【課題】小型の一軸半導体加速度センサを提供する。
【解決手段】一軸半導体加速度センサが、半導体材料からなる固定部と、前記半導体材料からなり、所定方向の加速度を受けて前記固定部に対して変位する変位部と、前記半導体材料からなり、前記固定部と前記変位部とをそれぞれ接続し、かつ前記所定方向に並んで配置される複数の接続部であって、前記所定方向での幅より前記所定方向に垂直な方向での厚さが大きい断面形状を有する複数の接続部と、前記複数の接続部に配置される複数の歪検出素子と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体センサにおいて、梁と金属配線との熱膨張係数の違いによって梁に生じる熱応力を緩和させ、梁の変形を防ぐことができる半導体センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】作動板１６と、作動板１６と所定間隔をおいて外側に設けられたシリコン枠２１とを連結するように設けられ、その一部がピエゾ抵抗素子３０ａ、３０ｂ、３０ｃとなる複数の可撓性の梁１９ａ、１９ｂと、ピエゾ抵抗素子３０ａ、３０ｂ、３０ｃをそれぞれ接続するように梁１９ａ、１９ｂの上主面に形成されたアルミ配線３３とを有する半導体センサ１において、アルミ配線３３と梁１９ａ、１９ｂとの熱膨張係数の違いおよび使用環境の温度によって梁１９ａ、１９ｂに生じる熱応力を緩和する熱応力緩和部７１を梁１９ａ、１９ｂの下主面側に有する。 （もっと読む）

【課題】 ダイアフラムの面に平行で互いに直交する２方向における加速度をそれぞれ適切な感度で検出することができる半導体加速度センサを提供することである。
【解決手段】 ダイアフラムの面の中心から互いに直交するＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って、ウェハ外周枠部１２ａへそれぞれ延びている各ダイアフラム片１３ａ〜１３ｄからなり、その上面にピエゾ抵抗体Ｒx1〜Ｒx4，Ｒy1〜Ｒy4，Ｒz1〜Ｒz4が形成されている半導体加速度センサ１０を構成する。Ｘ軸方向に沿って一直線上に配置されたダイアフラム片１３ａ及びダイアフラム片１３ｂと、Ｙ軸方向に沿って一直線上に配置されたダイアフラム片１３ｃ及びダイアフラム片１３ｄにおいて、その軸に直交する断面の面積がそれぞれＸ軸方向又はＹ軸方向の加速度の最大値にあわせて設定されている。
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【課題】小型化と生産容易性の両立を図った加速度センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】加速度センサが、開口を有する固定部と、この開口内に配置される変位部と、固定部と変位部とを接続する接続部と、を有する第１の構造体と、変位部に接合される重量部と、重量部を囲んで配置され、かつ固定部に接合される台座と、を有し、第１の構造体に積層して配置される第２の構造体と、台座に接続され、第２の構造体に積層して配置され、かつ金属材料からなる基体と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 熱応力の影響が少なく検出精度が良好で、かつ生産性の高いセンサを提供することにある。
【解決手段】 矩形のセンサチップ１１１は、その四辺を構成するフレームの内フレーム１１７Ａの一辺のみが基板と接着して固定しており、センサチップ１１１の残りの三辺は基板と離れていて自由に動くことができ、接着剤１２１の硬化収縮や基板１１２とセンサチップ１１１の線膨張係数差によって発生する応力を緩和することができる。また、センサチップ１１１に設けた出力用の電極パッド１２２は基板１１２と固定されたフレーム１１７Ａ上に設置されており、ワイヤーボンディング時にワイヤーの接合強度が弱くなることもない。 （もっと読む）

【課題】 半導体センサの製造工程における可撓部の破損を防止する。
【解決手段】 半導体基板３の表面にピエゾ抵抗体１９を形成する工程と、支持部１１の形成領域を少なくとも除く半導体基板３の所定の領域を半導体基板３の裏面３ｂ側から選択的に除去する工程を含んで半導体基板３の表面３ａ側に錘配置部１５及び可撓部１３を形成する錘配置部形成工程と、錘配置部１５の半導体基板３の裏面３ｂ側の面に錘部１７を形成する錘部形成工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ状態での特性がアセンブリ行程により変化することを抑制する微小構造体を有する半導体装置および微小構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 微小構造体のチップＣＰが複数形成されたウェハ１００に対して接着層１５を用いてダミーウェハ１０と貼り合わせる。そして、ＭＥＭＳデバイス１は、カッティングしたダミーウェハ１０をチップＣＰの台座としてハウジング部材１１０と接着させることにより、ハウジング部材１１０を用いてパッケージする際の下からの応力等をダミーウェハ１０で吸収する。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ抵抗素子とコンタクトホール内の配線との電気的接続箇所における剥離や分離等のコンタクト不良を防止する。
【解決手段】ピエゾ抵抗型３軸加速度センサは、錘部と、この錘部の周辺に配置された台座部５１と、この台座部５１上に固定された周辺固定部４２と、錘部を周辺固定部４２に可撓的に連結する梁部４４とを備えている。梁部４４と周辺固定部４２との境界線Ｐ１１を跨ぐ位置に、一方のピエゾ抵抗素子４５−１が設けられ、梁部４４と錘部との境界線を跨ぐ位置に、他方のピエゾ抵抗素子が設けられている。各ピエゾ抵抗素子４５−１の両端部には、接合部４６−１，４６−２がそれぞれ形成され、この接合部４６−１，４６−２と、この上層に複数個直列に配列されたコンタクトホール４７ａ内の配線４８とが、電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ＸＹＺの３軸の出力差を小さくして省電力化を図る。
【解決手段】ピエゾ抵抗型３軸加速度センサは、外枠部１１と、この外枠部１１内に配置された質量部１３と、この重量部１３を可撓的に支持する梁部材１４−１ａ，１４−１ｂ，１４−２ａ，１４−２ｂと、この梁部材１４−１ａ，１４−１ｂ，１４−２ａ，１４−２ｂ上に形成されたＸ、Ｙ、Ｚ軸用ピエゾ抵抗体１５−１ａ，１５−１ｂ〜１５−６ａ，１５−６ｂとを備えている。Ｚ軸用ピエゾ抵抗体１５−５ａ，１５−５ｂ，１５−６ａ，１５−６ｂの長さＬ２は、Ｘ軸用ピエゾ抵抗体１５−１ａ，１５−１ｂ，１５−２ａ，１５−２ｂ及びＹ軸用ピエゾ抵抗体１５−３ａ，１５−３ｂ，１５−４ａ，１５−４ｂの長さＬ１よりも長くして、感度を低下させている。 （もっと読む）

【課題】簡単な製造方法で耐衝撃性等を向上させる。
【解決手段】加速度センサは、錘固定部１３を可撓的に支持する周辺固定部１２と、錘固定部１３に固定された錘部２３と、この錘部２３をパッケージ底部６１等のセンサ搭載部から所定の間隔をおいて配置するために周辺固定部１２を前記センサ搭載部に固定する台座部２１と、前記センサ搭載部に対向する位置に配設され、錘部２３の変位を制限するストッパ部１５とを備えている。そして、ストッパ部１５上等に直接、硬化性の弾性接着剤（例えば、液体から弾性体に硬化するシリコン系ゴム５０等）をディスペンサ等を用いて一定量塗布している。これにより、ストッパ部１５に加わる衝撃力等を弾性接着剤により吸収及び抑制でき、ストッパ部１５を補強して耐衝撃性等の機械的強度を向上できる。 （もっと読む）

【課題】 耐衝撃性を向上させつつ、小型化・薄型化が可能な半導体加速度センサを提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体加速度センサは、半導体加速度センサチップと、半導体加速度センサチップを収容するケースとを備えている。半導体加速度センサチップは、固定部と、固定部の下面高さと略同一の下面高さを有しかつ固定部と所定の間隙を有して固定部の周囲を囲む枠状の錘部と、固定部と錘部とを接続しかつ固定部及び錘部の膜厚よりも薄い梁部と、を有している。ケースは、底面部に半導体加速度センサチップの固定部が固着された突起部を有している。 （もっと読む）

【課題】パラソルタイプの加速度センサに対し，耐衝撃性に優れた構造を提示する。
【解決手段】下端が基板に固定された支持部１０と，加わる加速度による歪みに対応して出力信号に変化を与える検出素子１３が形成され，前記支持部の上部に一端側が接続された可撓部１２と，前記可撓部の他端側に接続して，吊り下げられる錘部１１を備え，前記支持部の上部端面に形成されたパッドを介して前記検出素子の出力信号を導くように，前記パッドに接続された導電体リード５を通す窓を有するストッパ基板１５を有し，前記ストッパ基板により前記錘部のオーバースイングを制限する。 （もっと読む）

【課題】センサチップの厚み方向の加速度を検出するブリッジ回路のオフセット電圧の温度変動を抑制することができる加速度センサを提供する。
【解決手段】ブリッジ回路Ｂｚは、フレーム部１１近傍において配置されたゲージ抵抗であるピエゾ抵抗Ｒｚ２１〜Ｒｚ２４に関して、センサチップ１の厚み方向の加速度に起因した抵抗値の増減方向の同じゲージ抵抗が対辺上に存在するとともに、重り部１２のコア部１２ａ近傍において配置されたゲージ抵抗であるピエゾ抵抗Ｒｚ１１〜Ｒｚ１４に関して、上記厚み方向の加速度に起因した抵抗値の増減方向の同じゲージ抵抗が対辺上に存在し、且つ、各辺それぞれに、センサチップ１への熱応力に起因した抵抗値の増減方向の異なるゲージ抵抗が存在するように接続されている。 （もっと読む）

【課題】実用速度範囲内でタイヤに発生する任意の１方向又は検出加速度のベクトルが互いに一次独立な２方向以上若しくは検出加速度のベクトルが互いに直交する２方向以上の加速度を検出することができる加速度センサ装着タイヤを提供する。
【解決手段】センサユニット100はタイヤ内部に埋設されており、このセンサユニット内に設けられている加速度センサによってタイヤ300に発生する互いに直交する３方向の加速度を検出し、該検出した加速度を送信する。加速度センサはＭＥＭＳ（micro electro mechanical systems）型の加速度センサであり、半導体加速度センサによって構成されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体加速度センサの製造条件、大きさ、耐衝撃性を変更することなく、検知感度の優れた半導体加速度センサを提供すること。
【解決手段】 半導体基板よりなり、枠状をなすフレーム部１２と、フレーム部１２から内側に突設された弾性を有するビーム部１３と、ビーム部１３に支持されて揺動自在に変位する錘部１４と、ビーム部１３の表層に設けられて作用した加速度の大きさに応じた信号を出力するピエゾ抵抗素子１６と、を有するセンサ素子１と、センサ素子１の上方に設けられて錘部１４の変位を規制するストッパ１７と、を少なくとも備えた加速度センサ。錘部１４に、そのストッパ１７と相対する領域に、フレーム部１２の厚み方向に過大な加速度が作用した際にストッパ１７と当接して錘部１４の過剰変位を規制する金属からなる凸部１５を設けた。 （もっと読む）

【課題】 歪み抵抗素子と同等の熱影響を受ける位置であって応力の影響を受けない位置に温度補償用抵抗素子を設け、高精度な応力検出を行える多軸力センサ用チップと多軸力センサを提供する。
【解決手段】 多軸力センサ用チップは、外力作用領域部４Ａと非変形領域部４ｂを有する作用部４と、作用部を支持する支持部３と、作用部と支持部を連結する連結部５Ａ〜５Ｄとを備える半導体基板２と、連結部の変形発生部に設けられる歪み抵抗素子Ｓxa1〜Ｓxa3，Ｓya1〜Ｓya3，Ｓxb1〜Ｓxb3，Ｓyb1〜Ｓyb3と、作用部の非変形領域部上に設けられる温度補償用抵抗素子１１とを備えるように構成される。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ，Ｙ，Ｚ軸の出力差を減らすため、Ｚ軸の感度を下げてＸ，Ｙ軸の感度に合
わる方式では、感度を下げて使用することになり高感度化ができない。また、Ｘ，Ｙ，Ｚ
軸の出力差が大きいと、出力増幅率が異なる増幅器を各軸毎に準備する必要があるため高
価となる。
【解決手段】 ピエゾ抵抗素子が設けられた部位ｂの断面積、ピエゾ抵抗素子がない部位
ａの断面積の比ｂ／ａが１．１以上３．５未満、より好ましくは１．５以上２．５以下と
、可撓部のピエゾ抵抗素子がない部位の断面積を小さくすることで、Ｘ，Ｙ，Ｚ軸の感度
差を小さくすることができるとともに、耐衝撃性も確保できる。 （もっと読む）

【課題】 半導体加速度センサをパッケージに実装することなく温度特性を計測して製造工程を簡略化できる半導体加速度センサおよびその検査方法を提供すること。
【解決手段】 半導体基板よりなり、枠状をなすフレーム部１１と、フレーム部１１から内側に突設された弾性を有するビーム部１２と、ビーム部１２に支持されて揺動自在に変位する錘部１３と、ビーム部１２の表層に設けられて作用した加速度の大きさに応じた信号を出力するピエゾ抵抗１４と、を備えた半導体加速度センサ１。
ビーム部１４、あるいはビーム部１４と接続される位置のフレーム部１１及び錘部１３の少なくともどちらか一方にピエゾ抵抗１４を加熱するヒーター１５を設けてなる。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ抵抗素子を用いたセンサーにおいて、製造工程においてコストが高くなるという課題があった。
【解決手段】機械的に可動な可動子片に機械的変動を電気的変動に変換する素子と、くびれ部を有する錘部と、錘部を支える梁部と、錘部と梁部とが接する錘接続基部とを有する。その製造方法は、梁部と錘部との形成工程を融合し、３つの特性の異なるエッチング工程である、異方性の第２のエッチング工程と等方性の第３のエッチング工程と異方性の第４の異方性エッチング工程とを適切に用い、さらに材料の選択を行って、少ない工程で梁部と錘部を同時に形成でき、製造工程を簡略化できる。 （もっと読む）

【課題】 簡易な方式で微小な可動部を有する構造体を精度よく検査する微小構造体の検査装置および微小構造体の検査方法を提供する。
【解決手段】 電圧駆動部３０よりプローブ針Ｐを介して電圧をチップＴＰに印加して、微小構造体の可動部を動かす。微小構造体の可動部の動きに応答して発生する音をマイク３で検出する。そして、マイク３で検出した音を測定部２５で測定し、制御部２０で理想的なチップＴＰで検出される音との比較に基づいて検出チップＴＰの特性を評価する。 （もっと読む）