赤外線検出素子
【課題】赤外線センサ感度を低下させることなく、熱容量を低減し、信頼性が高く低コストとすることができる赤外線センサ素子を提供することである。
【解決手段】実施形態の赤外線検出素子によれば、感熱吸収体層に上部が広がった形状の貫通孔を形成することにより、感熱ユニットの熱容量を低減し、赤外線吸収量の低下を防止することができる。
【解決手段】実施形態の赤外線検出素子によれば、感熱吸収体層に上部が広がった形状の貫通孔を形成することにより、感熱ユニットの熱容量を低減し、赤外線吸収量の低下を防止することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、赤外線検出素子に関する。
【背景技術】
【0002】
非冷却型(熱型)赤外線センサは、赤外線吸収層によって赤外線を吸収して熱に変換し、熱電変換素子によって熱を電気信号に変換する素子である。非冷却型赤外線センサでは、赤外線吸収層及び熱電変換素子を外系と熱的に隔離するように、表面微細構造またはバルク微細構造形成技術が活用される。冷却型(量子型)赤外線センサが効果で大きな冷却器を必要とするのに対し、非冷却型赤外線センサは小型で安価というメリットがある。
【0003】
この非冷却型赤外線センサの一画素あたりの感度は、単位面積当たりの入射赤外線パワーをIlight、検出セルの赤外線吸収率をγ、単位画素当たりの赤外線吸収面積をAD、検出セルから半導体基板への熱コンダクタンスをGth、pn接合の熱電変換係数をdV/dTとすると、熱電変換部の出力信号Vsignalは(1)式で表される。
【0004】
Vsignal = (IlightADγ/Gth)(dV/dT) ・・・(1)
また、赤外線センサ素子の応答特性は検出セルの熱容量Cthと熱コンダクタンスGthを用いると(2)式で表される。
【0005】
τ = Cth / Gth ・・・(2)
(2)式において、τは熱時定数であり、入射信号に対する出力信号変化が最大値の約63%に変化するまでの時間を意味し、応答特性を指標となるものである。
【0006】
赤外線センサ感度を向上させるためには、(1)式より赤外線吸収面積ADや赤外線吸収率γ、pn接合の熱電変換係数dV/dTの向上、または熱コンダクタンスGthを低減させれば良い。
【0007】
しかしながら、pn接合の熱電変換係数dV/dTはダイオードの個数に比例するものの、個数増加はすなわち駆動電力の増加を意味し、消費電力が増えてしまう。また、ダイオード単体のdV/dT特性は半導体のバンドギャップエネルギーで決定されるため、大幅な増加は期待できない。熱コンダクタンスGthを低減させると、感度は向上するものの、熱時定数が悪化し、応答性低下する。赤外線吸収面積ADの増加も、増加分だけ画素ピッチサイズを増加させてしまい、且つ熱容量増加により応答性が低下する。赤外線吸収率γは単層の場合、吸収率は厚みに対して指数関数的に増加するため、所望の吸収率を得ようとすると、結果的に熱容量が増加し、応答性が低下する。つまり、感度と応答性はトレードオフの関係にあるため、どちらかを特性向上を優先した場合、他方は特性劣化が免れない状況にある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【特許文献1】特開2001−156277号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
発明が解決しようとする課題は、赤外線センサ感度を低下させることなく、熱容量を低減し、信頼性が高く低コストとすることができる赤外線センサ素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上記課題を達成するために、実施形態の赤外線検出素子は、表面に空洞部が設けられた半導体基板を備える。また、この半導体基板の空洞部を囲む領域に形成された信号配線部を備える。また、この信号配線部に接続され、この信号配線部より内側であってこの半導体基板の空洞部よりも上側に配置された支持部を備える。また、この支持部に接続され、この支持部よりも内側であってこの半導体基板の空洞部よりも上側に支持され、熱電変換部と、吸収層と、が順次積層されている検出セルを備える。また、前記吸収層に、上部が広がった形状である複数の孔を設けている。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】第1の実施形態に係る赤外線検出素子を示す平面図。
【図2】図1のA−A’線断面図。
【図3】図1のB−B’線断面図。
【図4】図2、図3のC−C’線断面図。
【図5】第1の実施形態に係る赤外線検出素子の断面図。
【図6】第1の実施形態に係る赤外線検出素子の断面図。
【図7】第1の実施形態に係る赤外線検出素子の断面図。
【図8】第1の実施形態に係る赤外線検出素子の平面図。
【図9】第1の実施形態に係る赤外線検出素子の平面図。
【図10】第1の実施形態に係る赤外線検出素子の平面図。
【図11】第1の実施形態に係る赤外線検出素子の断面図。
【図12】第1の実施形態に係る赤外線検出素子の赤外線センサ支持部の断面図。
【図13】第1の実施形態に係る赤外線検出素子の赤外線センサ支持部の断面図。
【図14】第1の実施形態に係る赤外線検出素子の赤外線センサ支持部の断面図。
【図15】第1の実施形態に係る赤外線検出素子の赤外線センサ支持部の断面図。
【図16】第1の実施形態に係る赤外線検出素子の特性を示すグラフ。
【図17】第1の実施形態に係る赤外線検出素子の特性を示すグラフ。
【図18】第2の実施形態に係る赤外線検出素子を示す平面図。
【図19】図18のA−A’線断面図。
【図20】第2の実施形態に係る赤外線検出素子の赤外線センサ支持部の断面図。
【図21】第2の実施形態に係る赤外線検出素子の赤外線センサ支持部の断面図。
【図22】第2の実施形態に係る赤外線検出素子の赤外線センサ支持部の断面図。
【図23】第3の実施形態に係る赤外線検出素子を示す平面図。
【図24】図23のA−A’線断面図。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、発明を実施するための形態について、説明する。
【実施例】
【0013】
(第1の実施の形態)
以下、第1の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、以下の図面の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号が付してある。
【0014】
図1は、第1の実施形態に係る赤外線検出素子の平面図である。図2は、図1のA−A’線断面図である。図3は、図1のB−B’線断面図である。
【0015】
第1の実施形態に係る赤外線検出素子は、後述するように、それぞれが赤外線を吸収して熱に変換する赤外線吸収層である保護絶縁膜8と、当該熱を電気信号に変換する熱電変換部10と、を有する検出セル1をマトリックス状に多数配置した検出器アレイとして構成している。また、図1に示すように、検出セル1は、ほぼ一定間隔で水平方向に配列した水平アドレス線3aと、同様にほぼ垂直方向に配列した垂直信号線3bに囲まれた領域内に配置されている。また、検出セル1は、1対の支持部2を介して水平アドレス線3aおよび垂直信号線3bに接続している。1対の支持部2は、後述するように、検出セル1を中空に保持する機能も持っている。
【0016】
さらに、図1では、支持部2の一端が水平アドレス線3aまたは垂直信号線3bと接続されている。ここで、水平アドレス線3aまたは垂直信号線3bにて、信号配線部3が形成されている。また、支持部2の他端が検出セル1と接続しており、検出セル1は支持部2のみによって支えられ中空に浮いた状態となる。さらに、検出セル1には、四角形の検出セル貫通孔12が規則的に配置されている。
【0017】
次に、第1の実施形態の赤外線検出素子の全体構成を図2、図3を用いて説明する。
【0018】
図2に示すように、半導体基板4の表面には空洞部7が設けられている。また、半導体基板4の空洞部7を囲む領域には、信号配線部3とその周囲を被覆する絶縁材料からなる保護絶縁膜8を含む水平アドレス線/垂直信号線が形成されている。ここで、保護絶縁膜8は、赤外線を吸収する吸収層の役割を果たしている。図2、図3では垂直信号線3bで示しているが、A−A’線に垂直な断面では信号線は水平アドレス線3aとなる。
【0019】
また、この水平アドレス線3aまたは垂直信号線3bには、信号線より内側で半導体基板4の空洞部7上に配置されるように、支持配線部20とその周囲を被服する絶縁材料からなる保護絶縁膜8を含む支持部2が接続されている。
【0020】
支持部2には、半導体基板4の空洞部7上に支持されるように、検出セル1が接続されている。この検出セル1は、熱電変換部10と、検出セル配線部11とそれらの周囲を被覆する絶縁材料からなる保護絶縁膜8と、保護絶縁膜8にテーパー加工された検出セル貫通孔12と、を含んでいる。
【0021】
ここで、熱電変換部10と検出セル配線部11は、電気的に導通しているが、図2、図3では省略している。保護絶縁膜8は、赤外線吸収部の機能を兼ねており、二酸化シリコン、窒化シリコンなどの絶縁材料によって、単層または多層構造で形成されるが、図2、図3では簡略的に保護絶縁膜8としている。
【0022】
素子全体は真空パッケージされ、検出セル1や支持部2の周囲および空洞部7の雰囲気は真空となっている。このように、半導体基板4から分離された検出セル1を真空中に置くことにより、検出セル1の断熱性を向上させ、感度を高めるようにしている。
【0023】
熱電変換部10は、pn接合を有し、pn接合の順方向特性の温度依存性を利用し、電流または電圧一定の条件化で順方向電圧または電流の変化を読み出す。
【0024】
検出セル1の熱電変化部10と検出セル貫通孔12の詳細な構成は、図4に示すように、検出セル貫通孔12は、熱電変化部10の周辺部の保護絶縁膜8に設けられている。図4は図2、図3の熱電変換部10を含む層C−C’線における平面図である。
【0025】
次に、第1の実施形態に係る赤外線検出素子の製造工程の手順について説明する。図5〜図15は、第1の実施形態に係る赤外線検出素子の製造工程を示す断面図である。
【0026】
まず、図5に示すように、半導体基板4上に保護絶縁膜8を形成し、その上に熱電変換部10と保護絶縁膜8を互いに隣接して形成する。半導体基板4としてSOI基板を用いた場合には、SOI基板の埋め込み酸化膜を保護絶縁膜8として用いてもよい。熱電変換部10は、例えば単結晶シリコンを材料とするpnダイオードである。熱電変換部10に隣接して形成される保護絶縁膜8は、例えば二酸化シリコンを材料とする素子分離領域として作用する。
【0027】
次に、図6に示すように、半導体基板4に形成された保護絶縁膜8上に、金属膜などの導電性材料を形成してパターニングすることにより、信号配線部3、支持配線部20、検出セル配線部11を形成する。なお、図6では、信号配線部3、支持配線部20、検出配線部11は同層にて形成しているが、複数の工程に分けてそれぞれ異なる導電性材料や厚みなどにしても構わない。
【0028】
次に、図7に示すように、半導体基板4の全面に保護絶縁膜8をさらに形成する。この際、保護絶縁膜8は、赤外吸収部の機能も兼ねるため、例えば赤外吸収率の高い材料を選択したり、屈折率の異なる材料による多層構造にしたりしても良い。
【0029】
次に、図8に示すように、エッチングホール5を形成するためのフォトリソグラフィー工程が行われる。具体的には、フォトレジスト9を保護絶縁膜8上に塗布し、マスクを用いたリソグラフィーにより、フォトレジスト9にパターンを形成する。
【0030】
このとき、パターニングしたフォトレジスト9に熱処理を加え、リフローさせることで、図8に示すように、フォトレジスト9の断面形状は下部が広がりをもつテーパー形状となる。なお、リフロー処理以外にも、例えばフォトリソグラフィーの露光エネルギーや露光時間、焦点距離などの調整により、レジスト下部が広がりを持った断面形状を形成することができる。
【0031】
次に、図9に示すように、フォトレジスト9に対して、エッチングホール5のパターンに加え、検出セル貫通孔12のパターンを形成する。なお、図9は、同工程における図1のB−B’線断面図であり、エッチングホール5と検出セル貫通孔12のパターニングは同一工程で行われる。
【0032】
ここで、赤外線が照射される側の保護絶縁膜8の検出セル貫通孔12の最大直径は、15μm以下が望ましい。検出セル貫通孔12の最大直径が15μm以上となった場合、赤外線の波長域である8〜14μmの波長を保護絶縁膜8が吸収できず、検出セル貫通孔12を当該赤外線が追加してしまい、吸収感度が低下してしまう。
【0033】
また、検出セル貫通孔12の上部が広がった形状のテーパー角は、45°以上90°以下が望ましい。当該テーパー角が45°以下の場合には、RIE等の異方性エッチングによりエッチングする工程にて、保護絶縁膜8の厚さが厚いため、プロセス上困難となる。当該テーパー角が90°以上の場合には、赤外線を保護絶縁膜8の検出セル貫通孔12の内部で反射されにくく、当該赤外線の吸収感度が低下してしまう。
【0034】
さらに、赤外線が照射される面と対面する面の検出セル貫通孔12の直径は、検出セル貫通孔12の隣り合う距離よりも大きいことが望ましい。赤外線が照射される面と対面する面の検出セル貫通孔12の直径は、検出セル貫通孔12の隣り合う距離よりも小さい場合には、検出セル貫通孔12と保護絶縁膜8の屈折率の関係から、検出セル貫通孔12の屈折率が保護絶縁膜8の屈折率よりも影響が大きくなり、赤外線が保護絶縁膜8に吸収されず、吸収感度が低下してしまう。
【0035】
次に、図10に示すように、半導体基板4の一部に、例えばRIE等の異方性エッチングによってエッチングホール5を形成し、半導体基板4の表面を露出させる。前述したエッチングにより、検出セル1が形成される領域と、支持部2が形成される領域とが互いに分離して形成される。
【0036】
次に図11に示すように、図10と同様に、導体基板4の一部に、例えばRIE等の異方性エッチングによって検出セル貫通孔12を形成し、半導体基板4の表面を露出させる。
【0037】
次に、図12に示すように、エッチングホール5の底面から半導体基板4を徐々にエッチングし、空洞部7を形成する。この工程に用いられるエッチング液として、例えばTMAHやKOH等の異方性エッチング溶液が用いられる。
【0038】
ここで、図13に示すように、支持部2の保護絶縁膜8の一部を深さ方向に、RIE等の異方性エッチングによって削ることで、支持部2の熱コンダクタンスを低減させても良い。
【0039】
図13に示す場合には、図14に示すように、図12と同様に、エッチングホール5の底面から半導体基板4を徐々にエッチングし、空洞部7を形成する。この工程に用いられるエッチング液として、例えばTMAHやKOH等の異方性エッチング溶液が用いられる。
【0040】
次に、図15に示すように、図11と同様に、導体基板4の一部に、例えばRIE等の異方性エッチングによって検出セル貫通孔12を形成し、半導体基板4の表面を露出させる。
【0041】
ここで、第1の実施形態に係る非冷却赤外線素子の赤外線を吸収する役割を持つ保護絶縁膜8は、例えば、二酸化シリコン、窒化シリコン等の絶縁材料が用いられるが、この他に赤外線(8〜14μm)に吸収感度を持つ材料でも良い。
【0042】
さらに、図16は、前述した図5〜図15に記載した製造プロセスを用いて赤外線検出素子を作製し、当該赤外線センサ素子の特性指標となる感度と応答性に関して評価を行った結果を示したグラフである。図16では、検出セル貫通孔12は一辺2umの長さの正方形とし、テーパー角75度となるように作製した。検出セル貫通孔12の数を変化させることで、検出セル1内における検出セル貫通孔12が占める割合を変化させている。
【0043】
ここで、図16の横軸は、検出セル面積に対する貫通孔が占める割合を表している。また、グラフ中の菱形のプロットは、貫通孔がない従来構造との相対感度比を表しており、グラフ中の丸形プロットは、貫通孔がない従来構造との熱時定数比を示している。
【0044】
図16に示すように、感度に関しては、菱形のプロットに示すように、作製した中で最も貫通孔面積の広い占有率0.25においても、感度低下が見られなかった。一方で、丸形のプロットに示すように、貫通孔により検出セルの熱容量は低減されており、熱時定数は占有率に応じて減少傾向となることが確認できた。図16の実験データを示すグラフから、占有率0%の従来構造の赤外線センサ素子に対して、レイアウト変更のみで感度を低下させることなく、応答特性が25%改善されたことが確認できた。
【0045】
さらに、これまでの構造と応答特性を同じとした場合には、熱コンダクタンスを低減させ、検出セル1の吸収層である保護絶縁膜8の厚膜化が可能となる。保護絶縁膜8の厚幕化については、膜種の厚みや屈折率や積層順番によって吸収スペクトルが変化するため、一概に感度変化を議論することが難しい。
【0046】
ここで、図17に示すように、熱コンダクタンスの変化に関して検証すると、占有率が大きい構造ほど、熱コンダクタンスを小さくすることが可能となっており、占有率0.25において1.35倍の感度向上が得られることが確認できた。
【0047】
以上から、第1の実施形態の赤外線検出素子では、赤外線検出セル1内にテーパー形状を持つ貫通孔12を形成することにより、貫通孔を形成しない赤外線検出セルと同等の吸収効率を持ちながら、熱容量を小さくすることが可能となる。
【0048】
また、第1の実施形態の赤外線検出素子では、従来と同感度を持ちながらセンサの応答速度の高速化が可能となり、さらに、従来と同じ応答速度を持ちながら赤外線吸収層の厚膜化による吸収率の向上や、支持脚のスリム化による熱コンダクタンスの向上による感度増加が可能となる。
【0049】
また、第1の実施形態の赤外線検出素子では、従来のエッチングホール形成時のマスクパターン変更のみで対応できることから、コスト増加や歩留まり低下の懸念がない。
【0050】
また、第1の実施形態の赤外線検出素子では、空洞化を形成する際に、検出セル貫通孔12を設けることで、従来は検出セル1の周辺部のエッチングホール5より半導体基板4のエッチングが進行していたものに対し、検出セル貫通孔12からもエッチングが進行するため、エッチング処理時間を大幅に短縮することができ、空洞化不良の低減やコスト低下も得られる。
【0051】
(第2の実施の形態)
また、第2の実施の形態について、以下に説明する。
【0052】
図18は、第2の実施形態に係る赤外線検出素子の平面図である。また、図19は図18のA−A’線断面図である。
【0053】
まず、第2の実施形態の赤外線検出素子の全体の構成について、図18を用いて説明する。
【0054】
図19に示すように、半導体基板4の表面には、空洞部7が設けられている。半導体基板4の空洞部7を囲む領域には、信号配線部3とその周囲を被覆する絶縁材料からなる保護絶縁膜8を含む水平アドレス線/垂直信号線が形成されている。図19では垂直信号線3bで示しているが、A−A’線に垂直な断面では信号線は水平アドレス線3aとなる。この水平アドレス線3aまたは垂直信号線3bには、信号線より内側で半導体基板4の空洞部7上に配置されるように、支持配線部20とその周囲を被服する絶縁材料からなる保護絶縁膜8を含む支持部2が接続されている。
【0055】
また、支持部2には、半導体基板4の空洞部7上に支持されるように、検出セル1が接続されている。この検出セル1は、熱電変換部10と、検出セル配線部11と、それらの周囲を被覆する絶縁材料からなる保護絶縁膜8と、保護絶縁膜8にテーパー加工された検出セルトレンチ13と、を含む。
【0056】
具体的には、熱電変換部10と検出セル配線部11は電気的に導通しているが、図19では省略している。保護絶縁膜8は、赤外線吸収部の機能を兼ねており、二酸化シリコン、窒化シリコンなどの絶縁材料によって、単層または多層構造で形成されるが、図18では簡略的に保護絶縁膜8としている。
【0057】
素子全体は真空パッケージされ、検出セル1や支持部2の周囲および空洞部7の雰囲気は真空となっている。このように、半導体基板4から分離された検出セル1を真空中に置くことにより検出セル1の断熱性を向上させ、感度を高めるようにしている。
【0058】
熱電変換部10はpn接合を有し、pn接合の順方向特性の温度依存性を利用し、電流または電圧一定の条件化で順方向電圧または電流の変化を読み出す。
【0059】
次に、第2の実施形態の赤外線検出素子の製造工程の手順について、図20〜図22を示して説明する。なお、第1の実施形態の赤外線検出素子の製造工程を示す図5〜図7、図12と同様の製造工程の部分については、図面を省略する。
【0060】
まず、図5と同様に、半導体基板4上に保護絶縁膜8を形成し、その上に熱電変換部10と保護絶縁膜8を互いに隣接して形成する。半導体基板4としてSOI基板を用いた場合には、SOI基板の埋め込み酸化膜を保護絶縁膜8として用いてもよい。熱電変換部10は、例えば単結晶シリコンを材料とするpnダイオードである。熱電変換部10に隣接して形成される保護絶縁膜8は、例えば二酸化シリコンを材料とする素子分離領域として作用する。
【0061】
次に、図6と同様に、基板前面に保護絶縁膜8を形成し、その上に金属膜などの導電性材料を形成してパターニングすることにより、信号配線部3、支持配線部20、検出セル配線部11を形成する。図20では信号配線部3、支持配線部20、検出配線部11は同層にて形成しているが、複数の工程に分けてそれぞれ異なる導電性材料や厚みなどにしても構わない。
【0062】
次に、図7と同様に、半導体基板4基板上に保護絶縁膜8を形成するが、この際、保護絶縁膜8は赤外吸収部の機能も兼ねるため、例えば赤外吸収率の高い材料を選択したり、屈折率の異なる材料による多層構造にしたりしても良い。赤外線吸収部は、例えば、二酸化シリコン、窒化シリコン等の絶縁材料が用いられるが、この他に赤外線(8〜14μm)に吸収感度を持つ材料でも良い。
【0063】
次に、図20に示すように、半導体基板4の一部に、例えばRIE等の異方性エッチングによってエッチングホール5を形成し、半導体基板4の表面を露出させる。前述したエッチングにより、検出セル1が形成される領域と、支持部2が形成される領域とが互いに分離して形成される。ここで、図20では、エッチングホール5をテーパーレスの断面形状で記載しているが、本発明の第1の実施形態のように、テーパー加工しても構わない。
【0064】
次に、図21に示すように、支持部2の保護絶縁膜8の一部を深さ方向に、RIE等の異方性エッチングによって削り、支持部2の熱コンダクタンスを低減させるためのパターニングをフォトリソグラフィー工程により行う。このとき図21のように、検出セル1上にテーパーを持つフォトレジスト9を形成する。
【0065】
次に、図22に示すように、RIE等の異方性エッチングを行うと、支持部2は、深さ方向に削られ、検出セル1の上面にテーパーを有する検出セルトレンチ13が形成される。
【0066】
次に、図12と同様に、エッチングホール5の底面から半導体基板4を徐々にエッチングし、空洞部7を形成する。この工程に用いられるエッチング液として、例えばTMAHやKOH等の異方性エッチング溶液が用いられる。
【0067】
ここで、第1の実施形態の赤外線検出素子では、検出セル貫通孔12を設けていたのに対し、第2の実施形態の赤外線検出素子では検出セルトレンチ13を設けている。
【0068】
これは、第1の実施形態の赤外線検出素子の検出セル貫通孔12の場合には、検出セルに設けられている熱電変換部10や検出セル配線部11を考慮したパターニングが必要であるのに対し、第2の実施形態の赤外線検出素子では、保護絶縁膜8領域のパターニングのみのため、レイアウトの制約が一切無くなり、目的に沿った光学的な作用を容易に作製可能となる。
【0069】
以上、第2の実施形態の赤外線検出素子では、赤外線検出セル1の上部にテーパー形状を持つトレンチ13を形成することにより、トレンチを形成しない赤外線検出セルと同等の吸収効率を持ちながら、熱容量を小さくすることが可能となる。
【0070】
また、第2の実施形態の赤外線検出素子では、従来と同感度を持ちながらセンサの応答速度の高速化が可能となり、さらに、従来と同じ応答速度を持ちながら赤外線吸収層の厚膜化による吸収率の向上や、支持脚のスリム化による熱コンダクタンスの向上による感度増加が可能となる。
【0071】
また、第2の実施形態の赤外線検出素子では、従来のエッチングホール形成時のマスクパターン変更のみで対応できることから、コスト増加や歩留まり低下の懸念がない。
【0072】
(第3の実施の形態)
さらに、第3の実施の形態について、以下に説明する。
【0073】
図23は、第3の実施形態に係る赤外線検出素子の平面図である。図24は、図23のA−A’線断面図である。
【0074】
まず、第3の実施形態の赤外線検出素子の全体の構成について、図23、図24を用いて説明する。
【0075】
図24に示すように、半導体基板4の表面には空洞部7が設けられている。半導体基板4の空洞部7を囲む領域には、信号配線部3とその周囲を被覆する絶縁材料からなる保護絶縁膜8を含む水平アドレス線/垂直信号線が形成されている。図24では、水平アドレス線3aで示しているが、A−A’線に垂直な断面では信号線は垂直信号線3bとなる。
【0076】
この水平アドレス線3aまたは垂直信号線3bには、信号線より内側で半導体基板4の空洞部7上に配置されるように、支持配線部20とその周囲を被服する絶縁材料からなる保護絶縁膜8を含む支持部2が接続されている。
【0077】
支持部2には半導体基板4の空洞部7上に支持されるように、検出セル1が接続されている。この検出セル1は、熱電変換部10と、検出セル配線部11と、それらの周囲を被覆する絶縁材料からなる保護絶縁膜8と、保護絶縁膜8にテーパー加工された検出セル貫通孔12と、を含む。
【0078】
具体的には、熱電変換部10と検出セル配線部11は、電気的に導通しているが、図24では省略している。保護絶縁膜8は、赤外線吸収部の機能を兼ねており、二酸化シリコン、窒化シリコンなどの絶縁材料によって、単層または多層構造で形成されるが、図24では簡略的に保護絶縁膜8とする。
【0079】
素子全体は真空パッケージされ、検出セル1や支持部2の周囲および空洞部7の雰囲気は真空となっている。このように、半導体基板4から分離された検出セル1を真空中に置くことにより検出セル1の断熱性を向上させ、感度を高めるようにしている。
【0080】
熱電変換部10はpn接合を有し、pn接合の順方向特性の温度依存性を利用し、電流または電圧一定の条件化で順方向電圧または電流の変化を読み出す。
【0081】
次に、第3の実施形態の赤外線検出素子の製造工程の手順について説明する。なお、第1の実施形態の赤外線検出素子の製造工程を示す図5〜図7、図12、第2の実施形態の赤外線検出素子の製造工程を示す図21〜図22と同様の製造工程の部分については、図面を省略する。
【0082】
まず、図5に示すように、半導体基板4上に保護絶縁膜8を形成し、その上に熱電変換部10と保護絶縁膜8を互いに隣接して形成する。半導体基板4としてSOI基板を用いた場合には、SOI基板の埋め込み酸化膜を保護絶縁膜8として用いてもよい。熱電変換部10は、例えば単結晶シリコンを材料とするpnダイオードである。熱電変換部10に隣接して形成される保護絶縁膜8は、例えば二酸化シリコンを材料とする素子分離領域として作用する。
【0083】
次に、図6に示すように、基板前面に保護絶縁膜8を形成し、その上に金属膜などの導電性材料を形成してパターニングすることにより、信号配線部3、支持配線部20、検出セル配線部11を形成する。図6では信号配線部3、支持配線部20、検出配線部11は同層にて形成しているが、複数の工程に分けてそれぞれ異なる導電性材料や厚みなどにしても構わない。
【0084】
次に、図7に示すように、半導体基板4上に保護絶縁膜8を形成する。この際、保護絶縁膜8は赤外吸収部の機能も兼ねるため、例えば赤外吸収率の高い材料を選択したり、屈折率の異なる材料による多層構造にしたりしても良い。赤外線吸収材料は、例えば、二酸化シリコン、窒化シリコン等の絶縁材料が用いられるが、この他に赤外線(8〜14μm)に吸収感度を持つ材料でも良い。
【0085】
次に、図8、図9に示すように、エッチングホール5を形成するためのフォトリソグラフィー工程が行われる。このときパターニングしたフォトレジスト9に熱処理を加えリフローさせることで、断面形状は下部に広がりをもつテーパー形状となる。リフロー処理以外にも、例えばフォトリソグラフィーの露光エネルギーや露光時間、焦点距離などの調整により、レジスト下部が広がりを持った断面形状を形成することが出来る。エッチングホール5と検出セル貫通孔12のパターニングは同一工程で行われる。
【0086】
次に、図10、図11に示すように、基板の一部に例えばRIE等の異方性エッチングによってエッチングホール5及び、検出セル貫通孔12を形成し、半導体基板4の表面を露出させる。上記エッチングにより、検出セル1が形成される領域と、支持部2が形成される領域とが互いに分離して形成される。
【0087】
次に、図21、図22に示すように、支持部2の熱コンダクタンスを低減させるためと検出セルトレンチ13を形成するためのパターニングを行い、RIE等の異方性エッチングを行うと、支持部2は深さ方向に削られ、検出セル1の上面にテーパーを有する検出セルトレンチ13が形成される。
【0088】
次に、図12に示すように、エッチングホール5の底面から半導体基板4を徐々にエッチングし、空洞部7を形成する。この工程に用いられるエッチング液として、例えばTMAHやKOH等の異方性エッチング溶液が用いられる。
【0089】
ここで、第3の実施形態の赤外線検出素子では、検出セル貫通孔12と検出セルトレンチ13を併用して作製することで、検出セル1の熱容量の大幅な低減が可能となる。
【0090】
また、第3の実施形態の赤外線検出素子では、熱容量が大幅に低減され、例えば支持部2の熱コンダクタンスを大幅に低減することが可能となり、感度を大幅に向上させることができる。
【0091】
以上、第3の実施形態の赤外線検出素子では、赤外線検出セル内にテーパー形状を持つ貫通孔とトレンチを形成することにより、従来の赤外線検出セルと同等の吸収効率を持ちながら、熱容量を小さくすることが可能となる。
【0092】
また、第3の実施形態の赤外線検出素子では、従来と同感度を持ちながらセンサの応答速度の高速化が可能となり、さらに、従来と同じ応答速度を持ちながら赤外線吸収層の厚膜化による吸収率の向上や、支持脚のスリム化による熱コンダクタンスの向上による感度増加が可能となる。
【0093】
また、第3の実施形態の赤外線検出素子では、従来のエッチングホール形成時のマスクパターン変更のみで対応できることから、コスト増加や歩留まり低下の懸念が無い。
【0094】
さらに、第3の実施形態に係る赤外線検出素子では、空洞化を形成する際に、検出セル貫通孔12を設けることで、従来は検出セル1の周辺部のエッチングホール5より半導体基板のエッチングが進行していたものに対し、検出セル貫通孔12からもエッチングが進行するため、エッチング処理時間を大幅に短縮することができ、空洞化不良の低減やコスト低下も得られる。
【0095】
以上述べた少なくともひとつの実施形態の赤外線検出素子によれば、犠牲層等の複雑な工程を必要としない従来構造の赤外線センサ素子に比べ、プロセス工程の追加をせずに、赤外線センサ素子の熱容量を低減できる。このとき、実施形態の検出セル構造にすることで、赤外線センサ素子の感度低下を回避できるため、応答特性の高速化が実現できる。また、応答特性の低下を懸念して実施不可だった熱コンダクタンスの低減が本発明の検出セル構造によって可能となり、応答特性の低下なく、感度向上が実現できる。
【0096】
なお、本発明は、上記した各実施の形態には限定されず、種々変形して実施できることは言うまでもない。例えば、各実施の形態では、検出セル貫通孔や検出セルトレンチは四角形で表記しているが、円形や三角形等の半導体プロセスにて作製可能な範囲であれば形状は問わない。また、各実施の形態では、検出セル貫通孔や検出セルトレンチは規則的な配置にて表記しているが、アレイ状に配置された赤外線センサ素子の全てのパターンが同一であれば、検出セル貫通孔や検出セルトレンチは不規則なパターンでも構わない。
【0097】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【0098】
1…検出セル
2…支持部
3…信号線配線部
3a…水平アドレス線
3b…垂直信号線
4…半導体基板
5…エッチングホール
7…空洞部
8…保護絶縁膜
9…フォトレジスト
10…熱電変換部
11…検出セル配線部
12…検出セル貫通孔
13…検出セルトレンチ
20…支持配線部
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、赤外線検出素子に関する。
【背景技術】
【0002】
非冷却型(熱型)赤外線センサは、赤外線吸収層によって赤外線を吸収して熱に変換し、熱電変換素子によって熱を電気信号に変換する素子である。非冷却型赤外線センサでは、赤外線吸収層及び熱電変換素子を外系と熱的に隔離するように、表面微細構造またはバルク微細構造形成技術が活用される。冷却型(量子型)赤外線センサが効果で大きな冷却器を必要とするのに対し、非冷却型赤外線センサは小型で安価というメリットがある。
【0003】
この非冷却型赤外線センサの一画素あたりの感度は、単位面積当たりの入射赤外線パワーをIlight、検出セルの赤外線吸収率をγ、単位画素当たりの赤外線吸収面積をAD、検出セルから半導体基板への熱コンダクタンスをGth、pn接合の熱電変換係数をdV/dTとすると、熱電変換部の出力信号Vsignalは(1)式で表される。
【0004】
Vsignal = (IlightADγ/Gth)(dV/dT) ・・・(1)
また、赤外線センサ素子の応答特性は検出セルの熱容量Cthと熱コンダクタンスGthを用いると(2)式で表される。
【0005】
τ = Cth / Gth ・・・(2)
(2)式において、τは熱時定数であり、入射信号に対する出力信号変化が最大値の約63%に変化するまでの時間を意味し、応答特性を指標となるものである。
【0006】
赤外線センサ感度を向上させるためには、(1)式より赤外線吸収面積ADや赤外線吸収率γ、pn接合の熱電変換係数dV/dTの向上、または熱コンダクタンスGthを低減させれば良い。
【0007】
しかしながら、pn接合の熱電変換係数dV/dTはダイオードの個数に比例するものの、個数増加はすなわち駆動電力の増加を意味し、消費電力が増えてしまう。また、ダイオード単体のdV/dT特性は半導体のバンドギャップエネルギーで決定されるため、大幅な増加は期待できない。熱コンダクタンスGthを低減させると、感度は向上するものの、熱時定数が悪化し、応答性低下する。赤外線吸収面積ADの増加も、増加分だけ画素ピッチサイズを増加させてしまい、且つ熱容量増加により応答性が低下する。赤外線吸収率γは単層の場合、吸収率は厚みに対して指数関数的に増加するため、所望の吸収率を得ようとすると、結果的に熱容量が増加し、応答性が低下する。つまり、感度と応答性はトレードオフの関係にあるため、どちらかを特性向上を優先した場合、他方は特性劣化が免れない状況にある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【特許文献1】特開2001−156277号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
発明が解決しようとする課題は、赤外線センサ感度を低下させることなく、熱容量を低減し、信頼性が高く低コストとすることができる赤外線センサ素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上記課題を達成するために、実施形態の赤外線検出素子は、表面に空洞部が設けられた半導体基板を備える。また、この半導体基板の空洞部を囲む領域に形成された信号配線部を備える。また、この信号配線部に接続され、この信号配線部より内側であってこの半導体基板の空洞部よりも上側に配置された支持部を備える。また、この支持部に接続され、この支持部よりも内側であってこの半導体基板の空洞部よりも上側に支持され、熱電変換部と、吸収層と、が順次積層されている検出セルを備える。また、前記吸収層に、上部が広がった形状である複数の孔を設けている。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】第1の実施形態に係る赤外線検出素子を示す平面図。
【図2】図1のA−A’線断面図。
【図3】図1のB−B’線断面図。
【図4】図2、図3のC−C’線断面図。
【図5】第1の実施形態に係る赤外線検出素子の断面図。
【図6】第1の実施形態に係る赤外線検出素子の断面図。
【図7】第1の実施形態に係る赤外線検出素子の断面図。
【図8】第1の実施形態に係る赤外線検出素子の平面図。
【図9】第1の実施形態に係る赤外線検出素子の平面図。
【図10】第1の実施形態に係る赤外線検出素子の平面図。
【図11】第1の実施形態に係る赤外線検出素子の断面図。
【図12】第1の実施形態に係る赤外線検出素子の赤外線センサ支持部の断面図。
【図13】第1の実施形態に係る赤外線検出素子の赤外線センサ支持部の断面図。
【図14】第1の実施形態に係る赤外線検出素子の赤外線センサ支持部の断面図。
【図15】第1の実施形態に係る赤外線検出素子の赤外線センサ支持部の断面図。
【図16】第1の実施形態に係る赤外線検出素子の特性を示すグラフ。
【図17】第1の実施形態に係る赤外線検出素子の特性を示すグラフ。
【図18】第2の実施形態に係る赤外線検出素子を示す平面図。
【図19】図18のA−A’線断面図。
【図20】第2の実施形態に係る赤外線検出素子の赤外線センサ支持部の断面図。
【図21】第2の実施形態に係る赤外線検出素子の赤外線センサ支持部の断面図。
【図22】第2の実施形態に係る赤外線検出素子の赤外線センサ支持部の断面図。
【図23】第3の実施形態に係る赤外線検出素子を示す平面図。
【図24】図23のA−A’線断面図。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、発明を実施するための形態について、説明する。
【実施例】
【0013】
(第1の実施の形態)
以下、第1の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、以下の図面の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号が付してある。
【0014】
図1は、第1の実施形態に係る赤外線検出素子の平面図である。図2は、図1のA−A’線断面図である。図3は、図1のB−B’線断面図である。
【0015】
第1の実施形態に係る赤外線検出素子は、後述するように、それぞれが赤外線を吸収して熱に変換する赤外線吸収層である保護絶縁膜8と、当該熱を電気信号に変換する熱電変換部10と、を有する検出セル1をマトリックス状に多数配置した検出器アレイとして構成している。また、図1に示すように、検出セル1は、ほぼ一定間隔で水平方向に配列した水平アドレス線3aと、同様にほぼ垂直方向に配列した垂直信号線3bに囲まれた領域内に配置されている。また、検出セル1は、1対の支持部2を介して水平アドレス線3aおよび垂直信号線3bに接続している。1対の支持部2は、後述するように、検出セル1を中空に保持する機能も持っている。
【0016】
さらに、図1では、支持部2の一端が水平アドレス線3aまたは垂直信号線3bと接続されている。ここで、水平アドレス線3aまたは垂直信号線3bにて、信号配線部3が形成されている。また、支持部2の他端が検出セル1と接続しており、検出セル1は支持部2のみによって支えられ中空に浮いた状態となる。さらに、検出セル1には、四角形の検出セル貫通孔12が規則的に配置されている。
【0017】
次に、第1の実施形態の赤外線検出素子の全体構成を図2、図3を用いて説明する。
【0018】
図2に示すように、半導体基板4の表面には空洞部7が設けられている。また、半導体基板4の空洞部7を囲む領域には、信号配線部3とその周囲を被覆する絶縁材料からなる保護絶縁膜8を含む水平アドレス線/垂直信号線が形成されている。ここで、保護絶縁膜8は、赤外線を吸収する吸収層の役割を果たしている。図2、図3では垂直信号線3bで示しているが、A−A’線に垂直な断面では信号線は水平アドレス線3aとなる。
【0019】
また、この水平アドレス線3aまたは垂直信号線3bには、信号線より内側で半導体基板4の空洞部7上に配置されるように、支持配線部20とその周囲を被服する絶縁材料からなる保護絶縁膜8を含む支持部2が接続されている。
【0020】
支持部2には、半導体基板4の空洞部7上に支持されるように、検出セル1が接続されている。この検出セル1は、熱電変換部10と、検出セル配線部11とそれらの周囲を被覆する絶縁材料からなる保護絶縁膜8と、保護絶縁膜8にテーパー加工された検出セル貫通孔12と、を含んでいる。
【0021】
ここで、熱電変換部10と検出セル配線部11は、電気的に導通しているが、図2、図3では省略している。保護絶縁膜8は、赤外線吸収部の機能を兼ねており、二酸化シリコン、窒化シリコンなどの絶縁材料によって、単層または多層構造で形成されるが、図2、図3では簡略的に保護絶縁膜8としている。
【0022】
素子全体は真空パッケージされ、検出セル1や支持部2の周囲および空洞部7の雰囲気は真空となっている。このように、半導体基板4から分離された検出セル1を真空中に置くことにより、検出セル1の断熱性を向上させ、感度を高めるようにしている。
【0023】
熱電変換部10は、pn接合を有し、pn接合の順方向特性の温度依存性を利用し、電流または電圧一定の条件化で順方向電圧または電流の変化を読み出す。
【0024】
検出セル1の熱電変化部10と検出セル貫通孔12の詳細な構成は、図4に示すように、検出セル貫通孔12は、熱電変化部10の周辺部の保護絶縁膜8に設けられている。図4は図2、図3の熱電変換部10を含む層C−C’線における平面図である。
【0025】
次に、第1の実施形態に係る赤外線検出素子の製造工程の手順について説明する。図5〜図15は、第1の実施形態に係る赤外線検出素子の製造工程を示す断面図である。
【0026】
まず、図5に示すように、半導体基板4上に保護絶縁膜8を形成し、その上に熱電変換部10と保護絶縁膜8を互いに隣接して形成する。半導体基板4としてSOI基板を用いた場合には、SOI基板の埋め込み酸化膜を保護絶縁膜8として用いてもよい。熱電変換部10は、例えば単結晶シリコンを材料とするpnダイオードである。熱電変換部10に隣接して形成される保護絶縁膜8は、例えば二酸化シリコンを材料とする素子分離領域として作用する。
【0027】
次に、図6に示すように、半導体基板4に形成された保護絶縁膜8上に、金属膜などの導電性材料を形成してパターニングすることにより、信号配線部3、支持配線部20、検出セル配線部11を形成する。なお、図6では、信号配線部3、支持配線部20、検出配線部11は同層にて形成しているが、複数の工程に分けてそれぞれ異なる導電性材料や厚みなどにしても構わない。
【0028】
次に、図7に示すように、半導体基板4の全面に保護絶縁膜8をさらに形成する。この際、保護絶縁膜8は、赤外吸収部の機能も兼ねるため、例えば赤外吸収率の高い材料を選択したり、屈折率の異なる材料による多層構造にしたりしても良い。
【0029】
次に、図8に示すように、エッチングホール5を形成するためのフォトリソグラフィー工程が行われる。具体的には、フォトレジスト9を保護絶縁膜8上に塗布し、マスクを用いたリソグラフィーにより、フォトレジスト9にパターンを形成する。
【0030】
このとき、パターニングしたフォトレジスト9に熱処理を加え、リフローさせることで、図8に示すように、フォトレジスト9の断面形状は下部が広がりをもつテーパー形状となる。なお、リフロー処理以外にも、例えばフォトリソグラフィーの露光エネルギーや露光時間、焦点距離などの調整により、レジスト下部が広がりを持った断面形状を形成することができる。
【0031】
次に、図9に示すように、フォトレジスト9に対して、エッチングホール5のパターンに加え、検出セル貫通孔12のパターンを形成する。なお、図9は、同工程における図1のB−B’線断面図であり、エッチングホール5と検出セル貫通孔12のパターニングは同一工程で行われる。
【0032】
ここで、赤外線が照射される側の保護絶縁膜8の検出セル貫通孔12の最大直径は、15μm以下が望ましい。検出セル貫通孔12の最大直径が15μm以上となった場合、赤外線の波長域である8〜14μmの波長を保護絶縁膜8が吸収できず、検出セル貫通孔12を当該赤外線が追加してしまい、吸収感度が低下してしまう。
【0033】
また、検出セル貫通孔12の上部が広がった形状のテーパー角は、45°以上90°以下が望ましい。当該テーパー角が45°以下の場合には、RIE等の異方性エッチングによりエッチングする工程にて、保護絶縁膜8の厚さが厚いため、プロセス上困難となる。当該テーパー角が90°以上の場合には、赤外線を保護絶縁膜8の検出セル貫通孔12の内部で反射されにくく、当該赤外線の吸収感度が低下してしまう。
【0034】
さらに、赤外線が照射される面と対面する面の検出セル貫通孔12の直径は、検出セル貫通孔12の隣り合う距離よりも大きいことが望ましい。赤外線が照射される面と対面する面の検出セル貫通孔12の直径は、検出セル貫通孔12の隣り合う距離よりも小さい場合には、検出セル貫通孔12と保護絶縁膜8の屈折率の関係から、検出セル貫通孔12の屈折率が保護絶縁膜8の屈折率よりも影響が大きくなり、赤外線が保護絶縁膜8に吸収されず、吸収感度が低下してしまう。
【0035】
次に、図10に示すように、半導体基板4の一部に、例えばRIE等の異方性エッチングによってエッチングホール5を形成し、半導体基板4の表面を露出させる。前述したエッチングにより、検出セル1が形成される領域と、支持部2が形成される領域とが互いに分離して形成される。
【0036】
次に図11に示すように、図10と同様に、導体基板4の一部に、例えばRIE等の異方性エッチングによって検出セル貫通孔12を形成し、半導体基板4の表面を露出させる。
【0037】
次に、図12に示すように、エッチングホール5の底面から半導体基板4を徐々にエッチングし、空洞部7を形成する。この工程に用いられるエッチング液として、例えばTMAHやKOH等の異方性エッチング溶液が用いられる。
【0038】
ここで、図13に示すように、支持部2の保護絶縁膜8の一部を深さ方向に、RIE等の異方性エッチングによって削ることで、支持部2の熱コンダクタンスを低減させても良い。
【0039】
図13に示す場合には、図14に示すように、図12と同様に、エッチングホール5の底面から半導体基板4を徐々にエッチングし、空洞部7を形成する。この工程に用いられるエッチング液として、例えばTMAHやKOH等の異方性エッチング溶液が用いられる。
【0040】
次に、図15に示すように、図11と同様に、導体基板4の一部に、例えばRIE等の異方性エッチングによって検出セル貫通孔12を形成し、半導体基板4の表面を露出させる。
【0041】
ここで、第1の実施形態に係る非冷却赤外線素子の赤外線を吸収する役割を持つ保護絶縁膜8は、例えば、二酸化シリコン、窒化シリコン等の絶縁材料が用いられるが、この他に赤外線(8〜14μm)に吸収感度を持つ材料でも良い。
【0042】
さらに、図16は、前述した図5〜図15に記載した製造プロセスを用いて赤外線検出素子を作製し、当該赤外線センサ素子の特性指標となる感度と応答性に関して評価を行った結果を示したグラフである。図16では、検出セル貫通孔12は一辺2umの長さの正方形とし、テーパー角75度となるように作製した。検出セル貫通孔12の数を変化させることで、検出セル1内における検出セル貫通孔12が占める割合を変化させている。
【0043】
ここで、図16の横軸は、検出セル面積に対する貫通孔が占める割合を表している。また、グラフ中の菱形のプロットは、貫通孔がない従来構造との相対感度比を表しており、グラフ中の丸形プロットは、貫通孔がない従来構造との熱時定数比を示している。
【0044】
図16に示すように、感度に関しては、菱形のプロットに示すように、作製した中で最も貫通孔面積の広い占有率0.25においても、感度低下が見られなかった。一方で、丸形のプロットに示すように、貫通孔により検出セルの熱容量は低減されており、熱時定数は占有率に応じて減少傾向となることが確認できた。図16の実験データを示すグラフから、占有率0%の従来構造の赤外線センサ素子に対して、レイアウト変更のみで感度を低下させることなく、応答特性が25%改善されたことが確認できた。
【0045】
さらに、これまでの構造と応答特性を同じとした場合には、熱コンダクタンスを低減させ、検出セル1の吸収層である保護絶縁膜8の厚膜化が可能となる。保護絶縁膜8の厚幕化については、膜種の厚みや屈折率や積層順番によって吸収スペクトルが変化するため、一概に感度変化を議論することが難しい。
【0046】
ここで、図17に示すように、熱コンダクタンスの変化に関して検証すると、占有率が大きい構造ほど、熱コンダクタンスを小さくすることが可能となっており、占有率0.25において1.35倍の感度向上が得られることが確認できた。
【0047】
以上から、第1の実施形態の赤外線検出素子では、赤外線検出セル1内にテーパー形状を持つ貫通孔12を形成することにより、貫通孔を形成しない赤外線検出セルと同等の吸収効率を持ちながら、熱容量を小さくすることが可能となる。
【0048】
また、第1の実施形態の赤外線検出素子では、従来と同感度を持ちながらセンサの応答速度の高速化が可能となり、さらに、従来と同じ応答速度を持ちながら赤外線吸収層の厚膜化による吸収率の向上や、支持脚のスリム化による熱コンダクタンスの向上による感度増加が可能となる。
【0049】
また、第1の実施形態の赤外線検出素子では、従来のエッチングホール形成時のマスクパターン変更のみで対応できることから、コスト増加や歩留まり低下の懸念がない。
【0050】
また、第1の実施形態の赤外線検出素子では、空洞化を形成する際に、検出セル貫通孔12を設けることで、従来は検出セル1の周辺部のエッチングホール5より半導体基板4のエッチングが進行していたものに対し、検出セル貫通孔12からもエッチングが進行するため、エッチング処理時間を大幅に短縮することができ、空洞化不良の低減やコスト低下も得られる。
【0051】
(第2の実施の形態)
また、第2の実施の形態について、以下に説明する。
【0052】
図18は、第2の実施形態に係る赤外線検出素子の平面図である。また、図19は図18のA−A’線断面図である。
【0053】
まず、第2の実施形態の赤外線検出素子の全体の構成について、図18を用いて説明する。
【0054】
図19に示すように、半導体基板4の表面には、空洞部7が設けられている。半導体基板4の空洞部7を囲む領域には、信号配線部3とその周囲を被覆する絶縁材料からなる保護絶縁膜8を含む水平アドレス線/垂直信号線が形成されている。図19では垂直信号線3bで示しているが、A−A’線に垂直な断面では信号線は水平アドレス線3aとなる。この水平アドレス線3aまたは垂直信号線3bには、信号線より内側で半導体基板4の空洞部7上に配置されるように、支持配線部20とその周囲を被服する絶縁材料からなる保護絶縁膜8を含む支持部2が接続されている。
【0055】
また、支持部2には、半導体基板4の空洞部7上に支持されるように、検出セル1が接続されている。この検出セル1は、熱電変換部10と、検出セル配線部11と、それらの周囲を被覆する絶縁材料からなる保護絶縁膜8と、保護絶縁膜8にテーパー加工された検出セルトレンチ13と、を含む。
【0056】
具体的には、熱電変換部10と検出セル配線部11は電気的に導通しているが、図19では省略している。保護絶縁膜8は、赤外線吸収部の機能を兼ねており、二酸化シリコン、窒化シリコンなどの絶縁材料によって、単層または多層構造で形成されるが、図18では簡略的に保護絶縁膜8としている。
【0057】
素子全体は真空パッケージされ、検出セル1や支持部2の周囲および空洞部7の雰囲気は真空となっている。このように、半導体基板4から分離された検出セル1を真空中に置くことにより検出セル1の断熱性を向上させ、感度を高めるようにしている。
【0058】
熱電変換部10はpn接合を有し、pn接合の順方向特性の温度依存性を利用し、電流または電圧一定の条件化で順方向電圧または電流の変化を読み出す。
【0059】
次に、第2の実施形態の赤外線検出素子の製造工程の手順について、図20〜図22を示して説明する。なお、第1の実施形態の赤外線検出素子の製造工程を示す図5〜図7、図12と同様の製造工程の部分については、図面を省略する。
【0060】
まず、図5と同様に、半導体基板4上に保護絶縁膜8を形成し、その上に熱電変換部10と保護絶縁膜8を互いに隣接して形成する。半導体基板4としてSOI基板を用いた場合には、SOI基板の埋め込み酸化膜を保護絶縁膜8として用いてもよい。熱電変換部10は、例えば単結晶シリコンを材料とするpnダイオードである。熱電変換部10に隣接して形成される保護絶縁膜8は、例えば二酸化シリコンを材料とする素子分離領域として作用する。
【0061】
次に、図6と同様に、基板前面に保護絶縁膜8を形成し、その上に金属膜などの導電性材料を形成してパターニングすることにより、信号配線部3、支持配線部20、検出セル配線部11を形成する。図20では信号配線部3、支持配線部20、検出配線部11は同層にて形成しているが、複数の工程に分けてそれぞれ異なる導電性材料や厚みなどにしても構わない。
【0062】
次に、図7と同様に、半導体基板4基板上に保護絶縁膜8を形成するが、この際、保護絶縁膜8は赤外吸収部の機能も兼ねるため、例えば赤外吸収率の高い材料を選択したり、屈折率の異なる材料による多層構造にしたりしても良い。赤外線吸収部は、例えば、二酸化シリコン、窒化シリコン等の絶縁材料が用いられるが、この他に赤外線(8〜14μm)に吸収感度を持つ材料でも良い。
【0063】
次に、図20に示すように、半導体基板4の一部に、例えばRIE等の異方性エッチングによってエッチングホール5を形成し、半導体基板4の表面を露出させる。前述したエッチングにより、検出セル1が形成される領域と、支持部2が形成される領域とが互いに分離して形成される。ここで、図20では、エッチングホール5をテーパーレスの断面形状で記載しているが、本発明の第1の実施形態のように、テーパー加工しても構わない。
【0064】
次に、図21に示すように、支持部2の保護絶縁膜8の一部を深さ方向に、RIE等の異方性エッチングによって削り、支持部2の熱コンダクタンスを低減させるためのパターニングをフォトリソグラフィー工程により行う。このとき図21のように、検出セル1上にテーパーを持つフォトレジスト9を形成する。
【0065】
次に、図22に示すように、RIE等の異方性エッチングを行うと、支持部2は、深さ方向に削られ、検出セル1の上面にテーパーを有する検出セルトレンチ13が形成される。
【0066】
次に、図12と同様に、エッチングホール5の底面から半導体基板4を徐々にエッチングし、空洞部7を形成する。この工程に用いられるエッチング液として、例えばTMAHやKOH等の異方性エッチング溶液が用いられる。
【0067】
ここで、第1の実施形態の赤外線検出素子では、検出セル貫通孔12を設けていたのに対し、第2の実施形態の赤外線検出素子では検出セルトレンチ13を設けている。
【0068】
これは、第1の実施形態の赤外線検出素子の検出セル貫通孔12の場合には、検出セルに設けられている熱電変換部10や検出セル配線部11を考慮したパターニングが必要であるのに対し、第2の実施形態の赤外線検出素子では、保護絶縁膜8領域のパターニングのみのため、レイアウトの制約が一切無くなり、目的に沿った光学的な作用を容易に作製可能となる。
【0069】
以上、第2の実施形態の赤外線検出素子では、赤外線検出セル1の上部にテーパー形状を持つトレンチ13を形成することにより、トレンチを形成しない赤外線検出セルと同等の吸収効率を持ちながら、熱容量を小さくすることが可能となる。
【0070】
また、第2の実施形態の赤外線検出素子では、従来と同感度を持ちながらセンサの応答速度の高速化が可能となり、さらに、従来と同じ応答速度を持ちながら赤外線吸収層の厚膜化による吸収率の向上や、支持脚のスリム化による熱コンダクタンスの向上による感度増加が可能となる。
【0071】
また、第2の実施形態の赤外線検出素子では、従来のエッチングホール形成時のマスクパターン変更のみで対応できることから、コスト増加や歩留まり低下の懸念がない。
【0072】
(第3の実施の形態)
さらに、第3の実施の形態について、以下に説明する。
【0073】
図23は、第3の実施形態に係る赤外線検出素子の平面図である。図24は、図23のA−A’線断面図である。
【0074】
まず、第3の実施形態の赤外線検出素子の全体の構成について、図23、図24を用いて説明する。
【0075】
図24に示すように、半導体基板4の表面には空洞部7が設けられている。半導体基板4の空洞部7を囲む領域には、信号配線部3とその周囲を被覆する絶縁材料からなる保護絶縁膜8を含む水平アドレス線/垂直信号線が形成されている。図24では、水平アドレス線3aで示しているが、A−A’線に垂直な断面では信号線は垂直信号線3bとなる。
【0076】
この水平アドレス線3aまたは垂直信号線3bには、信号線より内側で半導体基板4の空洞部7上に配置されるように、支持配線部20とその周囲を被服する絶縁材料からなる保護絶縁膜8を含む支持部2が接続されている。
【0077】
支持部2には半導体基板4の空洞部7上に支持されるように、検出セル1が接続されている。この検出セル1は、熱電変換部10と、検出セル配線部11と、それらの周囲を被覆する絶縁材料からなる保護絶縁膜8と、保護絶縁膜8にテーパー加工された検出セル貫通孔12と、を含む。
【0078】
具体的には、熱電変換部10と検出セル配線部11は、電気的に導通しているが、図24では省略している。保護絶縁膜8は、赤外線吸収部の機能を兼ねており、二酸化シリコン、窒化シリコンなどの絶縁材料によって、単層または多層構造で形成されるが、図24では簡略的に保護絶縁膜8とする。
【0079】
素子全体は真空パッケージされ、検出セル1や支持部2の周囲および空洞部7の雰囲気は真空となっている。このように、半導体基板4から分離された検出セル1を真空中に置くことにより検出セル1の断熱性を向上させ、感度を高めるようにしている。
【0080】
熱電変換部10はpn接合を有し、pn接合の順方向特性の温度依存性を利用し、電流または電圧一定の条件化で順方向電圧または電流の変化を読み出す。
【0081】
次に、第3の実施形態の赤外線検出素子の製造工程の手順について説明する。なお、第1の実施形態の赤外線検出素子の製造工程を示す図5〜図7、図12、第2の実施形態の赤外線検出素子の製造工程を示す図21〜図22と同様の製造工程の部分については、図面を省略する。
【0082】
まず、図5に示すように、半導体基板4上に保護絶縁膜8を形成し、その上に熱電変換部10と保護絶縁膜8を互いに隣接して形成する。半導体基板4としてSOI基板を用いた場合には、SOI基板の埋め込み酸化膜を保護絶縁膜8として用いてもよい。熱電変換部10は、例えば単結晶シリコンを材料とするpnダイオードである。熱電変換部10に隣接して形成される保護絶縁膜8は、例えば二酸化シリコンを材料とする素子分離領域として作用する。
【0083】
次に、図6に示すように、基板前面に保護絶縁膜8を形成し、その上に金属膜などの導電性材料を形成してパターニングすることにより、信号配線部3、支持配線部20、検出セル配線部11を形成する。図6では信号配線部3、支持配線部20、検出配線部11は同層にて形成しているが、複数の工程に分けてそれぞれ異なる導電性材料や厚みなどにしても構わない。
【0084】
次に、図7に示すように、半導体基板4上に保護絶縁膜8を形成する。この際、保護絶縁膜8は赤外吸収部の機能も兼ねるため、例えば赤外吸収率の高い材料を選択したり、屈折率の異なる材料による多層構造にしたりしても良い。赤外線吸収材料は、例えば、二酸化シリコン、窒化シリコン等の絶縁材料が用いられるが、この他に赤外線(8〜14μm)に吸収感度を持つ材料でも良い。
【0085】
次に、図8、図9に示すように、エッチングホール5を形成するためのフォトリソグラフィー工程が行われる。このときパターニングしたフォトレジスト9に熱処理を加えリフローさせることで、断面形状は下部に広がりをもつテーパー形状となる。リフロー処理以外にも、例えばフォトリソグラフィーの露光エネルギーや露光時間、焦点距離などの調整により、レジスト下部が広がりを持った断面形状を形成することが出来る。エッチングホール5と検出セル貫通孔12のパターニングは同一工程で行われる。
【0086】
次に、図10、図11に示すように、基板の一部に例えばRIE等の異方性エッチングによってエッチングホール5及び、検出セル貫通孔12を形成し、半導体基板4の表面を露出させる。上記エッチングにより、検出セル1が形成される領域と、支持部2が形成される領域とが互いに分離して形成される。
【0087】
次に、図21、図22に示すように、支持部2の熱コンダクタンスを低減させるためと検出セルトレンチ13を形成するためのパターニングを行い、RIE等の異方性エッチングを行うと、支持部2は深さ方向に削られ、検出セル1の上面にテーパーを有する検出セルトレンチ13が形成される。
【0088】
次に、図12に示すように、エッチングホール5の底面から半導体基板4を徐々にエッチングし、空洞部7を形成する。この工程に用いられるエッチング液として、例えばTMAHやKOH等の異方性エッチング溶液が用いられる。
【0089】
ここで、第3の実施形態の赤外線検出素子では、検出セル貫通孔12と検出セルトレンチ13を併用して作製することで、検出セル1の熱容量の大幅な低減が可能となる。
【0090】
また、第3の実施形態の赤外線検出素子では、熱容量が大幅に低減され、例えば支持部2の熱コンダクタンスを大幅に低減することが可能となり、感度を大幅に向上させることができる。
【0091】
以上、第3の実施形態の赤外線検出素子では、赤外線検出セル内にテーパー形状を持つ貫通孔とトレンチを形成することにより、従来の赤外線検出セルと同等の吸収効率を持ちながら、熱容量を小さくすることが可能となる。
【0092】
また、第3の実施形態の赤外線検出素子では、従来と同感度を持ちながらセンサの応答速度の高速化が可能となり、さらに、従来と同じ応答速度を持ちながら赤外線吸収層の厚膜化による吸収率の向上や、支持脚のスリム化による熱コンダクタンスの向上による感度増加が可能となる。
【0093】
また、第3の実施形態の赤外線検出素子では、従来のエッチングホール形成時のマスクパターン変更のみで対応できることから、コスト増加や歩留まり低下の懸念が無い。
【0094】
さらに、第3の実施形態に係る赤外線検出素子では、空洞化を形成する際に、検出セル貫通孔12を設けることで、従来は検出セル1の周辺部のエッチングホール5より半導体基板のエッチングが進行していたものに対し、検出セル貫通孔12からもエッチングが進行するため、エッチング処理時間を大幅に短縮することができ、空洞化不良の低減やコスト低下も得られる。
【0095】
以上述べた少なくともひとつの実施形態の赤外線検出素子によれば、犠牲層等の複雑な工程を必要としない従来構造の赤外線センサ素子に比べ、プロセス工程の追加をせずに、赤外線センサ素子の熱容量を低減できる。このとき、実施形態の検出セル構造にすることで、赤外線センサ素子の感度低下を回避できるため、応答特性の高速化が実現できる。また、応答特性の低下を懸念して実施不可だった熱コンダクタンスの低減が本発明の検出セル構造によって可能となり、応答特性の低下なく、感度向上が実現できる。
【0096】
なお、本発明は、上記した各実施の形態には限定されず、種々変形して実施できることは言うまでもない。例えば、各実施の形態では、検出セル貫通孔や検出セルトレンチは四角形で表記しているが、円形や三角形等の半導体プロセスにて作製可能な範囲であれば形状は問わない。また、各実施の形態では、検出セル貫通孔や検出セルトレンチは規則的な配置にて表記しているが、アレイ状に配置された赤外線センサ素子の全てのパターンが同一であれば、検出セル貫通孔や検出セルトレンチは不規則なパターンでも構わない。
【0097】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【0098】
1…検出セル
2…支持部
3…信号線配線部
3a…水平アドレス線
3b…垂直信号線
4…半導体基板
5…エッチングホール
7…空洞部
8…保護絶縁膜
9…フォトレジスト
10…熱電変換部
11…検出セル配線部
12…検出セル貫通孔
13…検出セルトレンチ
20…支持配線部
【特許請求の範囲】
【請求項1】
表面に空洞部が設けられた半導体基板と、
前記半導体基板の前記空洞部を囲む領域に形成された信号配線部と、
前記信号配線部に接続され、前記信号配線部より内側であって前記空洞部よりも上側に配置された支持部と、
前記支持部に接続され、前記支持部よりも内側であって前記半導体基板の前記空洞部よりも上側に支持され、熱電変換部と、吸収層と、が順次積層されている検出セルと、を備え、
前記吸収層に、上部が広がった形状である複数の孔を設けた
ことを特徴とする赤外線検出素子。
【請求項2】
前記孔の一部は、前記吸収層を貫通していることを特徴とする請求項1記載の赤外線検出素子。
【請求項3】
前記孔の一部が前記吸収層を非貫通であって、前記孔の底部が、前記吸収層内の前記信号配線部の上部に位置することを特徴とする請求項1記載の赤外線検出素子。
【請求項4】
前記孔は、貫通している第1の孔と、底部が前記吸収層内の前記信号配線部の上部に位置している第2の孔と、をそれぞれ有することを特徴とする請求項1記載の赤外線検出素子。
【請求項5】
前記支持部の高さが、前記信号配線部又は前記検出セルの高さよりも低いことを特徴とする請求項1記載の赤外線検出素子。
【請求項6】
前記孔の上部の直径が、15μm以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項5記載の赤外線検出素子。
【請求項7】
前記孔の上部に広がった形状のテーパー角が、45°以上90°以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項5記載の赤外線検出素子。
【請求項8】
前記孔の下部の直径が、前記孔が隣り合う距離よりも大きいことを特徴とする請求項1乃至請求項5記載の赤外線検出素子。
【請求項1】
表面に空洞部が設けられた半導体基板と、
前記半導体基板の前記空洞部を囲む領域に形成された信号配線部と、
前記信号配線部に接続され、前記信号配線部より内側であって前記空洞部よりも上側に配置された支持部と、
前記支持部に接続され、前記支持部よりも内側であって前記半導体基板の前記空洞部よりも上側に支持され、熱電変換部と、吸収層と、が順次積層されている検出セルと、を備え、
前記吸収層に、上部が広がった形状である複数の孔を設けた
ことを特徴とする赤外線検出素子。
【請求項2】
前記孔の一部は、前記吸収層を貫通していることを特徴とする請求項1記載の赤外線検出素子。
【請求項3】
前記孔の一部が前記吸収層を非貫通であって、前記孔の底部が、前記吸収層内の前記信号配線部の上部に位置することを特徴とする請求項1記載の赤外線検出素子。
【請求項4】
前記孔は、貫通している第1の孔と、底部が前記吸収層内の前記信号配線部の上部に位置している第2の孔と、をそれぞれ有することを特徴とする請求項1記載の赤外線検出素子。
【請求項5】
前記支持部の高さが、前記信号配線部又は前記検出セルの高さよりも低いことを特徴とする請求項1記載の赤外線検出素子。
【請求項6】
前記孔の上部の直径が、15μm以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項5記載の赤外線検出素子。
【請求項7】
前記孔の上部に広がった形状のテーパー角が、45°以上90°以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項5記載の赤外線検出素子。
【請求項8】
前記孔の下部の直径が、前記孔が隣り合う距離よりも大きいことを特徴とする請求項1乃至請求項5記載の赤外線検出素子。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【公開番号】特開2012−58212(P2012−58212A)
【公開日】平成24年3月22日(2012.3.22)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−204798(P2010−204798)
【出願日】平成22年9月13日(2010.9.13)
【出願人】(000003078)株式会社東芝 (54,554)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成24年3月22日(2012.3.22)
【国際特許分類】
【出願日】平成22年9月13日(2010.9.13)
【出願人】(000003078)株式会社東芝 (54,554)
【Fターム(参考)】
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