【課題】吸収スペクトルをシャープにし且つ暗電流を低くすることが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１１，１３と、一対の電極１１，１３の間に配置された光電変換層１２ａとを含む光電変換部を有し、一対の電極１１，１３間にバイアス電圧を印加して光電流を取り出す光電変換素子Ａの光電変換層１２ａを、特定波長域の光を吸収して前記光に応じた電荷を発生する１種類の光電変換材料（例えばスズフタロシアニン）と、前記特定波長域を含む前記特定波長域よりも広い範囲の波長域の光に対して透明で且つ前記光電変換材料で発生した電荷の輸送性を有するマトリックス材料（例えばＴＭＭ−１）とを、真空中で気化させた後に混合して形成する。 （もっと読む）

【課題】 撮影の自由度を向上することができる放射線撮像装置を実現することを目的とする。
【解決手段】 放射線撮像装置は、光電変換素子を有する複数の画素が配置された有効画素領域と、有効画素領域を囲う周辺領域と、を有するセンサーパネルと、センサーパネルの有効画素領域上及び周辺領域上に配置されたシンチレータ層と、シンチレータ層上に配置されたシンチレータ保護層と、を有し、シンチレータ層は、有効画素領域上及び周辺領域上にそれぞれ複数の柱状結晶を有し、周辺領域上の複数の柱状結晶の間に配置され、有効画素領域上の複数の柱状結晶を囲うように配置された樹脂を有し、有効画素領域上の複数の柱状結晶は、センサーパネルと、シンチレータ保護層と、樹脂とで囲われている。 （もっと読む）

【課題】信号電荷をフローティング・デフュージョンに蓄積し、蓄積した信号電荷を検出部ゲートにより信号電圧として検出する電荷検出部を有する固体撮像装置において、電荷検出部を構成する検出部ゲートおよびこれにつながる配線と、該検出部ゲートおよび配線を覆うよう形成された保護膜との間での寄生容量を低減して、電荷検出部での信号電荷を信号電圧に変換する変換効率を向上させる。
【解決手段】フローティング・デフュージョン１１１に蓄積された信号電荷を検出して信号電圧を出力する検出部ゲート１１２と、該検出部ゲート１１２と信号電圧を増幅するアンプとを接続する検出部ゲート−アンプ間配線１３１とを有し、検出部ゲートおよび検出部ゲート−アンプ間配線を、保護膜１３４により、該保護膜と該検出部ゲートおよび該ゲート出力部間配線との間に空隙１３３が生ずるよう封止した。 （もっと読む）

【課題】耐湿性を向上することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１の表面に設けられた受光素子２と、半導体基板１の表面の上方に設けられた透光性基板４と、半導体基板１の表面と透光性基板４の表面との間に設けられ、透光性基板４を半導体基板１に固定する接着剤層５と、接着剤層５の透光性基板４および半導体基板１と接しない側面を覆う絶縁膜８とを備える。 （もっと読む）

【課題】保護部材の側面からの光の入射による迷光の発生を低減すると共に、保護部材の上に付着した封止樹脂による不良が生じることがない固体撮像装置を実現できるようにする。
【解決手段】固体撮像装置は、パッケージ１２と接着されたイメージセンサチップ１０と、イメージセンサチップ１０の受光面と接着された保護部材１８と、イメージセンサチップ１０の周囲を被覆する封止樹脂２６とを備えている。封止樹脂２６の上面の位置は、保護部材１８の上面の位置以下であり、封止樹脂２６における保護部材１８との接続部の上面は、封止樹脂２６における接続部以外の上面と比べて表面粗さが小さい。 （もっと読む）

【課題】透過率の高い反射防止膜、及び反射防止膜の製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明にかかる反射防止膜は、基板１上に形成された第１の酸化シリコン膜２と、第１の酸化シリコン膜２上に形成された６ｎｍ乃至１４ｎｍの膜厚を有するポリシリコン膜３と、ポリシリコン膜３上に形成された第２の酸化シリコン膜４と、を有する。
また、本発明にかかる反射防止膜は、基板１上に第１の酸化シリコン膜２を形成し、第１の酸化シリコン膜２上に６ｎｍ乃至１４ｎｍの膜厚を有するポリシリコン膜３を形成し、ポリシリコン膜３上に第２の酸化シリコン膜４を形成することで製造することができる。 （もっと読む）

【課題】レンズの破損を防止しつつ、正確な撮像テストを実施することのできるウエハスケールレンズ、ウエハスケールカメラモジュール、電子機器を提供する。
【解決手段】本発明のレンズウエハ１は、レンズ光学面１４よりも外側に、レンズ光学面１４の最も高い位置よりも高く突出した突起部１１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】特別な装置を必要とせず、簡単な方法で樹脂層の剥離を防止することが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に、複数の光電変換素子２を有する受光領域１０１と、周辺回路領域１０２とを有し、受光領域１０１及び周辺回路領域１０２上に第２の樹脂層８を形成する。その際、第２の樹脂層８上に複数の凸部９が配置する。また、凸部９は第２の樹脂層８の周縁に沿って配置する。更に、凸部９は第２の樹脂層８の受光領域１０１を除く周辺回路領域１０２上に配置する。或いは、凸部９は第２の樹脂層８の受光領域１０１及び周辺回路領域１０２上に配置する。 （もっと読む）

【課題】安価で信頼性が高く高品質な撮像用半導体装置と、これを効率的に生産することが可能な撮像用半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板２０と、配線基板２０に搭載されると共に配線基板２０に形成された接続パッド２４とワイヤボンディング接続された撮像用半導体素子３０と、撮像用半導体素子３０の撮像面に、撮像領域の周囲を一周する配置で設けられた封止材４０と、封止材４０の内側空間が密閉空間３８となるように封止材４０に接着された透光板５０と、封止材４０の外周囲と配線基板２０と透光板５０の間を充てんする樹脂６０と、を有していることを特徴とする撮像用半導体装置１０。 （もっと読む）

【課題】ＵＶ光が照射されても結晶中に結晶欠陥が形成されることを抑制し、撮像画面上に発生する白点やザラツキ等の画質低下を防止する。
【解決手段】フォトダイオード部１２０の光入射側にＵＶ遮光層１４０を設け、ＵＶ遮光層１４０を形成する工程以降の各ドライエッチング工程で発生するＵＶ光をＵＶ遮光層１４０で遮光することで、フォトダイオード部１２０中のＳｉ−Ｓｉ結合やＳｉ−Ｈ結合が切断されてダングリングボンド（結晶欠陥）が形成されるのを抑制する。 （もっと読む）

【課題】振動や衝突および落下の衝撃に対する信頼性を向上できるＸ線検出装置11を提供する。
【解決手段】蛍光体膜および光電変換素子を有するＸ線検出パネル12と、Ｘ線検出パネル12を支持する支持基板15との間に、ゲルシート35を配置する。ゲルシート35により、Ｘ線検出パネル12と支持基板15とを力学的に分離する。Ｘ線検出パネル12の質量は小さいことから、Ｘ線検出パネル12自体に作用する力は、ゲルシート35の弾性力および減衰力により吸収させることが可能となる。筐体16や支持基板15に与えた衝撃は、急激な運動量変化として支持基板15に作用するが、Ｘ線検出パネル12に対してはゲルシート35の持つ弾性力と減衰力により運動量変化と衝撃エネルギを緩和する。ゲルシート35は支持基板15に局部的に加わった外部応力も分散し、Ｘ線検出パネル12への影響を低減する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子の混色を抑制して色再現性を高め、シェーディング特性を向上させる。
【解決手段】固体撮像素子２０は、フォトダイオード２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂを備えた半導体基板２２と、凸型インナーレンズ２８を有するデバイス保護膜２３と、カラーフィルタ層２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ及びカラーフィルタ層間を隔てて分離する分離壁２５を有するカラーフィルタアレイとを備えている。 （もっと読む）

【課題】光導電層に到達するまでの放射線の減衰を低減すると共に、充填材を充填する際に生じる気泡の排出性に優れる。
【解決手段】光導電層404の表面を凸面で形成して、充填材444の厚みを薄くしているので、充填材444を透過する放射線の透過性が向上する。このため、光導電層404に到達するまでの放射線の減衰が低減する。また、光導電層404の表面が凸面で形成されているので、充填材444に気泡が混入した場合でも、光導電層404の表面が凹面や平面で形成されている構成に比べ、気泡は凸面に沿って凸面の頂から外側へ排出されやすいので、気泡の排出性に優れる。 （もっと読む）

【課題】
接続信頼性が高く、信号遅延による感度低下の少ないパッケージサイズが小さい裏面照射型固体撮像装置であって、外部装置と接続する電極の取り出し工程数の少ない裏面照射型固体撮像装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】
半導体基板１０の表面側にフォトダイオード１４及び電極パッド１５等の電荷転送部を形成する工程と、半導体基板１０の表面側に第１の接着剤１８により支持基板１７を接着する工程と、半導体基板１０の裏面側を薄層化し、薄層化された半導体基板１０の裏面側にＡＲ層１９、カラーフィルタ２０等の光層を形成する工程と、半導体基板１０の裏面側へ第２の接着剤２３により保護基板２２を接着する工程と、半導体基板１０から支持基板１７を剥離する工程とにより接続信頼性が高く、信号遅延による感度低下の少ない、パッケージサイズの小さい裏面照射型固体撮像装置を製造可能にする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＮ膜およびプラズマＳｉＮ膜を残さず除去することにより、プラズマＳｉＮ膜に起因する入射光の外部への反射およびその透過量を減少させると共にマイクロレンズから基板表面間距離を更に縮小して、受光感度を向上でき、しかも、マイクロレンズから基板表面間での光の多重反射を更に低減して色むらや感度むらを抑制する。
【解決手段】各色のフィルタ２３の直下に第４絶縁膜２２が平坦化されて設けられており、フィルタ２３と第４絶縁膜２２との間に、従来のような反射防止用のＳｉＯＮ膜や、パッシベーションおよび水素シンター用のプラズマＳｉＮ膜２５を残さず設けていない。 （もっと読む）

【課題】生産適正に優れ、シンチレータの発光取り出し効率、鮮鋭性が高く、平面受光素子面間での鮮鋭性の劣化が少ないシンチレータプレート、シンチレータパネル及びそれらを用いた放射線フラットパネルディテクターを提供する。
【解決手段】耐熱性樹脂基板１０１ａ上に防蝕性反射層１０１ｃ及びシンチレータ層１０１ｂを設けて成るシンチレータプレート１０１と、封止部１０３で封止される第１保護フィルム１０２ａと第２保護フィルム１０２ｂとでシンチレータパネル１ａを構成する。シンチレータ層１０１ｂの全面には空隙部１０８を設けているので、第１保護フィルム１０２ａとは実質的には接着されていない。シンチレータパネル１ａを放射線フラットパネルディテクターの構成要素とするとき、シンチレータプレート１０１を平面受光素子面と物理化学的に接着させないで用いることができる。 （もっと読む）

【課題】カバーガラスにα線遮蔽ガラスを使用するチップサイズパッケージタイプの固体撮像装置のコストダウンを図る。
【解決手段】ガラス基板１４は、安価な透明ガラスからなり、固体撮像装置のカバーガラスの基材に用いられる。このガラス基板１４の一方の面にα線遮蔽材１２を塗布し、α線遮蔽機能を付与する。その後に、固体撮像素子の周囲を取り囲むスペーサーの基材となるスペーサー用ウエハ１６を接着剤１７で接合し、レジストマスク１９を形成し、エッチングによりスペーサーを形成する。 （もっと読む）

【課題】積層型の光電変換装置において光電変換素子の欠陥が発生しても、ＴＦＴと分離し欠陥部の影響を周囲に与えないようにする。
【解決手段】絶縁基板上に光電変換素子と薄膜トランジスタとを有する画素が二次元状に複数配置されており、絶薄膜トランジスタ上に、層間絶縁膜となる第二の絶縁層６を介して光電変換素子が配置されており、光電変換素子が層間絶縁膜に設けられたコンタクトホール部を介して薄膜トランジスタのソース電極もしくはドレイン電極と接続されており、コンタクトホール部をレーザーの照射（レーザー照射領域１４）により除去し、光電変換素子と薄膜トランジスタのソース電極もしくはドレイン電極となる第二の導電層５との接続部を分離した画素を有する。 （もっと読む）

【課題】ハイブリッド型の固体撮像素子において、感度及び色再現性を向上させる。
【解決手段】行方向とこれに直交する列方向に配列された多数の画素を有する固体撮像素子であって、複数の基板内光電変換素子の各々で発生して蓄積される電荷は電子であり、基板上光電変換素子で発生して蓄積される電荷は正孔であって、信号読み出し回路に含まれるトランジスタのうち、読み出しトランジスタ１１３ｇはｐチャネルＭＯＳ型トランジスタであり、その他のトランジスタはｎチャネルＭＯＳ型トランジスタであるハイブリッド型撮像素子。 （もっと読む）

【課題】静電破壊に対する耐性の強い固体撮像装置を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体基板５１と、半導体基板の表面近傍に形成された第２導電型のウエルと、ウエル内に形成された入射光の光量に応じて生成された信号電荷を蓄積する複数の第１導電型の電荷蓄積領域と、複数の電荷蓄積領域の列に沿って形成され、電荷蓄積領域に蓄積された信号電荷が読み出され、読み出された信号電荷を列方向に転送する垂直ＣＣＤとを含む受光領域と、前記垂直ＣＣＤから転送された前記信号電荷を行方向に転送する水平ＣＣＤと、水平ＣＣＤの周辺領域の一部に形成された周辺回路と、半導体基板上５１に、受光領域を取り囲むように導電材料で形成され、第１導電型の半導体基板と電気的に接続されたシールド層９０と、シールド層９０上方に配置され、導電材料で形成された支持体５５と、支持体上に載置された透明部材５７とを有する固体撮像装置。 （もっと読む）