【課題】ダーク成分やシェーディングの影響の抑制し、読み取り速度の高速化を図る。
【解決手段】リニアセンサ１０は、１次元方向に配列された複数の第１光電変換部１１ａを有する第１センサ列１２ａと、１次元方向に配列された複数の第２光電変換部１１ｂを有する第２センサ列１２ｂと、各第１光電変換部から信号電荷を読み出して列方向に転送する第１水平転送部１４ａと、各第２光電変換部から信号電荷を読み出して列方向に転送する第２水平転送部１４ｂと、第１水平転送部により転送された信号電荷を検出して出力し、第２水平転送部により転送された信号電荷を検出して出力する出力部１８とを備える。第１光電変換部１１ａは光が入射する開口を有する受光センサであり、第２光電変換部は光が入射する開口が塞がれた遮光センサであり、各遮光センサは各々対応する受光センサに隣接して設けられ、第１センサ列と第２センサ列とが並列に設けられて構成される。 （もっと読む）

【課題】マイクロレンズをアレイ状に整列使用した固体撮像装置において、該マイクロレンズを除く部分の平坦性を厳しく制御するための繁雑な工程による平坦化層を特別に必要とせずに、均一な特性を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】受光部の各画素別の光電変換素子に対応して配置されるマイクロレンズで集光する固体撮像装置において、封止パッケージ用のキャップガラスの光電変換素子側内面にマイクロレンズを配置する。特にリニアセンサーに適している。 （もっと読む）

【課題】電荷の転送効率を向上させることができる固体撮像装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置の製造方法は、ゲート電極２０を形成する工程、第２の不純物層１７を形成する工程、および第３の不純物層１８を形成する工程、を具備する。ゲート電極２０は、Ｐ型のウェル１６を表面に有する半導体基板１５上に形成される。第２の不純物層１７はＮ＋型であって、ゲート電極２０の位置を基準にして、ゲート電極２０の端部２０ａを貫通する条件で半導体基板１５の表面に対して斜め方向からウェル１６に不純物を注入することにより形成されるものである。第２の不純物層１７は、ウェル１６と接合することによってフォトダイオードを構成し、第２の不純物層１７の端部１７ａは、ゲート電極２０の端部２０ａの下に配置される。第３の不純物層１８は、Ｐ＋型であって、ゲート電極２０から露出した第２の不純物層１７の表面に形成される。 （もっと読む）

【課題】異なる波長帯の各波長帯を検出する感度を向上することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】マルチスペクトルＴＤＩ方式ＣＣＤイメージセンサは、半導体基板と、第１から第３の波長帯を検出可能なＴＤＩ方式ＣＣＤイメージセンサとを有している。第１から第３の波長帯を検出可能なＴＤＩ方式ＣＣＤイメージセンサはそれぞれ異なる波長帯を検出可能に構成された第１から第３の画素と、第１から第３の画素の各々に設けられた転送電極とマイクロレンズを備えている。転送電極は、第１のゲート電極、第２のゲート電極、および仮想電極を少なくとも含んでいる。第１の波長帯を検出するＴＤＩ方式ＣＣＤイメージセンサの画素内と第２の波長帯を検出するＴＤＩ方式ＣＣＤイメージセンサの画素内とにおいて、マイクロレンズの光軸上に設けられた電極が異なっている。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の特性劣化を抑制する。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板１０内の画素形成領域内に設けられる光電変換素子５と、半導体基板１０上及び光電変換素子５上に設けられ、光電変換素子の上方に少なくとも１つの凸部４を含む絶縁膜４１と、絶縁膜４１上に設けられる配線層３１と、絶縁膜４１上及び配線層３１上に設けられ、凸部４に対応するように形成された傾斜角を有する段差部６を含む絶縁膜４２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電荷・電気信号変換部に設けた電荷入力部に余剰電荷が溢れる現象を簡単な構造で抑制することのできる技術を提供する。
【解決手段】水平転送路２１０（電荷転送部）は、電荷転送方向において、電荷を出力する最終段水平転送レジスタ２１４（電荷出力部）を有する。電荷・電気信号変換部１６は、最終段水平転送レジスタ２１４から入力された電荷を受け取るＦＤ部２５０（電荷入力部）を有する。好ましくは、水平転送路２１０上に小信号障壁２２０を設け、その出口２２２を電荷入力部と対向させる。好ましくは、水平転送路２１０に隣接して、水平オーバーフローバリア２７２及び水平オーバーフロードレイン２７６で構成された余剰電荷掃捨部２７０を配置する。電荷の転送方向に対して交差した第２の方向（幅方向）における最終段水平転送レジスタ２１４の中央部からずれた位置（好ましくは余剰電荷掃捨部２７０側）に電荷入力部を配置する。 （もっと読む）

【課題】ラインレートを犠牲にすることなく、飽和電荷量を高めることが可能な固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】固体撮像装置１は、光感応領域１５と、電位勾配形成領域１７と、をそれぞれ有すると共に、所定の方向に交差する方向に沿うように併置された複数の光電変換部３と、光電変換部３にそれぞれ対応し且つ光感応領域１５の平面形状を成す他方の短辺側に配置され、対応する光電変換部３の光感応領域１５で発生した電荷を蓄積する複数のバッファゲート部５と、複数のバッファゲート部５からそれぞれ転送された電荷を取得し、所定の方向に交差する方向に転送して出力するシフトレジスタ９と、を備え、バッファゲート部５は、所定の方向に沿って配置されると共に所定の方向に向かってポテンシャルを高くするように所定の電位がそれぞれ与えられる少なくとも二つのゲート電極を有する。 （もっと読む）

【課題】透過波長可変フィルタを用いて、高い波長分解能を有する分光測光装置を提供する。
【解決手段】入射した光を波長ごとに分光して透過させる光学部品であって、光が入射する面内の第１の方向に沿って透過波長が変化する第１の透過波長可変フィルタと、光が入射する面内の第２の方向に沿って透過波長が変化する第２の透過波長可変フィルタを有し、前記第１及び第２の透過波長可変フィルタを所定の間隔を隔てて、かつ、前記第１の方向と前記第２の方向が略平行となるように設置する。分光測光装置であって、前記光学部品と、前記光学部品を透過した光を受光する、複数のセンサが配列されたセンサアレイを備える。 （もっと読む）

【課題】異なるカラーセンサチップ間における同色のカラーフィルタの列の膜厚が、カラーセンサチップの半導体基板上での配置や、カラーセンサチップ内でのカラーフィルタの列の配置によらず、一定であるようなリニアセンサ用カラーフィルタの製造方法を提案すること。
【解決手段】平行配列した複数のリニアイメージセンサ列の前面に各センサ列に対応したカラーフィルタの各々の列を互いに異なる色光を透過する単色フィルタとして配置し、その最小集合単位としてのカラーセンサチップを半導体基板上に複数配置するためのカラーフィルタの製造方法であって、各チップ間を仕切るスクライブラインを有し、スクライブラインに平行に最も近接して形成する色のカラーフィルタ列の形成に先立って、透明樹脂層をスクライブライン上に形成する。 （もっと読む）

【課題】グローバルシャッタを用いて撮影した画像の画質を向上する。
【解決手段】固体撮像装置の電荷部には、フォトダイオード１４１と、第１ＣＣＤ１４２、第２ＣＣＤ１４３、浮遊拡散領域１４５とを備える複数の単位画素１３１が、２次元に配列される。複数の単位画素１３１の全てが同時に、フォトダイオード１４１をリセットした後、連続した露光期間Ｔ１，Ｔ２においてフォトダイオード１４１で発生した信号電荷Ｓ１，Ｓ２を第１ＣＣＤ１４２、第２ＣＣＤ１４３に転送し、蓄積する。そして、１画素あるいは複数の画素単位で、信号電荷Ｓ１，信号電荷Ｓ２を順番に浮遊拡散領域１４５に転送し、信号電荷Ｓ１，Ｓ２にそれぞれ基づく画素信号Ｓ１，Ｓ２を読み出す。本発明は、例えば、ＣＭＯＳイメージセンサに適用できる。 （もっと読む）

【課題】ポテンシャルディップの発生を抑制することが可能な不純物層を有する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】複数のドットパターン３により構成された第１の領域２−１と、この領域２−１のパターンよりも大きい面積の複数のドットパターン４により構成され、第１の領域２−１に隣接する第２の領域２−２と、を具備し、これらの領域２−１、２−２の境界部分で光の透過率が不連続的に変化するグレーティングマスク１であって、第１の領域２−１のドットパターン３と第２の領域２−２のドットパターン４との間に、これらのドットパターンの中間の面積を有するドットパターン６を設けたグレーティングマスク１を用いて、半導体基板８上に塗布されたレジスト材料９を露光する工程と、露光されたレジスト材料９を現像することによりレジスト膜１０を形成する工程と、このレジスト膜をマスクとして用いて半導体基板８にイオンを注入することにより、不純物層１１を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ＡＦセンサにおいて、焦点位置を検出するためのリニアセンサ内での結像位置のずれに起因するフォーカス精度の低下を抑える。
【解決手段】ＣＣＤリニアセンサは、基線方向に沿って並んだ複数の画素を備える。複数の画素は、光電荷を基線に対して一方側に配置された第１シフトレジスタに送る第１画素群と、第１画素群と交番的に配置され、光電荷を基線に対して他方側に配置された第２シフトレジスタに送る第２画素群とを含む。第１画素群の画素は、一方側に向って深くなるポテンシャル勾配を有する受光領域を備える。第２画素群の画素は、他方側に向って深くなるポテンシャル勾配を有する受光領域を備える。第１画素群の受光領域と第２画素群の受光領域は基線方向から見て重なる重なり領域を有する。ＣＣＤリニアセンサは更に、第１画素群の画素と、隣接する第２画素群の画素とが生成する電荷を合成して出力する合成部を備える。 （もっと読む）

【課題】複数種の撮像センサー（３）を評価することが可能な評価装置を提供する。
【解決手段】第１乃至第Ｎの基板間コネクタ（７）を備えた撮像部取り付け基板（６）に、第１乃至第Ｍ（Ｍ≦Ｎ）の読み出し部（３４）を有する撮像センサ（３）を実装した撮像センサー取り付け基板（４）が着脱可能に接続可能であり、基板間コネクタ（７）の各々には、前置信号処理手段（８）が接続可能であり、第ｍ（ｍ≦Ｍ）の基板間コネクタ（７−ｍ）に第ｍの前置信号処理手段（８−ｍ）が接続された状態において、第ｍの読み出し部（３４−ｍ）の出力信号が第ｍの前置信号処理手段（８−ｍ）に入力されて処理され、処理された信号が第ｍの記憶領域（１１−ｍ）に書き込まれ、第１乃至第Ｍの記憶領域に書き込まれたデータが一連のデータとして読み出される。 （もっと読む）

【課題】開口率の向上を図ることが可能な距離センサ及び距離画像センサを提供すること。
【解決手段】距離画像センサＲＳ１は、一次元状に配置された複数のユニットからなる撮像領域を半導体基板１上に備え、ユニットから出力される電荷量に基づいて、距離画像を得る。１つのユニットは、光感応領域と、空間的に離間して配置され、光感応領域からの信号電荷を収集する第３半導体領域９ａ，９ｂと、第３半導体領域９ａ，９ｂのそれぞれに設けられ、異なる位相の電荷転送信号が与えられる第１及び第２転送電極ＴＸ１，ＴＸ２と、空間的に離間して配置され、光感応領域からの不要電荷を収集する複数の第４半導体領域１１と、第４半導体領域１１のそれぞれの周囲に該第４半導体領域１１を囲んで設けられ、光感応領域から第４半導体領域１１への不要電荷の流れの遮断及び開放を選択的に行う第３転送電極ＴＸ３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】開口率の向上を図ることができ、Ｓ／Ｎ比の良い距離画像を得ることができる距離画像センサを提供する。
【解決手段】距離画像センサＲＳは、１次元状に配置された複数のユニットからなる撮像領域を半導体基板１上に備え、ユニットから出力される電荷量に基づいて、距離画像を得る。１つのユニットは、光感応領域と、第１及び第２長辺Ｌ１，Ｌ２の対向方向でフォトゲート電極ＰＧを挟んで対向する二対の第３半導体領域９ａ，９ｂと、第３半導体領域９ａ，９ｂとフォトゲート電極ＰＧとの間に設けられる第１及び第２転送電極ＴＸ１，ＴＸ２と、第１及び第２長辺Ｌ１，Ｌ２の対向方向でフォトゲート電極ＰＧを挟んで対向し且つ第３半導体領域９ａ，９ｂの間に配置される第４半導体領域１１ａ，１１ｂと、第４半導体領域１１ａ，１１ｂとフォトゲート電極ＰＧとの間に設けられる第３転送電極ＴＸ３とを備える。 （もっと読む）

【課題】工程数を抑えつつ、光の干渉を抑える段差形状を光の入射面に形成することができる固体撮像素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】光電変換素子３が形成されたシリコン基板２の表面に層間絶縁膜４を形成し、層間絶縁膜の表面にパッド電極８を形成し、層間絶縁膜とパッド電極を覆う保護膜１０を形成し、光電変換素子に対向する位置に形成された第１開口２０ａとパッド電極に対向する位置に形成された第２開口２０ｂを有するように保護膜の表面にレジスト２０をパターニングし、第１開口および第２開口を通して保護膜に対して等方性エッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサの電荷の転送効率を改善することを目的とする。
【解決手段】光を透過する読出電極３２１、３２２、３２３のそれぞれに、あらかじめ決められた電荷が印加されると、画素３１０に蓄積された電荷がＣＣＤ素子３３１，３３２に転送される。読出電極３２１、３２２に対して、読み出しポテンシャルを画素ポテンシャルウェルの底のポテンシャルより低く、かつＣＣＤポテンシャルウェルの底のポテンシャルより高くする電圧値をもつ電圧ＶＨを印加し、読出電極３２３に対して、画素ポテンシャルウェルの底のポテンシャルより高いポテンシャルを形成する電圧値を持った電圧ＶＬを印加することで、高低差があり、移動距離も短いポテンシャル勾配が形成される。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、光電変換された信号電荷の蓄積時間を制御してダイナミックレンジを拡大させる。
【解決手段】光電変換部（２）から供給される電荷を蓄積し、制御信号に応答して電荷をＣＣＤ部（４）に供給する電荷蓄積部（３）と、光電変換部（２）と電荷蓄積部（３）との間に設けられた第１電荷転送部（５）と、電荷蓄積部（３）とＣＣＤ部（４）との間に設けられた第２電荷転送部（６）とを具備する固体撮像装置（１）を構成する。電荷蓄積部（３）は、電荷蓄積ゲート電極（３−１）と、電荷蓄積ゲート電極（３−１）と基板との間に設けられたゲート絶縁膜（９）とを備えることが好ましい。そして、ゲート絶縁膜（９）は、第１領域（１１）と、第１領域（１１）と第２電荷転送部（６）との間に設けられ、第１領域（１１）の膜厚よりも厚い膜厚で形成された第２領域（１２）とを含むものが好ましい。 （もっと読む）

【課題】衝突電離により電荷が増加される撮像装置において、クロストークや感度の低下を抑制することが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】このＣＭＯＳイメージセンサ１００（撮像装置）は、ｐ型のシリコン基板１１の表面に設けられ、電子の転送チャネルを構成するｎ型の埋込み層１４と、埋込み層１４に設けられ、電子を衝突電離させて増倍するための電子増倍部１４ａと、シリコン基板１１の表面側に設けられ、電子増倍部１４ａに電圧を印加するための増倍ゲート電極２１と、ｐ型の領域１１ａを介して、埋込み層１４と対向するように重畳して配置され、電子が供給されることが可能なｎ型のＰＤ部１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】電荷の転送速度を向上させた電荷転送装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の主面に形成された電荷転送チャネル領域３０上に１poly電極４０及び２poly電極４２からなる電極対を電荷転送方向に配列する。１poly電極４０の縁４４，４６を電荷転送方向に対して傾斜させる。これにより、電荷転送チャネル領域３０のうち１poly電極４０，２poly電極４２によりそれぞれチャネル電位を制御される１poly対応区画及び２poly対応区画の相互の境界を電荷転送方向に対して傾斜させる。 （もっと読む）