【課題】従来のものよりも開口率を高めて感度を向上させることができ、しかも小型軽量化及び構造の簡易化を図ることができる撮像装置を提供すること。
【解決手段】撮像装置３０は、被写体光を受光する受光部１０と、受光部１０に交流電圧を印加する交流電圧印加回路３１と、受光部１０の電流値を測定する電流値測定回路３２と、電流値測定回路３２が測定した電流値に基づいて信号電流を演算する信号電流演算回路３３と、光の３原色の色画像信号を生成するプロセスアンプ３４とを備え、受光部１０は、光の３原色光をそれぞれ吸収する複数の材料を含む感光膜を備え、複数の材料は、所定周波数において互いに異なるインピーダンス値をそれぞれ有し、複数の材料のインピーダンス周波数特性を利用して、光の３原色光の信号を受光部１０から取り出す構成とした。 （もっと読む）

【課題】基板上に一次元または二次元に配列された複数の各画素領域に、それぞれ光電変換部を有して成る固体撮像素子において、短波長から長波長まで、充分な感度を得ることができるようにする。
【解決手段】前記光電変換部となるフォトダイオード４の基板深部にキャリア排出領域５を設け、前記各画素領域を複数のグループに分割し、そのグループ間で、キャリア排出領域５に異なるバイアス電圧を印加することで、エネルギーポテンシャル、したがって電子を排出する深さを変化させ、分光特性を異ならせる。これによって、カラーイメージセンサに用いる場合には、カラーフィルタなどを用いることなく、１回の撮像でフルカラー撮像を可能にでき、分光分析装置に用いる場合には、１回の露光で参照光と蛍光とを区別する分光分析を可能にでき、しかも短波長から長波長まで、充分な感度を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の表裏に素子構造を作りこむような半導体素子の製造時に、表裏の素子構造の位置合わせを簡単な構成で高精度に行うことが可能な半導体基板を提供する。
【解決手段】シリコン層１と、シリコン層１上に形成されたＳｉＯ_２層２と、ＳｉＯ_２層２上に形成されたシリコン層３とを有する半導体基板であって、シリコン層３においてシリコン層３の上面からシリコン層１に向かって形成された多数の凹部を備え、前記多数の凹部は、半導体基板に作りこむ素子の形成位置を決めるための合わせマークを形成すべき位置に形成されており、シリコン層１の上面の前記凹部に対応する位置から内側に向かって形成され、シリコン層１のエッチング時にエッチングされるのを防ぐことが可能な材質からなるエッチング防止層４’を備え、エッチング防止層４’と凹部とを合わせマークとして利用することができる。 （もっと読む）

【課題】グローバルシャッタ機能を有するＭＯＳセンサにおいて、増幅トランジスタ等を複数画素で共有する技術を適用し、高画素化時にフォトダイオード面積を確保できる画素レイアウトパターンを提供する。
【解決手段】画素領域は、フォトダイオードと第１の転送トランジスタと電荷蓄積部と第２の転送トランジスタとをそれぞれ有するＮ個の画素と、隣合う２つの画素で共有されるＮ／２個のフローティングディフュージョン部と、１列に隣合う少なくとも２つのフローティングディフュージョン部で共有されるＮ／４個以下の増幅トランジスタ及びＮ／４個以下のリセットトランジスタとを含む。 （もっと読む）

【課題】撮像素子に印加される駆動パルスが原因となるノイズの混入を防止するとともに、撮像素子からの読み出し時間を短縮させること。
【解決手段】撮像素子１０５は、行方向及び列方向に配列された複数の光電変換手段２と、、複数の光電変換手段２のｎ−１行目（ただし、ｎは２以上の整数）から読み出した信号を記憶する転送容量１４、１５と、複数の光電変換手段２のｎ行目から読み出した信号を記憶するる転送容量１６、１７と、を有する。撮像装置は、システム制御ＣＰＵ１１１を備える。システム制御ＣＰＵ１１１は、転送容量１４、１５に記憶されたｎ−１行目の１行分の信号を転送容量１４、１５から読み出す期間に、ｎ行目の光電変換手段２の信号を転送容量１６、１７に読み出し、かつ、前記撮像素子１０５内の駆動パルスの少なくとも１つが変化する時に、転送容量１４、１５に記憶されたｎ−１行目の１行分の信号の出力を一時的に停止させるように制御する。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】イメージセンサ製造方法は、単位画素を含む半導体基板１０上に金属配線層を形成するステップと、前記金属配線層上にカラーフィルタ４０を形成するステップと、前記カラーフィルタ４０上にシードマイクロレンズ６１を形成するステップと、前記シードマイクロレンズ６１の表面を洗浄するステップと、前記シードマイクロレンズ６１上に無機物薄膜８０を蒸着して、ギャップレスのマイクロレンズ１００を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】小型化かつ低価格化が可能でかつ超高速な２次元デジタルデータ取得素子を得ることを可能にする。
【解決手段】それぞれが符号化された１つのデータからなる複数の単位データ領域を有する２次元デジタル画像情報が記録された光情報記録媒体に光を照射し前記光情報記録媒体からの再生光に基づいて、前記２次元デジタル画像情報の再生された２次元デジタルデータを取得する２次元デジタルデータ取得素子において、前記２次元デジタル画像情報の前記単位データ領域のピッチＰ１と前記画素領域の前記画素のピッチＰ２とのピッチ比ＮをＮ＝Ｐ１／Ｐ２により定義し、前記２次元デジタルデータの１バイトの１次元方向のデジタルデータ数をＡ、２以上の自然数をｎとしたとき、前記ピッチ比Ｎが Ａ・ｎ^２／（Ａ・ｎ＋１）＜Ｎ＜Ａ・ｎ^２／（Ａ・ｎ−１）を満たす。 （もっと読む）

【課題】動画撮影モードと静止画撮影モードとにおいてクロックレートを変更することなく動画撮影モードにおける消費電力を抑制する。
【解決手段】動画および静止画を撮影可能な固体撮像装置が開示される。固体撮像装置は、画素アレイから信号を読み出す第１読み出し回路１２０と、第１読み出し回路１２０によって読み出された信号を保持する信号保持部１０７と、信号保持部１０７に保持された信号を読み出す第２読み出し回路１３０とを備える。固体撮像装置は、更に、第１読み出し回路１２０が信号を読み出している時に第１読み出し回路１２０の少なくとも一部を流れる電流を制御する電流制御部１１２を備える。電流制御部１１２は、動画撮影モードにおいて第１読み出し回路１２０の前記少なくとも一部を流れる電流を静止画撮影モードにおいて第１読み出し回路１２０の前記少なくとも一部を流れる電流よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】各感光画素毎の蓄積時間の同時性を確保すると共に、信号電荷の加算機能を向上させ、さらにこれらの機能の向上を低ノイズで、かつ、小さな回路面積で実現する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板と、前記半導体基板上の入射光を信号電荷に変換する感光画素と、変換された信号電荷を出力信号に変換する電荷検出部とを備える固体撮像装置において、前記感光画素と前記電荷検出部との間に設けられ、前記信号電荷を一時的に蓄積すると共に順次パルスの印加により蓄積した信号電荷を前記電荷検出部に転送する電荷転送部を備える。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で特性ばらつきが抑えられた有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上にゲート電極を設ける工程と、前記ゲート電極の上に絶縁層を設ける工程と、前記絶縁層の上にソース電極及びドレイン電極を設ける工程と、前記ソース電極と前記ドレイン電極を結合してチャネルを形成する有機半導体層を設ける工程と、を含む基本有機薄膜トランジスタを形成する基本有機薄膜トランジスタ形成工程と、前記基本有機薄膜トランジスタの前記ゲート電極に所定の電圧を印加するゲート電圧印加工程と、前記ドレイン電極又は前記ソース電極の何れかを流れる電流の大きさを測定する電流測定工程と、前記電流が所定の値を超える場合、前記電流が所定の値となるように前記チャネルを形成する前記有機半導体層の一部を除去する有機半導体層除去工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】隣接したフォトダイオードへのクロストークを低減することで良好な画像を実現し、且つ、高感度を実現できるＭＯＳ型固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、入射光を光電変換するフォトダイオードと、前記フォトダイオードから信号電荷を読み出す読出し回路部と、前記フォトダイオードと隣接するフォトダイオードとの間に入社する光を分離する遮光障壁と、を有する画素を行列状に配置してなる固体撮像装置において、前期読出し回路部の配線の領域に遮光障壁を有する。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器を高い電子輸送性を維持したまま、正孔輸送性を大きく向上することができるものとする。
【解決手段】記録用光導電層の両側に電極が設けられ、該電極間に所定のバイアス電圧を印加した状態で、放射線の照射を受けることにより前記記録用光導電層内部に発生した電荷を電気信号として検出する放射線検出器において、記録用光導電層に１．９５±０．０２の配位数を有するアモルファスセレンを用いる。 （もっと読む）

【課題】レンズ間領域を縮小化し、かつ隣接画素への入射光の入り込みを防止して、混色の防止を可能にする。
【解決手段】入射光を光電変換して電気信号を出力する複数のセンサ部１２のそれぞれに該入射光を集光する集光レンズ５１を備えた固体撮像装置１であって、前記集光レンズ５１は光路方向に略角柱状で光入射側が凸レンズ形状を成し、前記集光レンズ５１と、前記集光レンズ５１に隣接する集光レンズ５１との間に溝５３が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子において、多層配線構造を持ちながら、簡便な方法でレンズ−基板間距離を短くして、光学特性を向上させる。
【解決手段】固体撮像素子２０は、画素部Ａの層間絶縁膜５，７および９が一様に掘り込まれており、掘り込み部Ｔの底面が到達する配線層６および８は画素部Ａに配線パターンが設けられず、画素部Ａの周辺回路部Ｂの画素部側にセルフアライン用配線パターンが配置されている。その配線パターンは、配線層の下層から上層に向けて順に、画素部Ａ側の端部が画素部Ａから離れるように形成されている。層間絶縁膜５，７および９の掘り込み端は、セルフアライン掘り込みにより配線パターンによる階段状の段差が形成されている。その層間絶縁膜掘り込み部Ｔにマイクロレンズ１３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】単位画素群の領域内におけるレイアウトの対称性を高めた光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換装置は、複数の光電変換素子と、増幅トランジスタと、複数の転送トランジスタとをそれぞれ含む複数の単位画素群がウェルに配列されて構成される。光電変換装置は、ウェルに電圧を供給するためのウェル電圧供給線５７と、ウェル電圧供給線５７とウェル（ウェルコンタクト領域４８）とを接続するウェルコンタクト部５６と、複数の転送トランジスタを制御するための複数の転送制御信号線３０ａ〜３０ｄとを含む。各単位画素群の領域内において、複数の転送制御信号線３０ａ〜３０ｄがウェル電圧供給線５７を基準として対称に配置されている。 （もっと読む）

【課題】垂直転送パルスの供給源から垂直転送パルスの供給先までの各配線の抵抗値及び容量値の均一化を図り、コンプリメンタリー転送方式を採用した場合に、充分にクロストークノイズを除去することができるＣＣＤ型固体撮像装置を提供する。
【解決手段】垂直転送部に垂直転送パルス供給する垂直転送パルス供給回路が、第１のアルミニウム配線７、タングステン配線８及び第２のアルミニウム配線９を備え、タングステン配線の幅及び長さが同一に構成され、スリットによって分割されたタングステン配線の第１の領域１１の長さに対する幅の比を同一に構成されている。 （もっと読む）

【課題】光電変換特性が良好でかつ画像の面内ムラを生じない光電変換パネルを、大掛かりな装置を使用することなく効率良く製造する。
【解決手段】真空蒸着法によって基板上に光電変換層を形成する光電変換パネルの製造方法において、光電変換層を基板上に形成する際に、基板の光電変換層形成面とは反対側の面に、熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上であって、かつ硬度が５以上９０以下の熱伝導性シートを介して温調プレートを接触させ、基板を均一に加熱するようにした。 （もっと読む）

【課題】微細化に際しても特性のばらつきを抑え、低コストで高感度な固体撮像素子を得る。
【解決手段】電荷転送電極となる導電性材料膜上に第１絶縁膜を形成し、電荷転送部５およびフォトダイオード部４となる各領域を同時に開口した第１マスク層を形成する。この第１マスク層をマスクとして選択的にイオン注入を行って、電荷転送部５とフォトダイオード部４とを形成する。さらに、第１マスク層の側壁に第２絶縁膜からなる第２マスク層を形成し、この第１マスク層および第２マスク層をマスクとして導電性材料膜をエッチングして、電荷転送電極８を形成する。これによって、フォトダイオード部４と電荷転送電極８との位置関係だけではなく、垂直電荷転送部５と、電荷転送電極４またはフォトダイオード部との位置関係を正確に形成できる。 （もっと読む）

【課題】降温レートを制御することによって、シリコン基板のシリコンダングリングボンドに水素をより効率的に捕獲させてより暗電流を低減する。
【解決手段】 シリコン基板１のシリコンダングリングボンドに水素を吸着させる熱処理工程を含み、水素雰囲気中で温度４００℃以上５００℃以下の熱処理後、同じ水素雰囲気中で２００℃以上３００℃以下まで降温させるとき、摂氏２０度以上摂氏３００度以下までの降温レートが摂氏０.５度／ｍｉｎ以上摂氏２度／ｍｉｎ以下に設定されている。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子が占める面積の割合を高く維持し、製造歩留まりの向上が可能な光検出器および放射線検出装置を提供すること。
【解決手段】回路基板上に複数の放射線受線モジュールを有し、かかる放射線受線モジュールは、二次元シンチレータアレイ５４と、光電変換器とを有する。光電変換器は、基板５１と、基板５１上面に形成された溝部５２に埋め込まれたフォトダイオードアレイ５３とを備え、二次元シンチレータアレイ５４は、フォトダイオードアレイ５３が備えるフォトダイオード素子５５に対応して配置されたシンチレータ素子５９と、シンチレータ素子５９間に配置されたセパレータ６０とを備える。かかる構造を有することによって製造歩留まりを向上し、基板５１の上面において光電変換素子たるフォトダイオード素子５５の占有面積を向上させている。
【選択図】 図１６
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