【課題】隣接画素間で加算処理を行わない場合にはベイヤー配列と同程度の輝度及び色の解像度が得られ、隣接画素間で加算処理を行う場合にも十分に高い輝度及び色の解像度が得られるカラー固体撮像装置を提供する。
【解決手段】４行を単位配列とし、１行目は、行方向にＧ画素Ｇ₁₁，Ｇ₁₃，Ｇ₁₅，Ｇ₁₇とＲ画素Ｒ₁₂，Ｒ₁₄，Ｒ₁₆，Ｒ₁₈が交互に配列され、２行目は、Ｇ画素Ｇ₂₂，Ｇ₂₄，Ｇ₂₆，Ｇ₂₈が１行目のＧ画素と行方向に１画素ずれてＧ画素とＢ画素（第２の色画素）Ｂ₂₁，Ｂ₂₃，Ｂ₂₅，Ｂ₂₇が交互に配列され、３行目は１行目と同じ配列であり、４行目は２行目を行方向に１画素ずらした配列である。 （もっと読む）

【課題】ＲＴＳノイズを低減することが可能な絶縁ゲート型半導体素子、絶縁ゲート型半導体集積回路を提供する。
【解決手段】チャネル領域として機能する第１導電型の半導体層１１、チャネル領域を囲み、半導体層１１に活性領域を定義する素子分離絶縁膜２１、活性領域の一方に設けられた第２導電型の第１主電極領域６２、活性領域の他方に設けられた第２導電型の第２主電極領域６３、活性領域の表面のゲート絶縁膜２２、多結晶シリコン層を含んで、ゲート絶縁膜２２の上に設けられたゲート電極５４を備える。多結晶シリコン層は、第１主電極領域６２，第２主電極領域６３に接する部分は第２導電型の第１多結晶シリコン領域５４_-2、チャネル領域と素子分離絶縁膜２１との境界領域の上部は第１導電型の第２多結晶シリコン領域５４_-1である。 （もっと読む）

【課題】 低暗電流、低ノイズ、低偽信号の特性を維持しつつ、光量に対する高い感度を達成できるグローバルシャッタ動作可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】ｐ型の半導体からなる基体領域１１と、基体領域１１の上部の一部に設けられたｎ型の電荷生成埋込領域１２と、電荷生成埋込領域１２から離間して設けられ、電荷生成埋込領域１２で生成された信号電荷を蓄積するｎ型の電荷蓄積領域１５と、電荷蓄積領域から離間して設けられ、電荷蓄積領域から信号電荷を読み出す電荷読み出し領域１８と、基体領域１１の深部で生成された電荷の電荷蓄積領域１５への流入をブロックする、ｐ型で基体領域１１より高不純物密度のバリヤ領域とを備える。 （もっと読む）

【課題】耐放射線性を有する絶縁ゲート型半導体素子、絶縁ゲート型半導体集積回路を提供する。
【解決手段】一部がチャネル領域をなすｐ型の半導体層１１と、半導体層１１の上部に活性領域２１Ｂを定義する素子分離絶縁膜２１と、チャネル領域にキャリア注入口を介してキャリアを注入するｎ型の第１主電極領域１２と、チャネル領域から、キャリアを排出するキャリア排出口を有するｎ型の第２主電極領域１３と、活性領域２１Ｂの上に設けられたゲート絶縁膜２２と、ゲート絶縁膜２２の上に設けられ、第１主電極領域１２と第２主電極領域１３との間を流れるキャリアの流路に直交する主制御部、主制御部に交わる２本のガード部２４１，２４２を有してπ字型をなすゲート電極２４と、第２主電極領域１３のゲート幅方向の両端側に設けられたｐ型のリーク阻止領域６１，６２とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＲＴＳノイズを低減することが可能な絶縁ゲート型半導体素子、絶縁ゲート型半導体集積回路を提供する。
【解決手段】チャネル領域として機能するｐ型の半導体層１１と、チャネル領域を少なくとも囲み、活性領域２１Ｂを定義する素子分離絶縁膜２１と、活性領域２１Ｂの一方に設けられたｎ型の第１主電極領域１２と、活性領域２１Ｂの他方に設けられたｎ型の第２主電極領域１３と、活性領域２１Ｂ上に設けられたゲート絶縁膜２２と、ゲート絶縁膜２２上において、第１主電極領域１２と第２主電極領域１３との間のチャネル領域を流れるキャリアの流路に直交する方向に伸延するゲート電極２４とを備え、チャネル領域への前記キャリアの注入口が素子分離絶縁膜２１から離間して設けられている。 （もっと読む）

【課題】簡単な回路構成で、メモリへの書き込み時の電流を抑圧することができ、安定した動作と高い性能を得ることができる増幅型固体撮像装置を得る。
【解決手段】画素１０は、受光素子ＰＤと、受光素子ＰＤからの出力信号を増幅する第１の増幅トランジスタＳＦ１と、第１の増幅トランジスタＳＦ１の出力信号を記憶するためのメモリＣｍと、第１の増幅トランジスタＳＦ１の出力信号のメモリＣｍへの書き込み制御を行う書き込みスイッチＷｒと、メモリＣｍに書き込まれた信号を増幅する第２の増幅トランジスタＳＦ２と、メモリＣｍに書き込まれた信号を所定の電圧Ｖ１に初期化する初期化トランジスタＩＴとを備え、第１の増幅トランジスタＳＦ１は、メモリＣｍのみを負荷とし、書き込みスイッチＷｒは、初期化トランジスタＩＴによって初期化が行われた後、所定の期間、第１の増幅トランジスタＳＦ１からの出力信号をメモリＣｍへ出力する。 （もっと読む）

【課題】クロストークが低減され、赤外カットフィルタが不要なカラー撮像装置を提供する。
【解決手段】第１導電型の基板１１、基板上の第２導電型で不純物密度１×１０¹⁴ｃｍ^-3〜１×１０¹¹ｃｍ^-3の電荷生成層１２、電荷生成層の上部に埋め込まれた第１導電型の表面埋込領域１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ、電荷生成層の上部の他の一部に表面埋込領域の下面よりも深い位置まで埋め込まれ、表面埋込領域を囲む、第２導電型の転送チャネル形成ウェル１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂ及び増幅回路形成ウェル１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂ、転送チャネル形成ウェルの上部の一部に埋め込まれた第１導電型の電荷検出領域１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂとを備え、基板に第１及び第２の電位を印加することにより、それぞれの画素において、電荷生成層の内部に生じるポテンシャルバリアの位置を基板側から表面埋込領域側に移動させる。 （もっと読む）

【課題】各画素の空乏層を本来の深さまで伸びるようにし、可視光での画素間のクロストークを低減すると共に赤外光での感度を高めることが可能な増幅型固体撮像装置を提供する。
【解決手段】第１導電型で不純物密度１０¹⁴ｃｍ^-3以下且つ１０¹¹ｃｍ^-3以上の電荷生成層１２と、この電荷生成層１２の上部の一部に埋め込まれた第２導電型の表面埋込領域１３とを有する光電変換素子ＰＤ_ｉｊと、電荷生成層１２の上部の他の一部に埋め込まれた第１導電型の転送チャネル形成ウェル１９及び増幅回路形成ウェル１８と、転送チャネル形成ウェル１９の上部の一部に埋め込まれた第２導電型の半導体領域からなり、光電変換素子から信号電荷が転送される電荷検出領域１６と、転送チャネル形成ウェル１９及び増幅回路形成ウェル１８のそれぞれの底部に設けられ電荷生成層１２と接して設けられた第２導電型の半導体領域からブロック層２１とを備える。 （もっと読む）