【課題】配線層における導体層の層数の削減をより有効に行うことができる裏面照射型CMOSイメージセンサを提供する。
【解決手段】撮像素子１１は、複数の画素３１が配置される半導体基板５１と、複数本の配線が配設された複数層の導体層５８が絶縁膜５７に埋め込まれて構成される配線層５５とが積層されて構成される。そして、配線層５５では、画素３１により得られた画素信号を出力する配線、および、画素の駆動に必要な電力を供給する配線、画素を駆動するための駆動信号を供給する配線が、２層の導体層５８で形成される。 （もっと読む）

【課題】受光面側にパッド配線を設けた裏面照射型の固体撮像装置において、絶縁膜の薄膜化を図ることにより光電変換部での受光特性の向上を図ることが可能な裏面照射型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】このような目的を達成するための本技術の固体撮像装置は、光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板を備え、このセンサ基板において光電変換部に対する受光面とは逆の表面側には駆動回路が設けられている。また画素領域の外側の周辺領域には、センサ基板における受光面側から駆動回路に達しする貫通ビアが設けられている。さらに、周辺領域の受光面側には、貫通ビア上に直接積層されたパッド配線が設けられている。 （もっと読む）

【課題】低フラックスを用いている間のノイズレベルを減少することを可能にするような検出回路を提供する。
【解決手段】ソースフォロワ検出器型の検出回路は、結合ノードＮに接続されたフォトダイオード１を備える。バイアス回路３は、逆バイアスである第１の状態とフローティングである第２の状態との間にフォトダイオード１をバイアスすることを可能にする。読み出し回路４は、結合ノードＮに接続され、フォトダイオード１により測定された現状を示す信号を生成する。金属シールド５は結合ノードＮの周りに配置される。金属シールド５は、読み出し回路４の出力に接続され、結合ノードＮの電位と同じ方向に変動する電位を持つように構成される。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の感度の低下を抑制しつつ、ゲッタリング効率を向上させる。
【解決手段】Ｎ型半導体層４には、Ｎ型不純物導入層１１上にＰ型不純物導入層１２が形成されることでフォトダイオードが光電変換部として形成され、光電変換部の裏面側に光入射面Ｐを設けるとともに、光電変換部の表面側にゲッタリング層１３ａを設ける。 （もっと読む）

【課題】横線ノイズを低減した高画質固体撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置の１形態は、行単位に選択される単位画素Ｐｎｍから画素信号を読み出す固体撮像装置であって、各単位画素に含まれる増幅トランジスタＭ４と、列毎に設けられ、選択された行に属する増幅トランジスタＭ４にバイアス電流を供給する第１トランジスタＭＬｍと、基準バイアス電圧を発生する電流源の１次側ミラートランジスタＭＦと、電流源の１次側ミラートランジスタＭＦのゲート端子から、第１のトランジスタＭＬｍのゲート端子に基準バイアス電圧を伝達する第１のバイアス信号線と、電流源の１次側ミラートランジスタＭＦのゲート端子と各第１のトランジスタＭＬｍのゲート端子との間の前記バイアス信号線に挿入されたサンプルホールド回路２５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、垂直信号線の電圧降下を低減し、シェーディング改善などの画質の改善を図る。
【解決手段】物理量を電気信号に変換する複数の画素５が２次元状に配列された画素部６と、画素５からの信号が読み出される垂直信号線１０と、画素部６の内部で垂直信号線１０から信号を取り込み、画素部６の列に対応して配列されたカラム回路１１とを有する。 （もっと読む）

【課題】混色による画像劣化を抑制する固体撮像素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像素子であって、シリコン基板２０４内に、当該基板面方向に二次元配列されて形成された、入射光を光電変換して生成した信号電荷を蓄積する複数のＰＤ２０７と、複数のＰＤ２０７の間に配置されたｐウェル２０６と、シリコン基板２０４の上に形成されたカラーフィルタ２１０と、カラーフィルタ２１０の上であって、ＰＤ２０７の上部領域に開口部を備えたクラッド層２１３と、当該開口部を埋め込むように形成され、クラッド層２１３より屈折率が高いコア層２１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】混色の発生などを抑制し、撮像画像の画像品質等を向上する。
【解決手段】半導体層１０１の裏面において受光面ＪＳおよび遮光膜６０が設けられた部分を被覆するように、第１の反射防止膜５０１を設ける。これと共に、裏面において受光面ＪＳが設けられた部分を被覆するように第１の反射防止膜５０１の上に、第２の反射防止膜５０２を形成する。遮光膜６０については、第２の反射防止膜５０２の上に設けずに、第１の反射防止膜５０１の上に設ける。 （もっと読む）

【課題】劣化の無い正確な偏光情報を得られる。
【解決手段】本発明の偏光イメージング装置１において保護膜１３は入射光を電気信号に光電変換する光電変換素子１２の上に薄膜形成される。偏光フィルタ１６は保護膜１３の上に堆積した偏光材料をパターニングして形成され、入射光の偏光方向を定める。平坦化層１７は偏光フィルタ１６を保護し、偏光フィルタ１６の上に平面を形成される。マイクロレンズ１８が平坦化層１７の上に光電変換素子１２及び偏光フィルタ１６の各画素に対応して形成され入射光を光電変換素子１２に集光する。よって光電変換素子１２と偏光フィルタ１６との間に薄膜状の保護膜１３が介在することになる。また、偏光フィルタ１６が保護膜１３の上に堆積された偏光材料をパターニングして形成されることから従来のような接合プロセスを行わずに一体化できることによりアライメント精度が向上する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、光学混色の低減及び／又はＭｇフレアの低減により、画質の向上を図る。
【解決手段】裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像装置であって、光電変換部ＰＤと画素トランジスタＴｒからなる複数の画素２４が配列された画素領域２３と、画素領域２３に形成された遮光膜３９とを有し、遮光膜３９が接地されている。 （もっと読む）

【課題】位相差検出方式によるＡＦを採用しているデジタル一眼レフカメラでは、位相差検出ユニットに被写体の光学像を導くための可動式反射ミラーをカメラ本体内部に設けている。そのため、ある程度大きな可動式反射ミラーの設置スペースに加えて、可動式反射ミラーを駆動するための駆動装置の設置スペースも必要となり、カメラ本体の小型化の妨げとなっている。
【解決手段】半導体基板内に行列状に複数形成された光電変換部と、前記半導体基板の表面上に配置された絶縁膜と、前記絶縁膜に埋設され、隣り合う光電変換部の間に相当する位置に配された、入射光の一部を反射する複数の反射部材と、を備え、前記各反射部材は、前記半導体基板の光電変換部が形成されている部分の表面に対して傾斜した光反射面を有する固体撮像装置により、露光と同時に被写体の光学像を位相差検出ユニットへと導く。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体基板と透光板との接合強度を維持し、反りの発生を抑制し、かつ、歩留まりおよび設計の自由度を維持した状態で小型化が可能な光学デバイスおよびその製造方法ならびに電子機器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の光学デバイスは、受光素子２１ａが一表面に形成された半導体基板１と、受光素子２１ａを覆うように半導体基板１上に設けられた透光板４とを備え、半導体基板１と透光板４とは、半導体基板１の受光素子２１ａが形成された受光部２ａ上において、部分的に接合される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の受光面側に形成された光電変換部を有する固体撮像装置において、画素の微細化を損なうことなく転送効率が向上された固体撮像装置、及びその製造方法を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】半導体基板内に、縦方向に積層された接続部２１、電位障壁層２２、電荷蓄積層２３からなる縦型転送路５０を形成する。半導体基板１７の裏面側には、下部電極３１及び上部電極３３に挟持された光電変換部３２が形成されており、下部電極３１と接続部２１は、コンタクトプラグ２９により電気的に接続されている。これにより、光電変換部で生成された信号電荷は、コンタクトプラグ２９を介して接続部２１に読み出され、電荷蓄積層２３に縦方向にオーバーフローされる。 （もっと読む）

【課題】 ハイブリッド型撮像装置などの検出装置等において、その電極／接合バンプの接触抵抗を低くし、接合強度を高くすることができ、かつ受光素子アレイ等の本体にダメージが生じにくい、検出装置等を提供する。
【解決手段】近赤外域の受光素子アレイ５０と、読み出し回路を構成するＣＭＯＳ７０とを備え、１つまたは２つの接合バンプ７９，９を挟んで、受光素子アレイの電極１１と読み出し回路の電極７１とが接合され、読み出し回路において、電極の対応部に開口部７８をあけられて、該電極が設けられた側の面７４を覆う樹脂層７５を備え、樹脂層の開口部の壁面等被覆するカップ状金属Ｋと、電解めっきで形成された接合バンプ７９とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】積層される半導体ウェハにより、量産性向上、コスト低減を図った、固体撮像装置等の半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半製品状態の回路を備えた半導体ウェハ３１，４５を複数積層して貼り合わせ、複数の半導体ウェハ３１，４５からなる積層体を形成し、積層体のうち、上層の半導体ウェハ３１の半導体層を薄肉化する。また、上層の半導体ウェハ３１側から最下層の半導体ウェハ４５に形成された配線に達する貫通開口部７７を形成し、最下層の半導体ウェハ４５に形成された配線を露出させることにより電極パッド部７８を形成する。これにより、貫通開口部７７は、半導体ウェハ３１，４５の脆弱な接合面を貫通して形成され、電極パッド部７８は、脆弱な接合面よりも下層の半導体ウェハ４５の配線において形成される。これにより、電極パッド部７８における外部配線との配線時に、脆弱な接合面に係る応力を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】複数画素共有構造を採用して画素の微細化を図る上で、十分な飽和特性を得ることを可能にする。
【解決手段】複数画素共有構造を採用して画素の微細化を図るＣＭＯＳイメージセンサにおいて、２つの画素２０−１，２０−２間で増幅トランジスタ２４を共有し、２つの画素２０−３，２０−４間でリセットトランジスタ２３を共有するとともに、リセットトランジスタ２３および増幅トランジスタ２４の各ドレイン電源を別電源とし、選択電源ＳＥＬＶＤＤの高電位側の電圧レベルＶＤＤを固定電源Ｖｄｄの電圧レベルＶｄｄよりも高く設定する。 （もっと読む）

【課題】動作信頼性を向上させる裏面照射型固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】第１導電型の半導体基板表面１００内に形成された第２導電型の拡散層１０７を含み、前記半導体基板１００の裏面側から表面側に向かって照射された光により前記半導体基板１００内で生成された電子を蓄積する複数の電荷蓄積部１０７と、複数の前記電荷蓄積部１０７をそれぞれ電気的に分離し、前記半導体基板の前記裏面側が開口されるよう形成されたトレンチと、前記トレンチを埋め込み、絶縁膜で皮膜された埋め込み層１１０、１１１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】裏面を入射光の受光面とした裏面照射型の固体撮像素子において、残像、クロストーク等の発生を防止すること。
【解決手段】半導体基板１０内において裏面から表面に向かう順に、Ｐ型の受光表面層１２と、光電変換された信号電荷を蓄積するＮ型のフォトダイオード１１と、Ｐ型の電位障壁層１４と、フォトダイオード１１から転送される信号電荷を蓄積するＮ型の電荷蓄積層１３を設ける。フォトダイオード１１から電荷蓄積層１３に信号電荷を転送するとき以外には、裏面バイアス発生回路７により受光表面層１２に０Ｖの電圧が印加され、信号電荷の転送時には、負のパルス信号が印加される。 （もっと読む）

【課題】有機光電変換膜を用いた固体撮像装置において、電気的および光学的な要因による空間分解能の低下および混色を抑制することを可能にする。
【解決手段】半導体基板１１上に複数の光電変換部２２と該光電変換部２２から選択的に読み出すＭＯＳトランジスタとを含む複数の画素２１が形成されていて、前記光電変換部２２上に絶縁膜４３を介して形成された有機光電変換膜４４を有し、前記画素２１間に対応する前記有機光電変換膜４４の位置に光学的かつ電気的に分離する分離領域４５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】有機と無機のハイブリッド光電変換部を有する構成において、各色のＦ値依存を抑制して各色間の感度の変動を抑制できる、固体撮像装置とその製造方法を提供する。また、かかる固体撮像装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、受光面２５と、受光面２５とは反対側に形成された回路形成面２６を有する。さらに、同一の画素２０内で受光面側から深さ方向に積層されてカラーフルタを介さずに光が入射される、ｐｎ接合を有する無機光電変換部ＰＤ１、ＰＤ２及び有機光電変換膜３６を有する有機光電変換部３９を有する。そして、無機光電変換部３９及び有機光電変換部ＰＤ１、ＰＤ２の信号が回路形成面に読み出される。 （もっと読む）