１４を形成し、ＳＯＩ基板の裏面側からエッチングを行なう（ｂ）。第２エッチングマスク層１４を除去した後、第１エッチングマスク層１２をマスクにして重錘部形成領域４の裏面側半導体層９の一部をエッチングする（ｃ）。第１エッチングマスク層１２をウェットエッチング処理により除去する（ｄ）。 （もっと読む）

【課題】 小型で高い感度を有する３軸加速度センサを提供する。
【解決手段】 加速度センサ１は、支持枠２と、支持枠２で囲まれた空間に、Ｘ軸方向に沿って順に配置された第２の錘５、第１の錘３および第３の錘４を備える。第１の錘３と第２の錘５とは第１接合部１１で連結され、第１の錘３と第３の錘４とは第２接合部１０で連結されている。第１接合部１１から＋Ｙ軸方向、−Ｙ軸方向にそれぞれ第１の梁６、第２の梁７が細長く延在して、第１接合部１１とそれが対向する支持枠部分２Ａ，２Ｂとを連結している。第２接合部１０から＋Ｙ軸方向、−Ｙ軸方向にそれぞれ第３の梁８、第４の梁９が細長く延在して、第２接合部１０とそれが対向する支持枠部分２Ａ，２Ｂとを連結している。第１乃至第４の梁６，７，８，９に梁の変形を表す信号を出力する複数のセンサ素子が配置されている。 （もっと読む）

【課題】加速度センサチップの小型化が可能で、しかも、加速度センサチップとストッパとを接着する工程において加速度センサチップの金属配線がスペーサ部材によりダメージを受けるのを防止することが可能な加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサチップ１と、加速度センサチップ１の一表面に対向配置され重り部１２の過度な変位を規制する平板状のストッパ２と、ストッパ２の周部と加速度センサチップ１のフレーム部１１との間に設けられたスペーサ部材８と、スペーサ部材８を覆いストッパ２の周部と加速度センサチップ１のフレーム部１１とを接着する接着剤からなる接着部６とを備える。加速度センサチップ１のフレーム部１１には、ゲージ抵抗たるピエゾ抵抗Ｒに電気的に接続された金属配線１６のうちスペーサ部材８と重なる部分を保護する保護膜１７が上記一表面側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】加速度センサチップの小型化が可能で、しかも、加速度センサチップとストッパとを接着する工程において加速度センサチップの金属配線がスペーサ部材によりダメージを受けるのを防止することが可能な加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサチップ１と、加速度センサチップ１の一表面に対向配置され重り部１２の過度な変位を規制する平板状のストッパ２と、ストッパ２の周部と加速度センサチップ１のフレーム部１１との間に設けられたスペーサ部材８と、スペーサ部材８を覆いストッパ２の周部と加速度センサチップ１のフレーム部１１とを接着する接着剤からなる接着部６とを備える。加速度センサチップ１のフレーム部１１には、ゲージ抵抗たるピエゾ抵抗Ｒに電気的に接続された金属配線１６のうちスペーサ部材８と重なる部分を保護する無機材料からなる保護膜１７が上記一表面側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】マイクロローディング効果の影響を抑制し、エッチングの均一性の向上が図られた力学量検出センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】力学量検出センサが、開口を有する固定部と、この開口内に配置され、かつ前記固定部に対して変位する変位部と、前記固定部と前記変位部とを接続する接続部と、を有する第１の構造体と、前記変位部に接合され、かつ前記接続部に対応する凹部を有する重量部と、前記重量部を囲んで配置され、かつ前記固定部に接合される台座と、を有し、前記第１の構造体に積層して配置される第２の構造体と、前記変位部の変位を検出する変位検出部と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】センサ全体の薄型化を図りつつクラックなどの発生を防止することができる物理量センサを提供する。
【解決手段】矩形枠状のフレーム部１１の内側に配置される重り部１２が可撓性を有する４つの撓み部１３を介してフレーム部１１に揺動自在に支持され各撓み部１３にゲージ抵抗が設けられたセンサ部１０と、センサ部１０の厚み方向の一表面側に配置され周部がフレーム部１１に固着された第１のカバー部２０と、センサ部１０の厚み方向の他表面側に配置され周部がフレーム部１１に固着された第２のカバー部３０とを具備するセンサ本体部Ｂを備えている。センサ本体部Ｂが矩形枠状の外側フレーム部Ｃの内側に配置されるとともにセンサ本体部Ｂが連結部Ｄを介して外側フレーム部Ｃに支持され、センサ本体部Ｂの周囲には連結部Ｄを除いて外側フレーム部Ｃとの間にスリットＥが形成されている。 （もっと読む）

【課題】小型の一軸半導体加速度センサを提供する。
【解決手段】一軸半導体加速度センサが、半導体材料からなる固定部と、前記半導体材料からなり、所定方向の加速度を受けて前記固定部に対して変位する変位部と、前記半導体材料からなり、前記固定部と前記変位部とをそれぞれ接続し、かつ前記所定方向に並んで配置される複数の接続部であって、前記所定方向での幅より前記所定方向に垂直な方向での厚さが大きい断面形状を有する複数の接続部と、前記複数の接続部に配置される複数の歪検出素子と、を具備する。 （もっと読む）