【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置１では、絶縁板１０ａの第１の主面に金属箔１０ｂが形成され、絶縁板１０ａの第２の主面に、少なくとも一つの金属箔１０ｃ，１０ｄが形成される。また、金属箔１０ｃ，１０ｄ上に少なくとも一つの半導体素子２０が接合され、半導体素子２０が配置された絶縁板１０ａの主面に対向するようにプリント基板３０が配置される。そして、プリント基板３０に設けられたスルーホール３０ｄに注入され、固定された複数のポスト電極３０ｅにより、プリント基板３０の第１の主面に形成された金属箔３０ｂと、金属箔３０ｂに対応するようにプリント基板３０の第２の主面に形成された金属箔３０ｃと、半導体素子２０の主電極とが電気的に接続される。これにより、高信頼性で、優れた動作特性を有し、且つ高い生産性を有する半導体装置１が実現する。 （もっと読む）

【課題】使用寿命が延長すると共に信頼性が向上し、試験装置等に適用することのできる接触通電装置を提供する。
【解決手段】載置台１１ａに被試験デバイス１３が載置され、炭素材で構成されたコンタクト部１２ｇが、載置台１１ａに対向配置され、載置台１１ａ上の被試験デバイス１３の、電極端子１３ｅが配置された表面を圧接し、電極端子１３ｅと通電して被試験デバイス１３の電気特性が試験される。コンタクト部１２ｇは、繰り返し試験されてもスパーク、溶融等による損傷が抑制されるため、使用寿命が延長し、被試験デバイス１３の商品価値の劣化を防止できる。 （もっと読む）

【課題】高温・低温処理の変換処理の効率性を向上させることのできる金属配管及びその金属配管を用いてなる半導体製造ラインを得る。
【構成】金属配管１は、本体部２が可及的に薄肉厚とされてなるので極めて軽量で熱容量が小さく、熱し易く冷めやすい配管となる。したがって金属配管１に高温媒体を通じて高温処理を行った後に低温媒体を通じて低温処理を行う場合に、高温から低温、若しくは低温から高温への変換効率が極めて良好となり、生産効率を向上することができる。同時に、金属配管１自体が軽量になるため、金属配管１の固定・支持に必要なサポート部材の数量を低減することができ、サポート部材を固定する部分の強度も大幅に低減することができる。 （もっと読む）

【課題】汎用性が高く、低コストな断熱二重管を得る。
【構成】断熱二重管１の内管３の流路４内側を高温流体が通過すると内管３が加熱されて熱膨張する。しかし斯かる熱膨張は熱膨張吸収ベローズ６によって吸収されて、その限りにおいて外管２と内管３との間に熱伸び差が生じることはない。また同時に内管３から外管２への熱伝達経路では断熱ベローズ９が内管３よりもはるかに薄肉にされ、かつ伝熱路を長くする蛇腹状にされて、極めて熱容量が低く、かつ伝熱の阻害性が高いことから、内管３の流路４内側を高温流体が通過して内管３が加熱されても、断熱ベローズ９において熱抵抗が上昇する結果として、外管２に熱膨張に起因する変形が生じる程度までの熱伝達は生じることはない。 （もっと読む）

【課題】配管を差込むだけで接続可能で、全体としてコンパクトに構成できる管継手機構、管継手、管継手を用いた管の接続方法及び配管構造を提供する。
【構成】ストッパ１０の突出縁部１０ｂ位置が接続構造部２２内側面に形成された抜け止め溝２３の位置に到達すると、ストッパ１０は拡径し、その突出縁部１０ｂは接続構造部２２の内外側間を貫通しない非貫通孔として形成された抜け止め溝２３に嵌合する。その際、例えば「カチッ」等の音として聞くことができる撥音及び手応えが生じ、ストッパ１０の突出縁部１０ｂが抜け止め溝２３に嵌合したことが認識される。それと同時に被接続管の先端部外側面が管継手２０の中央部２０ａ内側面に当接し、かつ第二の環状部１３の先端方向側側壁に密着するように装着されたＯリング１１及び第二の環状部１３の外側面が接続構造部２２から連続する管継手２０の気密構造部２１内側面に密接する。 （もっと読む）

【課題】逆耐圧の低下を防ぐこと。スループットの向上を図ること。
【解決手段】活性領域１００の周囲に耐圧構造部１１０が設けられ、その周囲に分離構造部１２０が設けられた半導体装置において、半導体基板１の活性領域１００の第１主面に表面素子構造を形成した後に、分離構造部１２０の第２主面側からトレンチ２３を形成する。そして、トレンチ２３の側壁にｐ⁺分離領域２４を形成する。ｐ⁺分離領域２４は、分離構造部１２０において、第１主面の表面に形成されたｐ型チャネルストッパー領域２１および第２主面の表面層に形成されたｐ型コレクタ層９に接するようにする。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュールのヒートサイクル耐量、パワーサイクル耐量を向上させる。
【解決手段】ＩＧＢＴ１０のエミッタ電極が形成されている面側に、セラミックス材の支持体３１に設けた複数の貫通孔３１ａに銅ポスト３２を形成した電極用部材３０を半田接合する。電極に複数の銅ポスト３２を半田接合することにより、ＩＧＢＴ１０に発生する熱が電極用部材３０へと移動して放熱されるとともに、ＩＧＢＴ１０の構成材料と銅との間に熱膨張率差があっても、半田接合界面に加わる応力を低減して歪を小さく抑え、クラックの発生を減少させることが可能になる。それにより、パワーモジュールのヒートサイクル耐量、パワーサイクル耐量を向上させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度の均一化を効率的に達成できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】電極３８の主面に配設された誘電体９０は、処理容器内に配置される基板と同心状になるように前記電極３８の中心に形成され、前記基板の口径の１／１０以上の第１の直径および第１一定厚さを有する平坦な第１部分と、前記第１部分よりも外側に形成され且つ前記第１の直径よりも大きい第２の直径および前記第１一定厚さよりも小さい第２一定厚さを有する平坦な第２の部分とを含み、前記被処理基板に対する均一な処理を得るための理想的な膜厚プロファイルに擬した膜厚プロファイルを有する。 （もっと読む）

【課題】 より高速かつ高精度に厚膜印刷を行うことが可能な画像形成装置を提供する。
【解決手段】 画像形成装置１は、微粒子１００を供給する供給装置１０と、微粒子１００を帯電させて出射するとともに、飛翔する微粒子１００の流れを集束、偏向した後、作像対象物４０の表面に着弾付着させて厚膜画像を形成する作像装置２０と、作像対象物４０に形成された厚膜画像を定着させる定着装置３０とを備えている。作像装置２０は、微粒子１００を帯電させるブレード２００と、対となって帯電された微粒子１００を出射する供給電極２１０及びアノード電極２３０と、微粒子１００の出射を許可又は禁止するサプレッサー電極２２０と、出射された微粒子１００の流れを電界によって集束させるフォーカス電極２４０と、集束された微粒子１００の流れの向きを偏向する偏向電極２５０と、微粒子１００を作像対象物４０に着弾付着させるターゲット電極２６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 位置決めマークに不具合が起きにくく、万が一不具合が起きたとしても、位置決めマーク自体認識をすることができる位置決めマークを提供する。
【解決手段】 位置決めマーク４６を分割したドット４６ａで構成する。位置決めマーク４６内に、レジスト５０が埋まり難くなる。また、例え、２個のドット４６ａがレジスト５０により埋まっても、残りのドット４６ａから水平線Ｘ、垂直線Ｙを算出し、この交点から位置決めマーク４６の中心Ｃを正確に求めることができる。 （もっと読む）