【課題】バンドギャップを利用した撮像装置において、結晶性の問題を解消する。
【解決手段】化合物半導体である混晶系の組成比を変えることでバンドギャップを制御する。たとえばＡｌＧａＩｎＰ系混晶やＳｉＧｅＣ系混晶やＺｎＣｄＳｅ系混晶やＡｌＧａＩｎＮ系混晶にすることで格子不整Δａの絶対値を小さくする。Ｓｉの格子定数より大きいＧｅをＳｉＣに混ぜるなどによって、格子不整の絶対値を小さくし、結晶性を高くする。また、ＳｉとＳｉＣまたはＳｉＧｅＣ系層の界面に、厚み１０ｎｍ程度以下の超格子層を１層以上入れることで、結晶性をさらに高くする。 （もっと読む）

【課題】 固体撮像素子と半導体記憶素子とを別チップで管理する煩雑さを容易に解消することができると共に、固体撮像素子と対で用いられる結像手段に関する特性情報の管理の煩雑さを解消することのできる半導体装置及び撮影装置を得る。
【解決手段】 撮像によって被写体像を示す画像信号を取得するＣＣＤ２４と、ＣＣＤ２４に関する所定特性を示す情報とＣＣＤ２４の撮像位置に被写体像を結像するレンズに関する所定特性を示す情報を記憶するためのメモリ２５を連結部材６０で各々別チップの状態で一体化する。 （もっと読む）

【課題】 多画素及び小型化に適し、色むらの発生を防止することができ、また、暗電流の増加も防止できる固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる固体撮像素子の製造方法は、基板上に熱硬化性のカラーフィルタ材を塗布して熱硬化した後、レジストパターンを形成し、エッチングによってカラーフィルタ層を形成し、フィルタ側構造体を形成する工程と、半導体基板上に、光電変換部と、光電変換部で生じる電荷を転送する電荷転送電極とを形成してデバイス側構造体を形成する工程と、フィルタ側構造体をデバイス側構造体に貼り合せる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＣＭＯＳ型イメージセンサにおいて、レンズ特性が近軸光線近似から逸脱したカメラレンズの使用に対しても、シェーディング特性を改善できるようにする。
【解決手段】たとえば、半導体基板１１の表面部のイメージエリア１１ａには、複数のフォトダイオード１３が二次元状に配置されている。複数のフォトダイオード１３は、それぞれ、同一の配列ピッチを有して配置されている。各フォトダイオード１３上には、透光膜１５を介して、集光性のマイクロレンズ１９が設けられている。マイクロレンズ１９の配列ピッチはイメージエリア１１ａ内で一様ではなく、イメージエリア１１ａの中心部ではフォトダイオード１３の配列ピッチよりも配列ピッチが小さく、周辺部ではフォトダイオード１３の配列ピッチよりも配列ピッチが大きくなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 固体撮像素子の中央部と周辺部とで、均一な検査光を照射できる光源装置を実現することを目的にする。
【解決手段】 本発明は、固体撮像素子の検査に用いる光源装置に改良を加えたものである。本装置は、光を出力する光生成部と、この光生成部からの光を入射し、固体撮像素子に光を照射するレンズ部と、このレンズ部と光生成部との間に、レンズ部の焦点距離より短い、所望の位置に配置される開口絞りとを備えたことを特徴とする装置である。 （もっと読む）

【課題】 ペルチェ素子を取り付けたＣＣＤイメージセンサーをはじめとする固体撮像素子を搭載した電子式カメラで、連続撮像する場合、ペルチェ素子の動作時によるヒートシンクの温度上昇を防ぐことにより、固体撮像素子の冷却効果を高める、優れた質の画像を提供する。また、ペルチェ素子の動作に伴う電力消費を小さくする。
【解決手段】 撮像素子および関連素子の連続動作時に間隔をおいて静止画を撮像するにあたり、ペルチェ素子の動作を焦点調整動作時とシャッター開放時のみとする。不必要な時間におけるペルチェ素子の動作をとめることにより、ヒートシンクの温度上昇を防ぎ、撮像時の冷却効果を高くする。 （もっと読む）

【課題】転送チャネル領域のｎ型不純物の濃度を高くする場合にも、ブルーミングの発生および暗電流の増大を抑制することが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】この固体撮像装置では、所定の画素１のゲート電極１２ａと、所定の画素１に隣接する画素１のゲート電極１２ｂとは、間隔Ｄを隔てて設けられており、ｎ型シリコン基板２の主表面に位置するｎ型の転送チャネル領域７の間隔Ｄに対応するｎ型不純物領域８には、転送チャネル領域７の間隔Ｄに対応するｎ型不純物領域８以外の領域に含まれるｐ型不純物よりも多くのｐ型不純物が導入されている。 （もっと読む）

【課題】電荷転送電極間の絶縁性能を向上させることが可能な固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】フォトダイオードと、フォトダイオードで発生した電荷を転送する転送電極（第１の電極３ａ，第２の電極３ｂ）を含む電荷転送部とを有する固体撮像素子の製造方法であって、シリコン基板１上に形成した第１導電性膜３ａの側壁に形成された絶縁膜（５ａ＋５ｂ）に発生した凹部を導電性膜３ｃで一旦埋め（図４（ｅ），（ｆ））、この導電性膜３ｃを熱酸化して該凹部に絶縁膜５ｃを形成し（図４（ｇ））、その後、第２導電性膜３ｂを形成及びパターニングして、第２の電極３ｂを形成する（図４（ｈ））。 （もっと読む）

【課題】 配線基板の接続端子と固体撮像素子の接続端子とを接続するワイヤを保護する。
【解決手段】 配線基板２と、該配線基板２に撮像面１４と反対側の面が固定された固体撮像素子１３と、該固体撮像素子１３の撮像面１４に対向し、撮像面１４の外方の面に接着層１８を介して固定された透光性蓋部１７とを有する固体撮像装置において、内面に複数の接続端子９を備えた凹所３を有する配線基板２と、前記凹所３内に嵌入状態で凹所３の底面に固定された前記固体撮像素子１３と、前記凹所３内の接続端子９と前記固体撮像素子１３の接続端子１５とを凹所３内に嵌入状態で接続するワイヤ２０とを有している。 （もっと読む）

【課題】信号レベルの異なる２つの撮像信号を両方とも適正なレベルまで増幅する。
【解決手段】 撮像が行われると、主画素撮像信号と、この主画素撮像信号よりも信号レベルの小さい副画素撮像信号とがアナログ信号処理回路４１に入力される。アナログ信号処理回路４１は、入力された主画素撮像信号をアッテネータ４７に送る。アッテネータ４７は、主画素撮像信号の信号レベルが副画素撮像信号の信号レベルと等しくなるように、主画素撮像信号を減衰させ、アンプ４２に出力する。他方、アナログ信号処理回路４１に入力された副画素撮像信号は、アッテネータ４７を介さずにそのままアンプ４２に出力される。アンプ４２は、減衰により信号レベルが揃えられた主画素撮像信号と副画素撮像信号とを等しいゲイン率にて増幅する。 （もっと読む）

【課題】不良画素部の位置を目視にて容易に特定することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像素子は、フォトダイオード３０と、その上方に形成された開口部５、層内レンズ８、カラーフィルタ、及びマイクロレンズ１１等とを含めた画素部を多数有する構成であり、多数の画素部の一部を、該多数の画素部に含まれる不良画素部の固体撮像素子上での位置を目視で特定するための基点の目印となる目印用画素部としたことを特徴する。この構成により、目印用画素部を基点として不良画素部の位置を容易に特定することができ、固体撮像素子の不良解析を効率よく行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 画質劣化を引き起こすことなく、電荷電圧変換率を高めることが可能な出力部を得る。
【解決手段】 電荷転送部から転送された信号電荷を検出して電圧変換する出力回路（出力部）を有するＣＣＤにおいて、この出力部を構成する初段ＭＯＳトランジスタのドレイン領域４およびソース領域５の少なくとも一方の近傍チャネル町域上のゲート絶縁膜８が、それ以外の部分のゲート絶縁膜７よりも厚く膜形成されている。このように、第１ゲート絶縁膜厚を厚膜化することによって、ゲート−ドレイン間容量Ｃｄおよびゲート−ソース間容量Ｃｓの少なくとも一方を低減化して、その出力部の電荷電圧変換率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 カメラシステムを大型化することなく、コンパクトかつ低コストでオプティカルローパスフィルタを搭載した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 ＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサ等の固体撮像素子において、オプティカルローパスフィルタを基板上の積層膜に作りこむことにより、カメラシステムの小型化を図る。例えば、周期性のある凹凸パターンを積層膜中に作りこむことによって回折格子を作成し、これをオプティカルローパスフィルタとして機能させる。これにより、通常の絶縁膜材を用いてオプティカルローパスフィルタを実現でき、かつ、通常のフォトリソグラフィ技術を利用して容易に作成できる。 （もっと読む）

【課題】隣接する光電変換部間のブルーミング耐性を保ちつつ、光電変換部に蓄積された電荷を基板へ掃き出すための逆バイアス電圧の上昇を抑制する固体撮像素子を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像素子は、ｎ型半導体基板１９に形成されており、基板１９の内部に設けられたｐ型ウェル２０とｎ型半導体基板１９の上部にマトリクス状に配列されたフォトダイオード１７と、各フォトダイオード１７に素子分離領域１８とを備え、素子分離領域１８は、ｐ型の第１の素子分離不純物拡散層２４とその直下に離問してｐ型の第２の素子分離不純物拡散層２５を有し、フォトダイオード１７の領域には受光部となるｎ型の第１の不純物拡散層２１とその直下に離問し、ｐ型の第３の不純物拡散層の最大濃度部分と略同一位置にｎ型の第２の不純物拡散層を備えている。 （もっと読む）

【課題】 光透過性部材と半導体基板上の能動素子との間に中空部分を形成する構造を得るために、光透過性部材と半導体基板との接合時に、高荷重を掛けること及びパターン合わせを不要にする。
【解決手段】 半導体装置１において、スペーサー層１７を半導体基板１１上の撮像素子１２の周囲に形成し、スペーサー層１７に接着剤層１８を介してガラスリッド１５を接合する。これにより、半導体基板１１とガラスリッド１５との間には、撮像素子１２が配置される部位には空間１６が形成される。 （もっと読む）

【課題】高精度にパターニングされた電荷転送電極を得ることが可能な固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート酸化膜２の形成されたシリコン基板１表面に、第１の電極３ａを構成する第１導電性膜３ａを形成する工程と、第１導電性膜３ａの上層にレジストパターンＲを形成する工程と、レジストパターンＲに基づいて第１導電性膜３ａをパターニングして第１の電極３ａを形成する工程と、第１の電極３ａの表面に絶縁膜５ｂを形成する工程と、第２導電性膜３ｂを形成する工程と、第２導電性膜３ｂの形成後、第１の電極３ａ上方の第２導電性膜３ｂを除去する工程と、レジストパターンＲを形成する工程に先立ち、第１導電性膜３ａとレジストパターンＲの間に、レジストパターンＲ形成時の露光によるレジストパターンＲ下層からの光の反射を防ぐ反射防止機能と第２導電性膜３ｂを除去する際のストッパとしての機能を併せ持つシリコンハイドロオキシナイトライド膜７を形成する工程とを含む （もっと読む）

【課題】光の利用効率を向上させたマイクロレンズを備える撮像装置を提供する。
【解決手段】外部からの光を受けて情報電荷を生成する複数の画素が行列配置され、撮像部の光入射面上に画素の行方向に沿って延伸された柱状レンズ２０と、柱状レンズ２２上に画素の列方向に沿って延伸された柱状レンズ２２とを備える撮像装置によって上記課題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】形状不良や残渣を生じさせることなく形成され、基板との密着性が良好で、画素間での反射率のバラツキのないカラーフィルターを備える固体撮像素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板に２次元的に配置された光電変換素子と、該光電変換素子のそれぞれに対応して前記半導体基板上に配設された複数色のフィルターパターンからなるカラーフィルターを具備する固体撮像素子の製造方法であって、前記複数色のフィルターパターンは、所定の色フィルター層をドライエッチングによりパターニングする形成工法と、他の色フィルター層をフォトリソグラフィーによりパターニングする形成工法とによって形成され、前記複数色のフィルターパターンのうち少なくとも最初に形成される色フィルターパターンをドライエッチングにより、残りの色フィルターパターンをフォトリソグラフィーによりパターニングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高フレームレート・高品位イメージングシステム及び方法が開示される。
【解決手段】 イメージャ（１０４）は、所望の出力ビデオクロック（１１４）とは非同期でクロックされる。フレームサイクル中、イメージャ内の画素アレイの第１の部分内に保持されているデータはイメージャクロック信号（１０２）を使用してイメージャ（１０４）からクロックアウトされ、画素アレイの第２の部分内に保持されているデータはバイパスされる。その後に、イメージャデータはより高めのビデオクロックレートに変換され、所望のビデオデータとして出力される。
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【課題】 垂直シェーディングを抑えて、映像画面の上部の黒ずみを無くすようにする。
【解決手段】 撮像素子１０１の垂直光学的黒領域および水平光学的黒領域をそれぞれ走査したときに得られる出力信号のレベルに基づいて、クランプ電圧生成回路１０７がクランプ電圧を生成する。またクランプパルス生成回路１０６が、撮像素子の垂直光学的黒領域を水平走査するときに要する第１の期間をパルス幅とするとともに、該パルス幅を順次減少させたパルス幅をそれぞれもつ複数の第１のクランプパルスと、撮像素子の水平光学的黒領域を水平走査するときに要する第２の期間をそれぞれパルス幅とする複数の第２のクランプパルスとを生成する。クランプ回路１０３が、撮像素子からの出力信号に対して、前記生成された第１及び第２のクランプパルスに従って、前記生成されたクランプ電圧でレベル設定を行う。 （もっと読む）