【課題】 画面周辺部で発生するシェーディングを補正すること。
【解決手段】 光を電荷に変換する受光素子と、受光素子上に形成された色フィルタと、受光素子上に形成された少なくともひとつ以上のマイクロレンズとから構成される画素が複数配置された画素領域を備えた撮像素子において、前記色フィルタの膜厚を、前記画素領域の中心部から周辺部に向かって徐々に変化させ、さらに、前記マイクロレンズを、色フィルタの厚みに応じたずらし量で配置し、シェーディングを補正することを特徴とする撮像素子。 （もっと読む）

【課題】感度差の低減に有利な技術を提供する。
【解決手段】複数の画素ユニットを有する固体撮像装置において、各画素ユニットは、複数の画素と、前記複数の画素によって共用される電荷電圧変換部とを含み、各画素は、半導体基板に形成された光電変換素子を含む。前記固体撮像装置は、複数の配線層と、層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の屈折率よりも高い屈折率を有する材料を前記層間絶縁膜における各光電変換素子の上方に埋め込んで構成された光導波路とを含む構造部を前記半導体基板の上に有し、各画素ユニットの前記複数の画素は、第１画素と第２画素とを含み、前記第１画素の前記光電変換素子の上方に配置された前記光導波路の周辺の構造と前記第２画素の前記光電変換素子の上方に配置された前記光導波路の周辺の構造との相違による前記第１画素の感度と前記第２画素の感度との差を低減するようにダミーパターンが前記構造部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】焦点検出の精度、画質などを損なわずに、低コストで自由度の高い撮像素子を提供することができるようにする。
【解決手段】フォトダイオードおよび画素内トランジスタを含んで構成される画素であって、金属製の遮光膜を有する複数の第１の画素と、フォトダイオードおよび画素内トランジスタを含んで構成される画素であって、前記遮光膜を有しない複数の第２の画素とを備え、前記第１の画素および前記第２の画素に含まれるフォトダイオードの周囲が金属製の枠により覆われている。 （もっと読む）

【課題】感度の向上と感度のばらつきの低減のために有利な技術を提供する。
【解決手段】複数の光電変換部を有する半導体層と、前記半導体層の第１面の側に配置された配線構造とを有し、前記半導体層の第２面の側から光が入射する固体撮像装置において、前記配線構造は、前記第２面から前記第１面に向かって前記半導体層を透過した光を前記半導体層に向けて反射する反射面を有する反射部と、前記反射面と前記第１面との間に位置する絶縁膜と、を含み、前記固体撮像装置は、前記第１面に接触して配置された第１の誘電体膜と、前記絶縁膜と前記第１の誘電体膜との間に配置された、前記第１の誘電体膜および前記絶縁膜とは屈折率の異なる第２の誘電体膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】複数のフォトダイオード間の例えば感度等の特性のばらつきを抑制することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置を、複数の光電変換部と、フローティングディフュージョン部と、複数の転送部と、第１トランジスタ群と、第２トランジスタ群とを備える構成にする。さらに、第１トランジスタ群は、第１のレイアウト構成で配置されたゲート及びソース／ドレインを有する。そして、第２トランジスタ群を、第１のレイアウト構成と対称的な第２レイアウト構成で配置されたゲート及びソース／ドレインを有する構成にする。 （もっと読む）

【課題】フレームレートに応じた出力ビット数でAD変換を行う。
【解決手段】物理量を検知する画素が行列状に２次元に配置されてなる画素アレイ部と、画素アレイ部から読み出したアナログの画素信号に対してAD（Analog to Digital）変換を行うAD変換部と、レジスタに記憶されているレジスタ値に基づいて、AD変換部を制御する制御部とを備える固体撮像装置において、制御部は、画素信号を処理するためのクロック周波数に応じて、レジスタ値のうちの、AD変換の出力ビット数を設定するための出力ビット情報を設定する。本技術は、CMOSイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】一般的なＣＭＯＳ製造プロセスを適用した場合においても、イメージセンサ特性の劣化を生じさせず、また、製造プロセス上の制約を受けることなく、フォトダイオード上に形成された反射防止膜の膜厚を最適化できる構造を有する固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子は、シリコン基板１０における上部に形成された光電変換を行うフォトダイオード１１と、シリコン基板１０上に、フォトダイオード１１を覆うように形成されたシリコン酸化膜１７と、シリコン酸化膜１７の上に形成されたシリコン窒化膜１８とを備える。シリコン窒化膜１８は、フォトダイオード１１の全部又は一部の上において、シリコン窒化膜１８における少なくとも端部の膜厚よりも薄い膜厚部分を有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、固体撮像装置とその製造方法、およびこの固体撮像装置を備えた撮像モジュールに関する。
【解決手段】撮像エリアに複数の画素が二次元配列されてなる固体撮像装置であって、画素毎に光電変換部が形成された半導体基板と、半導体基板上に形成され、光電変換部上の領域毎に凹部を有する第１屈折率膜と、第１屈折率膜の凹部に一部が埋め込まれた、第１屈折率よりも高い屈折率を有する第２屈折率膜とを備え、複数の画素には、撮像エリアの中央領域にある第１の画素と、撮像エリアの周辺領域にある第２の画素とが含まれ、第２の画素における第２屈折率膜の上面は、第１の画素側の端部が、第１の画素側とは反対側の端部よりも低くなるように傾斜していることを特徴とする固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】 本発明によれば、高い精度で半導体装置を製造することができる。特に画質の高い固体撮像装置を提供及び製造することが可能となる。
【解決手段】 半導体基板１０１の撮像領域１０３及び周辺領域１０４に第１導波路部材１１８と、第１導波路部材１１８を貫通するビアプラグとを有する。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの出力特性のばらつきを抑制しつつ、検出精度の低下が防がれた高性能なフォトダイオードを形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】所定のゲート金属を用いて、フォトダイオード用の第１の半導体層３０ａのうち、真性半導体領域となる部分を覆うシールド部３４ａをゲート絶縁膜２９上に形成するとともに、薄膜トランジスタ用の第２〜第５の各半導体層３０ｂ〜３０ｅのうち、チャネル領域となる部分を覆う第１〜第４のゲート電極３４ｂ〜３４ｅをゲート絶縁膜２９上に形成する。その後、シールド部３４ａをマスクとして用いて、第１の半導体層３０ａにｎ型領域及びｐ型領域を形成した後、当該シールド部３４ａを除去する。 （もっと読む）

【課題】ストリーキングやシェーディングといった画像不良を発生させない固体撮像装置、カメラ及び固体撮像装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１００は、入射光量に応じたアナログの画素信号を生成する複数の画素部２がアレイ状に配列された画素アレイ領域３と、画素信号と参照信号とを比較する比較部１４ｂと、比較処理の開始時刻から画素信号が参照信号よりも大きくなる時刻までの時間をカウントするカウンタ部１５とを備え、比較部１４ｂは、画素信号が入力される第１トランジスタ３０３と、参照信号が入力される第２トランジスタ３０２とが差動対を構成するよう接続された差動部１４２と、差動部１４２の出力信号を増幅する増幅部１４３と、増幅部１４３の定電流源トランジスタ３１１に流れる電流を一定に保つためのクリップ部１４４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】周辺回路の発熱の影響を防止し、良好なＳＮ比を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】表面と裏面とを有するシリコン基板３０１の表面に、複数の検出器８０２からなる検出器アレイ８０１と、検出器から読み出した電気信号を増幅する出力アンプと５０８、クロック信号を増幅するクロックドライバ５０６とを含む固体撮像装置３００において、検出器アレイ８０１と、出力アンプ５０８およびクロックドライバ５０６との間のシリコン基板３０１に、該シリコン基板３０１の熱伝導を妨げるように空隙５０５が設けられる。検出器は、ＣＣＤまたはＣＭＯＳから形成される。 （もっと読む）

【課題】カメラの光学レンズからの入射光がより広い入射角度範囲であっても撮像領域にわたり高感度が維持され、感度ムラが低減された固体撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像領域に行列状に配置された複数の単位画素１１を有する固体撮像装置であって、単位画素１１は、撮像領域の面方向に互いに異なる実効屈折率分布を有する、単位画素１１内の境界線５０において互いに接する集光素子１０１Ａと集光素子１０１Ｂとを有する集光部１０１と、集光部１０１で集光された入射光を受光する受光部１０４とを備え、集光部１０１は、受光部１０４に対して、撮像領域の中心方向へシフトして配置される。 （もっと読む）

【課題】撮像画像品質を向上させることが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板６上方に二次元状に配列された複数の画素電極２１と、画素電極２１の上層に形成された抵抗が１００ｋΩ／□以下の透明導電性酸化物で構成される対向電極２３と、画素電極２１と対向電極２３との間に形成された有機材料を含む光電変換層を含む受光層２２と、対向電極２３に印加するバイアス電圧を供給する電圧供給線４と対向電極２３との電気的接続を行う接続部３とを備え、平面視において画素電極２１が配列された略矩形の領域を画素領域２とし、画素領域２のサイズは５インチ以下であり、接続部３は、画素領域２より外側の周辺領域のうち、画素領域２の４辺のうちの少なくとも１辺の近傍で当該１辺に沿った領域、又は、画素領域２の４つの角のうちの少なくとも２つの角の近傍領域に形成され、対向電極２３は接続部３上にまで伸びて形成されている。 （もっと読む）

【課題】生産性、組成均一性を向上させることができ、かつ低温アニール時に低抵抗化が起こらず、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適した酸化物半導体薄膜を得る。
【解決手段】In、GaおよびOを主たる構成元素とする酸化物半導体薄膜であって、In,Gaの組成比が3/4≦Ga/(In+Ga)≦9/10であり、かつ、抵抗率が1Ωcm以上、1×10⁶Ωcm以下を満たすものとする。 （もっと読む）

【課題】300℃以上の高温での熱処理することなく、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適したIGZO系酸化物薄膜を製造する。
【解決手段】In,Ga,Zn,Oを主たる構成元素とし、組成比が11/20≦Ga/(In+Ga+Zn)≦9/10、且つ3/4≦Ga/(In+Ga)≦9/10、且つZn/(In+Ga+Zn)≦1/3を満たす酸化物半導体薄膜をスパッタリング法により、アルアゴンガス雰囲気下で酸素ガスを導入することなく成膜し、成膜された酸化物半導体薄膜に対して、酸化性雰囲気中で100℃以上、300℃未満の熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】IGZO系酸化物半導体薄膜において、膜中水分量を低減可能な組成を明らかにし、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適した酸化物半導体薄膜を得る。
【解決手段】In、Ga、ZnおよびOを主たる構成元素とする酸化物半導体薄膜において、In,Ga,Znの組成比をZn/(In+Ga+Zn)≦1/3、Ga/(In+Ga+Zn)≦9/11、4/5≦Ga/(In+Ga)≦1、且つIn/(In+Zn)≦1/2を満たすものとする。 （もっと読む）

【課題】額縁状の感度ムラや色ムラのない良好な画質の固体撮像素子を実現する。
【解決手段】本発明に係る固体撮像素子１は、入射した光を光電変換して信号電荷を生成する有効画素領域Ａと、有効画素領域の周囲に配置されたオプティカルブラック領域Ｂとから構成される画素領域を有する。固体撮像素子１は、オプティカルブラック領域Ｂを遮光する金属遮光膜６を備え、金属遮光膜６は、少なくとも有効画素領域Ａとオプティカルブラック領域Ｂとの境界に隣接する部分に、当該境界からオプティカルブラック領域Ｂの外周に向かって徐々に厚みが増すように傾斜した傾斜面６ａを有する。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の面積が異なる画素を含む固体撮像装置において、画素間の感度のばらつきを低減する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光電変換素子をそれぞれ有する複数の画素と、光電変換素子を覆う遮光層とを備える固体撮像装置が提供される。遮光層は、複数の画素のそれぞれの光電変換素子に対して、当該光電変換素子への入射光の一部分を遮るための遮光部と、入射光の残り部分を通すための開口部とを有し、複数の画素は、光電変換素子の平面視における面積が異なる少なくとも２種類の画素を含み、光電変換素子の平面視における面積の大きい画素ほど遮光部の面積が大きい。 （もっと読む）

【課題】受光素子面内の感度が均一に得られる固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】撮像用照射光１０を受ける側の半導体基板１の表面近傍に設けた光電変換素子からなる複数の受光素子２上の撮像用照射光側に、平面視で受光素子を囲むように配線層３を有し、受光素子と配線層とを被覆する絶縁層４１が凹部を構成し、前記凹部を被覆および充填して平坦面を形成した平坦化層５１を有する固体撮像素子において、絶縁層と平坦化層との屈折率を近似させたことを特徴とする。 （もっと読む）