【課題】より安定した黒レベルを得られるようにする。
【解決手段】Ｎ行のオプティカルブラック画素行を含む行列状に配列された複数の画素を有するフレーム・トランスファ方式のＣＣＤ固体撮像素子において（Ｎは２以上の整数）、 垂直転送部から水平転送部へ転送されてくるオプティカルブラック画素の電荷を垂直転送部から水平転送部へ転送するにあたり、先に転送されてくるＮ−１行分のオプティカルブラック画素の電荷については水平転送部へ転送させず、最後の１行分のオプティカルブラック画素の電荷については水平転送部へ転送させる転送制御を行う。 （もっと読む）

【課題】 静止画モード時にＡ／Ｄ変換時のセトリング期間を確保でき、画像信号の劣化を抑制できる撮像装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】 撮像装置は、入射光を信号電荷に変換する光電変換部を有する複数の画素部と、前記信号電荷を蓄積し、信号電圧に変換するフローティングディフュージョン部と、前記信号電圧をデジタル信号に変換するアナログ・デジタル変換部と、リセットパルスが入力されることで、前記フローティングディフュージョン部に蓄積された信号電荷を破棄するリセット部と、前記画素部の信号電荷をそれぞれ信号電圧に変換する第１モードの場合、第１のＬｏｗレベルを有する第１のリセットパルスを生成し、前記複数の画素の信号電荷を加算して前記信号電圧に変換する第２モードの場合、前記第１のＬｏｗレベルより低い第２のＬｏｗレベルを有する第２のリセットパルスを生成して、前記リセット部に供給するリセットパルス生成部とを備える。 （もっと読む）

【課題】クラックや剥がれ、空隙などの欠陥が少ない光導波路を有した固体撮像素子や、その製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１０中に形成され光電変換により電荷を生じる受光部２と、基板１０上の受光部２に隣接する位置に形成されて受光部２が生じた電荷の転送を行う転送電極１２と、転送電極１２上に形成される上部構造１４〜１６と、をそれぞれ形成する。さらに、少なくとも受光部２の直上かつ上部構造１４〜１６に挟まれた空間に、光導波路１８を形成する。このとき、光導波路１８を成す材料を、少なくとも第１ステップ及び第２ステップにより成膜するが、第１ステップは、第２ステップよりも前に行い、第１ステップにおける成膜速度を、第２ステップにおける成膜速度よりも遅くする。 （もっと読む）

【課題】 垂直転送レジスタの電荷の掃き出し駆動を行う際に発生する、撮像素子のポテンシャル電位の揺れ量を軽減し、撮像素子の信号電荷の飽和容量が減少することを抑制する。
【解決手段】 ダイナミックレンジを必要とするときには、垂直ＣＣＤ２３に存在する偽信号電荷を排出するための垂直ＣＣＤ２３の駆動周波数が、ダイナミックレンジを必要としないときを下回り、且つ、信号電荷を転送するときよりも高くなるようにする。 （もっと読む）

【課題】 欠陥画素をより精度良く検出するためには撮像素子の温度上昇や信号電荷の蓄積時間を必要とするため、工場出荷前の調整時間に時間が掛かり、生産効率性の点などにおいて問題があった。
【解決手段】 欠陥画素検出時に、撮像素子内の読み出しゲート部に存在する読み出し電極に印加する電位を読み出しゲート部における半導体基板の界面が空乏状態となるような電位を与えるように撮像素子の駆動方法を変更することにより、温度依存及び露光時間依存しているキズの発生頻度を上げ、欠陥画素検出時間の短縮及び検出精度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】隣接画素間で加算処理を行わない場合にはベイヤー配列と同程度の輝度及び色の解像度が得られ、隣接画素間で加算処理を行う場合にも十分に高い輝度及び色の解像度が得られるカラー固体撮像装置を提供する。
【解決手段】４行を単位配列とし、１行目は、行方向にＧ画素Ｇ₁₁，Ｇ₁₃，Ｇ₁₅，Ｇ₁₇とＲ画素Ｒ₁₂，Ｒ₁₄，Ｒ₁₆，Ｒ₁₈が交互に配列され、２行目は、Ｇ画素Ｇ₂₂，Ｇ₂₄，Ｇ₂₆，Ｇ₂₈が１行目のＧ画素と行方向に１画素ずれてＧ画素とＢ画素（第２の色画素）Ｂ₂₁，Ｂ₂₃，Ｂ₂₅，Ｂ₂₇が交互に配列され、３行目は１行目と同じ配列であり、４行目は２行目を行方向に１画素ずらした配列である。 （もっと読む）

【課題】読み出し特性や感度劣化がなく、熱酸化処理による電荷転送電極間のギャップ部の拡大を回避することができ、これにより、微細で高速転送可能な固体撮像素子を実現する。
【解決手段】固体撮像素子１００において、垂直ＣＣＤ部１１０は、シリコン基板１内に形成され、信号電荷を転送する転送チャネル３と、シリコン基板１上にゲート絶縁膜７を介して転送チャネル３に沿って配列された複数の電荷転送電極８と、隣接する電荷転送電極８の間に絶縁材料を堆積して形成され、該隣接する電荷転送電極を電気的に分離する電極分離絶縁膜とを有する構造とし、受光部１０１は、シリコン基板１内に形成され、入射光の光電変換により信号電荷を生成する光電変換領域５と、該光電変換領域の表面部分の熱酸化により形成された熱酸化膜１１とを有する構造とした。 （もっと読む）

【課題】電荷結合デバイス画像センサの構造、作成、使用法を提供する。
【解決手段】チャネルドーピング層８０２と比較して逆導電型にドープされた１つ以上のチャネルストップ層８０４を、チャネルドーピング層８０２から離して配置することにより、電荷増倍ＣＣＤチャネルにおける衝撃イオン化によるスプリアス電荷の生成を大きく低減する。 （もっと読む）

【課題】 ソースフォロアトランジスタの寄生容量を効果的に低減して感度を向上した固体撮像素子と、その製造方法を提供する。
【解決手段】 固体撮像素子は、光電変換によって生じた電荷が蓄積される浮遊拡散領域と、浮遊拡散領域と電気的に接続する増幅ゲート電極８１を有し当該増幅ゲート電極８１に印加される電位を増幅した出力信号を生成するソースフォロアトランジスタ８と、を備える。増幅ゲート電極８１は、ソースフォロアトランジスタ８の活性領域８２から延出する延出部分８１ａの少なくとも一部の膜厚が、ソースフォロアトランジスタ８に隣接する他のトランジスタ６，７のゲート電極６１，７１の膜厚よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】大光量時に発生する余剰電荷を確実に排出することができるようにする。
【解決手段】複数の受光部は、水平垂直方向に２次元的に配列され、入射光を電荷に変換する。垂直転送レジスタは、垂直列の受光部に対応して配置され、垂直方向に電荷を転送する。水平転送レジスタは、垂直転送レジスタから転送された電荷を水平方向に転送する。余剰電荷除去部は、垂直転送レジスタと水平転送レジスタの間に、所定の電極に印加する電圧を変化させることにより形成される、ドレイン領域に接続された経路として配置される。本技術は、例えば、固体撮像装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】駆動信号数を増加させずに、水平間引きと垂直間引きの両方を容易に実現することができるようにする。
【解決手段】撮像部には、光電変換素子が行列状に配列される。垂直電荷転送部は、撮像部に蓄積された電荷を垂直方向に転送する。水平電荷転送部は、垂直電荷転送部により転送された電荷を水平方向に転送する。ＨＯＤ部は、垂直電荷転送部から水平電荷転送部への電荷の転送を制御するＶＯＧ電極と同一の電圧が印加されるＶＯＧ電極を介して、水平電荷転送部の不要な電荷を掃き捨てる。本技術は、例えば、イメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】画素の開口をより広くすることができるようにする。
【解決手段】固体撮像素子を構成する基板には、被写体からの光を光電変換し、その結果得られた信号電荷を蓄積する受光部と、受光部から信号電荷を読み出すときに電圧が印加される第１転送電極とが隣接して設けられている。第１転送電極には、第１転送電極の一部を覆うように第１遮光膜が形成され、さらに第１遮光膜の表面の一部には第２遮光膜が形成されている。信号電荷の読み出し時には、これらの第１遮光膜と第２遮光膜を介して第１転送電極に電圧が印加される。第１転送電極に形成する遮光膜を、第１遮光膜と第２遮光膜に分けて形成することで、所望の形状の遮光膜を簡単に形成することができ、画素の開口をより広くすることができる。本技術は、撮像ユニットに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】受光部への光入射効率を悪化させることなく、金属コンタミネーション起因による白傷を低減する。
【解決手段】複数の受光部３の上方で、パターニングされた３層の導電層（ここでは金属層の第３配線７ｃ）上の第４絶縁膜６ｄ上に、装置側で設定するプラズマ発生エネルギーを示すＲＦパワーを、金属コンタミネーション起因による白傷を抑制するように７００Ｗ〜１５００Ｗに設定するプラズマＣＶＤ法によりパッシベーション膜８を成膜するパッシベーション膜成膜工程と、熱処理によりパッシベーション膜８から水素を脱離させるシンター処理を行うシンター処理工程とを有している。このパッシベーション膜８は、その膜厚が５０〜１００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】メタルストラップ型ＣＣＤ画像センサを提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態は、（ＶＣＣＤを通る光電荷の流れを制御するゲート導電体の上に配置された）水平ストラッピングラインと垂直ストラッピングラインとの両方の使用によってＣＣＤ画像センサにおける内部抵抗を減少させ、これら水平ストラッピングラインと垂直ストラッピングラインとは両方とも、電気的制御信号を伝えるバスラインに選択的に接続されている。選択的な電気的接続は、特定のバイアスグループに対する総抵抗が、画像センサ画素アレイのサイズから実質的に独立することを可能にする。 （もっと読む）

【課題】画像センサにおける複数ゲイン電荷感知を提供すること。
【解決手段】画像センサであって、該画像センサは、
入射光に応答して光電荷を蓄積するための感光性領域（ＰＳＲ）のアレイと、
該ＰＳＲのうちの少なくとも１つと関連付けられている出力チャネルと
を備えており、該出力チャネルは、
光電荷を電圧に変換するための感知ノードと、
該感知ノードに接続されているキャパシタンス制御ユニットと、
該感知ノードに接続されており、第１の相互コンダクタンスを有している第１の増幅回路と、
該キャパシタンス制御ユニットに接続されており、該第１の相互コンダクタンスよりも大きい第２の相互コンダクタンスを有している第２の増幅回路と
を備えている、画像センサ。 （もっと読む）

【課題】光が暗基準領域に衝突することを防止しつつ、終結していない結合の不動態化を可能にして、画像における暗レベルの向上した較正を可能にするＣＣＤ画像センサを提供すること。
【解決手段】画像センサであって、該画像センサは、撮像アレイと、暗基準領域と、第１の実質的に不透明な光シールドと、第２の実質的に不透明な光シールドとを備え、該暗基準領域内において、該第１の光シールドにおける該開口部は、感光性エリアまたはＶＣＣＤ領域の上に配置され、両方の上には配置されず、該第１の光シールドにおける該開口部が、感光性エリアの上に配置される場合、該暗基準領域における各感光性エリアは、該感光性エリアの上に２つ以上の開口部を有しておらず、該第１の光シールドにおける該開口部が、ＶＣＣＤ領域の上に配置される場合、該暗基準領域における各ＶＣＣＤ領域は、該ＶＣＣＤ領域の上に２つ以上の開口部を有していない、画像センサ。 （もっと読む）

【課題】光電変換部での飽和の可能性を低減して光電変換部の小型化を可能にし、全体としてのサイズの小型化を可能にする。
【解決手段】分離電極１４ａと蓄積電極１４ｂとが障壁制御電極１４ｃを挟んで配置される。分離電極１４ａと蓄積電極１４ｂと障壁制御電極１４ｃとに正極性の電圧が印加されてウェル１２にポテンシャル井戸が形成された状態で光照射による電子が集積される。その後、障壁制御電極１４ｃに印加された電圧に応じて形成されるポテンシャル障壁の高さが調節されることにより、規定した一定量の不要電荷が電荷分離部で分離される。電子の集積と不要電荷の分離とが複数回繰り返された後、蓄電電極１４ｂに対応して形成された電荷蓄積部に流れ込んだ有効電荷が受光出力として取り出される。 （もっと読む）

【課題】製造工程を増加させることなく、スミアシェーディングを抑制し、画質を向上させる。
【解決手段】画素領域にて行列状に配列される複数の電荷蓄積部３と、半導体基板１１に設けられる電荷転送部１３、および半導体基板１１上に設けられる転送電極１４を有する複数の垂直転送部と、電荷蓄積部３とこの電荷蓄積部３により生成された信号電荷が読み出される垂直転送部との間に設けられる読み出し部６と、電荷蓄積部３の読み出し部６が設けられる側と反対側にて電荷蓄積部３と垂直転送部との間に設けられるチャネルストップ部７と、半導体基板１１の入射光が入射する側に設けられ、電荷蓄積部３に対応する位置に開口部を有する遮光膜１６と、を備え、電荷蓄積部３、電荷転送部１３、読み出し部６、およびチャネルストップ部７は、水平方向について、画素領域の中央部に対して画素領域の周辺部では、開口部に対して外側へずれた位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 暗電流の抑制や受光部の入射光量の増大により、得られる画像データ画質を改善した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 固体撮像素子１は、半導体から成る基板１０と、基板１０中に形成され光電変換によって生じた電荷を蓄積する基板とは逆の導電型の半導体から成る受光部１１と、基板１０上に設けられる絶縁層１２と、絶縁層１２上に設けられ受光部１１が蓄積する電荷と同じ極性の固定電荷を有する固定電荷層１３と、固定電荷層１３上に設けられる反射防止層１４と、基板１０中の受光部１１と隣接する位置に設けられ受光部１１から読み出された電荷が一時的に蓄積される電荷転送部１５と、少なくとも電荷転送部１５の直上に設けられる転送電極１６と、を備える。反射防止層１４は、受光部１１の直上の領域内に設けられる。 （もっと読む）

【課題】隣り合う画素列の信号電荷を容易に混合することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１は、複数の光電変換部３と、光電変換部３の第１列に対応して設けられた第１垂直転送部５ａと、第１列と隣り合って位置する光電変換部３の第２列に対応して設けられた第２垂直転送部５ｂと、第１垂直転送部５ａ及び第２垂直転送部５ｂによって転送された信号電荷を行方向に転送する水平転送部７と、第１列の光電変換部３のそれぞれに対応して設けられ、第１列と第１垂直転送部５ａとの間に位置し、第１列の光電変換部３のそれぞれから第１垂直転送部５ａに信号電荷を読み出す読み出し電極４ａと、第１列の光電変換部３のそれぞれに対応して設けられ、第１列と第２垂直転送部５ｂとの間に位置し、第１列の光電変換部３のそれぞれから第２垂直転送部５ｂに信号電荷を読み出す読み出し電極４ｂとを備える。 （もっと読む）