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Fターム[4M113AC01]の内容

Fターム[4M113AC01]の下位に属するFターム

Fターム[4M113AC01]に分類される特許

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【課題】鉄ヒ素系超伝導体における固有ジョセフソン接合効果の発現を可能とする固有ジョセフソン接合素子を提供する。
【解決手段】超伝導層2及び絶縁層3がc軸方向に積層された結晶構造を有する鉄ヒ素系超伝導体の単結晶からなり、c軸方向に直交するab面に沿った任意の方向に離間して配置される第一電極部10及び第二電極部20と、これら第一電極部10と第二電極部20とを接続するブリッジ部30とから固有ジョセフソン接合素子1を構成する。ブリッジ部30には、第一スリット31と第二スリット32とによってc軸方向に直交するab面に沿った方向両側から挟まれたジョセフソン電流流通部33を形成する。 (もっと読む)


【課題】CF4を用いて、基板をエッチングして懸架型素子を形成した場合、トンネル接合及び島電極が悪影響を受け、十分な電荷分解能等が得られないと言う欠点があった。
【解決手段】基板上に、アッシングより除去できるレジストによって形成されたレジスト台部を設け、レジスト台部上に、トンネル接合及び島電極等の素子部を形成する。素子部をレジスト台部上に形成した後、レジスト台部をアッシングにより除去し、基板をCF4等によりエッチングすることなく、懸架型素子を構成することができる。 (もっと読む)


【課題】この発明は,超伝導体を磁化するための方法と装置に関する,特にフラックス・ポンプと新しい型の磁化された超伝導体に関する。
【解決手段】
超伝導体の磁化を変化させる方法であり,その方法は,前記超伝導体の表面の上を移動する変動磁束の波を発生させるための磁界を自動制御することを含む。 (もっと読む)


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