【課題】ＴＤＩ動作によって撮像を行う際に、撮像に要する時間を短くすることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１Ａは、Ｍ×Ｎ個（Ｍ，Ｎは２以上の整数）の画素がＭ行Ｎ列に２次元配列されて成る撮像面１２、撮像面１２に対して列方向の一端側に各列毎に配置されたＮ個の信号読出回路２０、及び、撮像面に対して列方向の他端側に各列毎に配置されたＮ個の信号読出回路３０を有するＣＣＤ型の固体撮像素子１０と、信号読出回路２０から各列毎に出力される電気信号をディジタル変換したのちシリアル信号として順次出力する半導体素子５０と、信号読出回路３０から各列毎に出力される電気信号をディジタル変換したのちシリアル信号として順次出力する半導体素子６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】多層化した複数層の受光部により複数の色信号を、１画素部で一括して同時に検出した１画素部毎の各層の信号電荷から得ると共に、静止画および動画のいずれであっても鮮明なフルカラー撮像を実現する。
【解決手段】半導体層または半導体基板に交互に一方向に隣接配置されたＰ型注入領域４およびＮ型注入領域５であって、被写体からの画像光を光電変換する複数層の光電変換部（３層のＰ型注入領域およびＮ型注入領域）が、光電変換部とはバンドギャップの異なる透明層（ＳｉＯ_２膜）をその各間に介在して積層され、一方向に直交する他方向にそれぞれ配置された３層のＰ型注入領域４およびＮ型注入領域５と、Ｐ型注入領域４およびＮ型注入領域５上に設けられた一方向の複数の電荷転送駆動用の透明電極６〜１１と、複数の電荷転送駆動用の透明電極６〜１１上に設けられ、入射光を透過または遮光制御する入射光透過／遮光制御手段とを有している。 （もっと読む）

【課題】異なる波長帯の各波長帯を検出する感度を向上することができるイメージセンサを提供する。
【解決手段】イメージセンサ１００は、半導体基板２０と、異なる波長帯を検出可能な２以上の画素１と、２以上の画素１の各々に設けられた３以上の転送電極７とを備えている。２以上の画素１は、第１の画素１ａと第２の画素１ｂとを含んでいる。３以上の転送電極７は、第１の厚みｔ１を有する第１のゲート電極７ａ、第１の厚みｔ１とは異なる第２の厚みｔ２を有する第２のゲート電極７ｂ、および仮想電極７ｃを少なくとも含んでいる。第１の画素１ａ内と第２の画素１ｂ内とにおいて、第１のゲート電極７ａのゲート長Ｌ１と第２のゲート電極７ｂのゲート長Ｌ２と仮想電極７ｃのゲート長Ｌ３との比率が異なっている。 （もっと読む）

【課題】電荷・電気信号変換部に設けた電荷入力部に余剰電荷が溢れる現象を簡単な構造で抑制することのできる技術を提供する。
【解決手段】水平転送路２１０（電荷転送部）は、電荷転送方向において、電荷を出力する最終段水平転送レジスタ２１４（電荷出力部）を有する。電荷・電気信号変換部１６は、最終段水平転送レジスタ２１４から入力された電荷を受け取るＦＤ部２５０（電荷入力部）を有する。好ましくは、水平転送路２１０上に小信号障壁２２０を設け、その出口２２２を電荷入力部と対向させる。好ましくは、水平転送路２１０に隣接して、水平オーバーフローバリア２７２及び水平オーバーフロードレイン２７６で構成された余剰電荷掃捨部２７０を配置する。電荷の転送方向に対して交差した第２の方向（幅方向）における最終段水平転送レジスタ２１４の中央部からずれた位置（好ましくは余剰電荷掃捨部２７０側）に電荷入力部を配置する。 （もっと読む）

【課題】周辺回路の発熱の影響を防止し、良好なＳＮ比を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】表面と裏面とを有するシリコン基板３０１の表面に、複数の検出器８０２からなる検出器アレイ８０１と、検出器から読み出した電気信号を増幅する出力アンプと５０８、クロック信号を増幅するクロックドライバ５０６とを含む固体撮像装置３００において、検出器アレイ８０１と、出力アンプ５０８およびクロックドライバ５０６との間のシリコン基板３０１に、該シリコン基板３０１の熱伝導を妨げるように空隙５０５が設けられる。検出器は、ＣＣＤまたはＣＭＯＳから形成される。 （もっと読む）

【課題】出力される画像が暗くなるのを低減することのできる固体撮像素子およびその製造方法、並びにその固体撮像素子を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像素子は、有効画素領域Ａと、オプティカルブラック領域Ｂとが形成された撮像部１０を備えている。有効画素領域Ａのセンサ部１１ａ上に反射防止膜３６が形成されている一方、オプティカルブラック領域Ｂのセンサ部１１ｂ上に反射防止膜は形成されていない。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＤを提供する。
【解決手段】ＣＣＤは、行及び列に配列された電荷収集サイトの２次元アレイを含み、各行は、行の方向に延びる複数の電極に関連付けられ、各電極は、それぞれの電圧相に対応する。ポリシリコン電極の抵抗性は、相電圧が電極の中央領域に出現する時に相電圧に関する時定数問題を引き起こし、この理由のために、各ポリシリコン電極に沿ってその抵抗を低下させるために導電ストリップを通すことが提案されてきた。しかし、微細な金属特徴部を加工することは困難であり、これは、従って、行が離間することができる接近の程度に制限を加える。本発明により、行に対して傾斜し、かついくつかの行の対応する電圧相の電極に電気接触する反復的に反転する部分を有する導電ストリップを提供する。好ましくは、導電ストリップは、それがそれぞれの相電圧を供給する各電極との複数の接続を行うためにジグザグ形状である。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＤ素子を用いた撮像装置において、ＣＣＤ素子のサブストレートに印加する電圧を発生する回路の規模を小さくする。
【解決手段】抵抗分割器６００により、電源電圧Ｖｃｃ〜０Ｖの一部の範囲を分圧し、外部からのデータに応じて、セレクタ部７０２が分圧の結果としてえられた電圧値のいずれかを選択し、高電圧アンプ部６２に対して出力する。高電圧アンプ部６２は、ＶＭＳＵＢ＝（Ｖｄａｏｕｔ−Ｖｄｄ２）×（３Ｒ＋Ｒ）／Ｒ＋Ｖｄｄ＝４×Ｖｄａｏｕｔ−５．４（Ｖ）の電圧の電圧信号ＶＭＳＵＢを生成し、露光制御信号ＳＵＢの中間電圧とする。 （もっと読む）

【課題】スミアおよびチップ面積を増大させずに、高感度化を実現することを目的とする。
【解決手段】電荷転送電極５の水平方向の端部に膜厚を薄くした薄膜領域Ｌ５ａを設け、遮光膜７を薄膜領域Ｌ５ａの側面に形成せずに電荷転送電極５上に形成することにより、フォトダイオード２上の開口幅Ｌ６を確保しながら、遮光膜７と半導体基板１との距離を短縮することができるので、スミアおよびチップ面積を増大させずに、高感度化を実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置に設ける場合の感度低下を抑え、且つ、画素毎の偏光機能を有することが可能な偏光子の構造を提案する。
【解決手段】入射光の光量に応じた信号電荷を生成する受光部１２と、受光部１２以外の領域に形成される遮光層２７と、所定の周期で帯状に配列された反射層２１を含む偏光子２６と、を有し、偏光子２６と遮光層２７とは、同一層上に形成される構成とする。 （もっと読む）

【課題】 電子増倍率を正確に測定可能な電子増倍率の測定方法を提供する。
【解決手段】 固体撮像素子１０を備える電子増倍型撮像装置１において、予め設定された所定の電子増倍率で、第１光量の入射光による第１増倍画像と、第２の光量の入射光による第２増倍画像と、を取得し、第１増倍画像に含まれる画素の輝度平均値及び輝度分散平均値と、第２増倍画像に含まれる画素の輝度平均値及び輝度分散平均値と、を算出する。そして、算出した輝度平均値及び輝度分散平均値を用いて、第１及び第２増倍画像の変換係数を算出し、算出した変換係数と、予め保持する基準電子増倍率における変換係数と、を用いて固体撮像素子１０の実際の電子増倍率を算出する。 （もっと読む）

【課題】電荷転送部内での信号電荷の加算に伴う信号電荷の溢れを未然に防止できるよう
にした上で、モニタリングモード時に複数の動作モードを設定できるようにする。
【解決手段】加算読み出しモードとして、水平転送部１５中でｘライン分の信号電荷を加
算して水平転送する第１のライン加算モードと、ｙライン分の信号電荷を加算して水平転
送する第２のライン加算モードとの少なくとも２種類のモードを設定できるようにする。
そして、第１のライン加算モード時の飽和信号電荷量を第１の動作モード時の飽和信号電
荷量の約１／ｘに設定し、第２のライン加算モード時の飽和信号電荷量を第１の動作モー
ド時の飽和信号電荷量の約１／ｙに設定するように、これに対応した電圧値の基板バイア
スＶｓｕｂ２を基板バイアス発生回路２０で生成し、これを半導体基板１８に印加する。 （もっと読む）

【課題】 撮影画像データから暗電流によるノイズ成分を除去する。
【解決手段】 デジタルカメラは、光電変換部で生成された信号電荷を列方向に転送する垂直転送部を含むＣＣＤ撮像素子と、メカニカルシャッタと、駆動部と、画像補正部とを有している。駆動部は、光電変換部の電荷を垂直転送部に転送するための読み出しパルスおよび垂直転送部の電荷を列方向に転送するための垂直転送パルスのうち、少なくとも垂直転送パルスを含む転送信号を生成する。そして、駆動部は、メカニカルシャッタを用いた撮影が実施された場合、メカニカルシャッタが閉じた後の第１期間に、読み出しパルスを含まない転送信号をＣＣＤ撮像素子に出力し、第１期間の後の第２期間に、読み出しパルスを含む転送信号をＣＣＤ撮像素子に出力する。画像補正部は、第１期間に読み出されたデータに基づいて、第２期間に読み出された画像データを補正する。 （もっと読む）

【課題】親水化処理によるマイクロレンズ材料層等の損傷を抑えることが可能な固体撮像素子を製造する。
【解決手段】半導体基体の受光領域１１に受光部を形成する工程と、半導体基体のパッド領域１２にパッド部２４を形成する工程を有する。さらに、受光部及びパッド部２４の上層に、マイクロレンズ材料層２２を形成する工程と、マイクロレンズ材料層２２に、受光部に対応したマイクロレンズを形成する工程と、マイクロレンズ材料層２２上に低反射材料層２３を形成する工程を有する。そして、パッド部２４上の、マイクロレンズ材料層２２及び低反射材料層２３をエッチングして開口部２５を形成する工程と、低反射材料層２３表面、及び、開口部２５内を常温酸素ラジカル処理により親水化処理する工程とを有して、固体撮像素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】電子増倍型撮像素子を有する高感度撮像装置において、動解像度を犠牲にすることなく、かつ、飽和による色ずれを防止し、電子増倍の増倍率を高くした場合にもＳ／Ｎの低下を防止することができる撮像装置を提供する。
【解決手段】制御手段（７）からの制御信号（Ｃ７Ａ）により、タイミング信号発生手段（６）におけるインターレース駆動モードとノンインターレース駆動モードの２つの駆動モードを切り替える。さらに、制御手段（７）からの制御信号（Ｃ７Ｂ）により、デジタル信号処理手段（５）の信号処理の内容を切り替える。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタの加工精度の向上、混色の抑制等を可能にした固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】固体撮像装置の製造方法では、光電変換素子を有する複数の画素が配列された撮像領域の表面上に開口部を有するハードマスクを形成する工程と、ハードマスクの開口部内に、第１色目フィルタ成分、または第２色目フィルタ成分と第３色目色フィルタ成分、のいずれかを形成する工程を有する。次いで、ハードマスクを除去して形成された開口部に残りの色フィルタ成分を形成する工程を有し、第２色目フィルタ成分と第３色目フィルタ成分のそれぞれの周囲が、第１色目フィルタ成分で囲まれたカラーフィルタを形成する。 （もっと読む）

【課題】開口率を犠牲にすることなく横型ＯＦＤを形成してＴＤＩ動作を実行可能なＴＤＩ方式のイメージセンサを提供する。
【解決手段】垂直ＣＣＤを４相以上のＶＰＣＣＤ構造とし、仮想電極８ｃ以外の転送ゲート７ａ，７ｂ，７ｄに横型ＯＦＤを形成し、仮想電極に隣接する転送電極７ｂ、７ｄに設けたＯＦＤと、仮想電極に隣接しない転送電極７ａに設けたＯＦＤとで、オーバーフローバリアのポテンシャル障壁を異なる値に設定した。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＤ固体撮像装置において、ホットキャリア現象に起因する発光光が画素領域へ到達するのを抑制し、画質の向上を図る。
【解決手段】画素領域２２と出力回路部２５との間の半導体基板３１に、出力回路２５を構成するトランジスタ２６において発生するホットキャリア発光３７の光電変換部（ＰＤ）への進入を阻止する阻止部４２を有する。 （もっと読む）

【課題】 エタロン現象による画像劣化を抑制し、画像品質を向上可能な裏面入射型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 この裏面入射型固体撮像素子は、裏面側に光入射面を有する半導体基板４と、半導体基板４の光入射面とは反対側の光検出面に設けられた電荷転送電極２とを備えた裏面入射型固体撮像素子において、光検出面は凹凸面を有している。光検出面が凹凸面を有していることにより、入射光の位相に対して、凹凸面で反射される光が分散した位相差を有するので、これらの干渉光同士が相殺され、エタロン現象が抑制される。したがって、この裏面入射型固体撮像素子によれば、高品質な画像を取得することができる。 （もっと読む）

【課題】 エタロン現象による画像劣化を抑制し、画像品質を向上可能な裏面入射型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 この裏面入射型固体撮像素子は、裏面側に光入射面を有する半導体基板４と、半導体基板４の光入射面とは反対側の光検出面に設けられた複数の電荷転送電極２と、を備えた裏面入射型固体撮像素子において、電荷転送電極２の隣接するもの同士の間に、光透過用の複数の開口部ＯＰが形成されている。また、各電荷転送電極２内に、光透過用の複数の開口部ＯＰを形成することもできる。 （もっと読む）