【課題】焦電型光検出器の検出出力を高めること。
【解決手段】焦電型光検出器は、基板１０と、基板上に支持される支持部材２１５と、支持部材に接して形成されている焦電型光検出素子２５１と、を有する。焦電型光検出素子２５１は、支持部材側に設けられる第１電極２３４と、第１電極と対向して設けられ、平面視における面積が、第１電極より小さい第２電極２３６と、第１電極２３４と第２電極２３６との間に設けられる焦電体２３２と、を含むキャパシター２３０を有する。焦電型光検出素子２５１はさらに、キャパシター上に形成されている光吸収層２７０を含む。平面視における光吸収層の面積を受光部面積Ａａとし、平面視における第２電極の面積をキャパシター面積Ａｃとし、Ａａ／Ａｃは、２．０＜Ａａ／Ａｃ＜４９．０を満足する。 （もっと読む）

【課題】赤外線検出部が配置された支持部が凹部と対向する場所に位置し、支持部が凹部の底に張り付くのを防止できる赤外線検出素子を提供する。
【解決手段】基板２と、基板２上に設置され空隙１７を囲む凹部１５を備えた絶縁膜１４と、一端が基板２に固定される梁２２によって保持され空隙１７と対向する場所に位置する支持部２３と、支持部２３上に設置され赤外線を検出する赤外線検出部４と、を備え、凹部１５はポリシリコンを含む撥水膜１６に覆われ、梁２２及び支持部２３は窒化シリコンまたは炭窒化シリコンを含む。 （もっと読む）

【課題】測定する波長帯域を広く設定できる熱型光検出器を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０と、シリコン基板１０上に形成され凹部３０を有するスペーサー部材２０と、スペーサー部材２０の凹部３０に向き合いスペーサー部材２０に支持される支持部材４０と、支持部材４０上に形成され熱を検出する焦電型の赤外線検出素子６０と、を含み、凹部３０は、底面にスペーサー部材２０の厚み方向に対して交差する方向に形成された第１平面３１と、底面と支持部材４０との間に、スペーサー部材２０の厚み方向に対して交差する方向に形成された第２平面３２と、を備え、第１平面３１および第２平面３２に光を反射する反射膜３６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ウェハ１枚当たりの赤外線センサの取れ数の減少を抑えつつ、ウェハごとに２種類の熱電要素のゼーベック係数を管理することが可能な赤外線センサの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の基礎となるウェハ２００の一表面側へのｎ形ポリシリコン層３４（第１の熱電要素）の形成と同時に第１シート抵抗モニタ部２３４を形成し、且つ、ウェハ２００の上記一表面側へのｐ形ポリシリコン層３５（第２の熱電要素）の形成と同時に第２シート抵抗モニタ部２３５を形成するようにし、第１シート抵抗モニタ部２３４のシート抵抗および第２シート抵抗モニタ部２３５のシート抵抗それぞれを測定し、予めデータベース化されているシート抵抗とゼーベック係数との関係に基づいて、第１シート抵抗モニタ部２３４および第２シート抵抗モニタ部２３５のゼーベック係数がそれぞれの管理規格範囲内にある良品か管理規格範囲外にある不良品かを判定する。 （もっと読む）

【課題】受光素子での光検知の空間分解能を向上させることが可能な検知装置を提供する。
【解決手段】検知装置は、複数の受光素子１と、各受光素子１と協働する回路部品２と、各受光素子１が収納されたパッケージ３とを備えている。検知装置は、回路部品２もパッケージ３に収納されている。検知装置は、パッケージ３内において各受光素子１が互いに離間して配置されている。 （もっと読む）

【課題】感度の向上および隣接セル間での混色の抑制が可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板１と、半導体基板１に形成され光を信号電荷に変換する受光部２と、受光部２の上方に対応する部位に形成された開口６ａを除き、半導体基板１の上側を覆う遮光層６と、遮光層６を覆い且つ開口６ａを閉塞する形で形成された光透過層８ａと、光透過層８ａの上方に設けられ、入射光Ｉｎ１を受光部２に集光するマイクロレンズ９ｃとを備える。そして、光透過層８ａは、空気に対する屈折率差が酸化シリコンの空気に対する屈折率差よりも大きい透光性材料からなり、光透過層８ａには、少なくとも遮光層６の開口６ａの外周部の上方に対応する部位に厚み方向に貫通するエアギャップＧ１が形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】焦電体が還元ガスにより還元されて焦電効果を失することを防止することができる焦電型検出器、焦電型検出装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】基体１００より突出するスペーサー部材１０４に支持される支持部材２１０に支持される焦電型検出素子を有し、焦電型検出素子は第１電極２３４と第２電極２３６と第１，第２電極間に配置された焦電体２３２とを含むキャパシター２３０を有し、熱型検出素子はキャパシターの表面を覆う絶縁層２５０と絶縁層が第２電極と対面する位置に形成された第２開口部２５２と開口部に埋め込まれたプラグ２２６と絶縁層上に形成され第２電極にプラグを介して接続される第２電極配線層２２４と絶縁層とキャパシターとの間に形成された第１開口部を有する第１還元ガスバリア層２４０と少なくともプラグを覆って層間絶縁層及び第２電極配線層上に形成された第２還元ガスバリア層２６０を含む。 （もっと読む）

【課題】 熱型光検出器の検出感度を向上させること。
【解決手段】 熱型光検出器は、基板１０と、基板との間に空洞部が形成されるように支持される支持部材２１５と、支持部材に支持される熱検出素子２３０と、熱検出素子上に設けられ、入射する光に対して光反射特性を有する材料で構成され、かつ、平面視で、支持部材の領域に入射する光の一部が支持部材２１５側に進入することを可能とするパターンを有する集熱部ＦＬと、集熱部と熱検出素子とを接続する接続部ＣＮと、を備える熱伝達部材２６０と、熱伝達部材と支持部材との間において、熱伝達部材に接して形成されている第１光吸収層２７０と、熱伝達部材上において、熱伝達部材と接して形成されている第２光吸収層２７２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】周辺回路の発熱の影響を防止し、良好なＳＮ比を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】表面と裏面とを有するシリコン基板３０１の表面に、複数の検出器８０２からなる検出器アレイ８０１と、検出器から読み出した電気信号を増幅する出力アンプと５０８、クロック信号を増幅するクロックドライバ５０６とを含む固体撮像装置３００において、検出器アレイ８０１と、出力アンプ５０８およびクロックドライバ５０６との間のシリコン基板３０１に、該シリコン基板３０１の熱伝導を妨げるように空隙５０５が設けられる。検出器は、ＣＣＤまたはＣＭＯＳから形成される。 （もっと読む）

【課題】 熱型光検出器の検出感度を向上させること。
【解決手段】 熱型光検出器は、基板１０と、基板に対して空洞部１０２を介して支持される支持部材２１５と、記支持部材上に形成されている熱検出素子２３０と、熱検出素子と分離して、支持部材上における熱検出素子の周囲領域の少なくとも一部において形成されている光反射層２３５と、熱検出素子および光反射層上に形成されている光吸収層（２７０，２７２）と、熱検出素子と接続部ＣＮによって接続され、平面視で接続部よりも広い面積を有し、少なくとも一部の波長域の光に対して光透過性を有し、かつ光吸収層の内部に形成されている集熱部ＦＬを備える熱伝達部材２６０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の画像品質を向上する。
【解決手段】熱電対素子群２１０の受光面がグレーティング構造になるように、複数の熱電対２１１〜２１６について間を隔てて配置する。入射光がグレーティング構造へ入射して受光面でプラズモン共鳴が発生し、その熱電対素子群２１０においてプラズモン共鳴が発生した部分の温度が変化することによって、各熱電対２１１〜２１６において起電力が生ずるように、熱電対素子群２１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】赤外線センサ感度を低下させることなく、熱容量を低減し、信頼性が高く低コストとすることができる赤外線センサ素子を提供することである。
【解決手段】実施形態の赤外線検出素子によれば、感熱吸収体層に上部が広がった形状の貫通孔を形成することにより、感熱ユニットの熱容量を低減し、赤外線吸収量の低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上した撮像素子、撮像モジュール及び撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の撮像素子は、基板と、光検出部と、回路部と、貫通配線と、を備える。基板は、凹部及び貫通孔を有する。凹部は基板の第１主面に設けられる。凹部は、第１主面とは反対の第２主面の方向に後退して設けられる。貫通孔は第１主面と第２主面とに連通し第１主面から第２主面に向かう第１方向に延在する。光検出部は、凹部の上で基板と離間して設けられる。回路部は、光検出部と導通し、第１主面の上に設けられる。
貫通配線は、回路部と導通し貫通孔の内部に設けられる。凹部は、第１主面に対して傾斜する第１傾斜面を有する。貫通孔は、第１傾斜面に平行な第２傾斜面を有する。 （もっと読む）

【課題】画素部の温度補正をより正確に行うことのできる非冷却赤外線イメージセンサを提供する。
【解決手段】半導体基板２上の表面部分に配列された第１空洞部３ａが形成された第１領域に第１空洞部に対応して第１空洞部の上方に設けられた複数の画素セル１１と半導体基板上の第２領域に複数の画素セルの各行または各列に対応して設けられた参照画素セル２１とを有し、各参照画素セルは入射された赤外線を吸収する第２赤外線吸収膜の熱を検出して電気信号を生成し、第１感熱素子２１と同特性の第２感熱素子２２を含み、第１感熱素子接続する第１および第２配線を有する支持部１５と、第２感熱素子に接続する第３および第４配線を有する配線部２５とを更に備え、配線部の第３および第４配線は、第１および第２配線と同じ電気抵抗を有し、参照画素セルは半導体基板に接するように設けられ、配線部の下方の半導体基板の表面部分に第２空洞部３ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／Ｎ比の向上を図れる赤外線センサ装置を提供する。
【解決手段】第１のパッドＶout1〜Ｖout8の電位をＶout、第２のパッドＶsel1〜Ｖsel8の電位をＶs、第３のパッドＶchの電位をＶwell、第４のパッドの電位ＶrefinをＶref、感温部（熱電変換部）３０の出力電圧をＶo、ウェル領域（チャネル形成用領域）４１とソース領域４４とで構成される第１の寄生ダイオードおよびウェル領域４１とドレイン領域４３とで構成される第２の寄生ダイオードのしきい値電圧をＶthとするとき、制御手段が、ｎＭＯＳトランジスタからなるＭＯＳトランジスタ４をオン状態とする際の第２のパッドＶsel1〜Ｖsel8の電位ＶsをＶonとしたときに、−Ｖth＜｛Ｖwell−（Ｖref＋Ｖｏ）｝＜Ｖthの関係を満たすように設定されたＶref、Ｖwellの条件で赤外線アレイセンサ１００を制御する。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子とシンチレータとの間に設けられる保護層による光電変換素子の量子効率の低下の度合を低減し、かつ、光電変換素子等が腐食することを的確に防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、入射した放射線を光に変換するシンチレータ４が一方の面５ａに形成された第一の基板５と、シンチレータ４により変換された光を受けて電気信号に変換する光電変換素子１４が一方の面３ａに形成された第二の基板３とを備え、第二の基板３の、光電変換素子１４が設けられた側の面３ａ上には、第一の基板５の面５ａ上に形成されたシンチレータ１４と接触する保護層２０が形成されており、保護層２０は、光電変換素子１４のシンチレータ４に対向する受光面１４ａ上の部分では、シンチレータ４から離間する状態で凹部２０ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】電磁放射検出デバイスを提供する。
【解決手段】電磁放射検出デバイスは、一つ以上のサブアセンブリ（３００）にまとめられた複数の基本検出器（３２、３２０）を含む。各サブアセンブリは複数の基本検出器（３２、３２０）を含む。各基本検出器（３２、３２０）は、相互接続部（３２．１、３２０．１）によってインピーダンス整合デバイス（３３）に接続されている。そして、インピーダンス整合デバイス（３３）が、単一のサブアセンブリ（３００）の全ての基本検出器（３２、３２０）に共通であり、各サブアセンブリ（３００）において、相互接続部（３２．１、３２０．１）が略同一の抵抗値を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外乱赤外線をより適切に遮断することができ、画像劣化を抑制することができる赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面には、空洞部１ａの開口を覆うように面状に遮蔽膜７及び反射膜８が形成されている。即ち、遮蔽膜７は、半導体基板１における光学系１５０と対向する面に、機械的でかつ熱的に接続されている。反射膜８は、遮蔽膜７の表面の全体を覆うように形成されている。撮像画素開口１０１ａは、遮蔽膜７及び反射膜８に空けられている。遮蔽膜７及び反射膜８は、撮像画素開口１０１ａで、光学系通過赤外線１５２のみを空洞部１ａ内の温度検出部５へ通す。遮蔽膜７及び反射膜８は、これらの面全体における撮像画素開口１０１ａ以外の箇所で、外乱赤外線を遮断・反射する。 （もっと読む）

【課題】焦電型の赤外線検出素子及びこれを用いた赤外線検出装置において、画素として用いる赤外線検出素子の受光面積を小さく、膜厚を薄くしても、ノイズの影響を低減化することを目的とする。
【解決手段】基板１１と、支持電気絶縁層１２と、第１の電極１４と、焦電層１５と、第２の電極１６と、を備える。焦電層１５は、受光面積が１×１０^２μｍ^２以上１×１０^４μｍ^２以下であり、膜厚が０．８μｍ以上１０μｍ以下であり、且つ、Ｐｂ（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）Ｏ_３（但し０．５７＜ｘ＜０．９３とする）で表される化合物を主成分とする。圧電ノイズを抑え、十分な焦電特性が得られ、高い感度の検出が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 焦電型光検出素子に光は入射する一方で還元ガスが侵入し難くした構造を有する焦電型光検出器及びその製造方法並びに焦電型光検出装置及び電子機器を提供することにある。
【解決手段】 焦電型光検出器２００は、焦電型光検出素子２００と、焦電型光検出素子を搭載した支持部材２１０と、焦電型光検出素子と対向する位置に空洞部１０２を配置して支持部材を支持する固定部１００と、焦電型光検出素子側から見た平面視にて支持部材の輪郭に沿って開口されて、空洞部と連通する開口部１０２Ａと、支持部材の第１面と、開口部に臨む支持部材の側面２１１Ｃと、平面視にて露出する焦電型光検出素子及び支持部材の外表面２２０Ａと、を覆う第１還元ガスバリア層１４０，２８０と、を有する。 （もっと読む）