【課題】受光によって生じた熱が支持体を介して散逸することを抑制できるようにしたセンサー装置の製造方法及びセンサー装置を提供する。
【解決手段】基板上の第１領域に焦電センサーを支持するための支持体を形成する工程と、支持体上に第１導電部を形成する工程と、第１導電部上に焦電体を形成する工程と、
焦電体上に第２導電部を形成する工程と、第２導電部上及び第２領域にそれぞれ第１絶縁膜を形成する工程と、第１絶縁膜の一部を除去して、第１領域に第２導電部を底面とする第１開口部を形成し、第２領域に第２開口部を形成する工程と、第１開口部及び第２開口部にそれぞれ第３導電部を埋め込む工程と、第１領域において焦電体を覆い、第２領域において第３導電部を覆う第２絶縁膜を形成する工程と、第２絶縁膜の一部を除去して第３導電部を底面とする第３開口部を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 磁界中において渦電流の発生を低減して発熱による検出誤差を低減可能な赤外線センサ及びこれを備えた電磁加熱調理器を提供すること。
【解決手段】 絶縁性フィルム２と、絶縁性フィルム２に設けられ一対の端子電極を有する感熱素子３と、絶縁性フィルム２にパターン形成され一対の端子電極に接続された導電性の一対の配線パターン４とを備え、一対の配線パターン４が、線状に形成され、感熱素子３を中心にして該感熱素子３から半径方向外方に向けて放射状に延在する複数の放射状パターン４ａを有している。 （もっと読む）

【課題】画像処理によって、残像の少ない赤外線画像を可能にする赤外線固体撮像装置を提供する。
【解決手段】一実施形態によれば、感熱画素からなる赤外線検出素子部と、前記赤外線検出素子部により得られた赤外線の画像信号をアナログ−デジタル変換するＡＤ変換器と、デジタル信号に変換された画像信号を処理するデジタル信号処理部からなる赤外線固体撮像装置を提供する。前記デジタル信号処理部が、現フレームの直前フレームの取得画像値を記憶し、現フレームの取得画像値から、前記直前フレームの取得画像値に対し予め定めた０から１の間の定数αを乗算した画像値を減算し、さらに減算した画像値を１／（１−α）倍する処理をすることにより、残像の少ない赤外線画像を提供する。 （もっと読む）

【課題】 設置環境に応じて熱バランスの補正が容易にでき、ネジ等を用いずに低コストである赤外線センサを提供すること。
【解決手段】 絶縁性フィルム２と、該絶縁性フィルム２の一方の面に互いに離間させて設けられた第１の感熱素子３Ａ及び第２の感熱素子３Ｂと、絶縁性フィルム２の一方の面に形成され第１の感熱素子３Ａに接続された導電性の第１の配線膜４Ａ及び第２の感熱素子３Ｂに接続された導電性の第２の配線膜４Ｂと、第２の感熱素子３Ｂに対向して絶縁性フィルム２の他方の面に設けられた赤外線反射膜とを備え、絶縁性フィルム３の第１の感熱素子３Ａ及び第２の感熱素子３Ｂの周囲に、複数の孔部Ｈが並んで形成されている。 （もっと読む）

【課題】赤外線検出部が配置された支持部が凹部と対向する場所に位置し、支持部が凹部の底に張り付くのを防止できる赤外線検出素子を提供する。
【解決手段】基板２と、基板２上に設置され空隙１７を囲む凹部１５を備えた絶縁膜１４と、一端が基板２に固定される梁２２によって保持され空隙１７と対向する場所に位置する支持部２３と、支持部２３上に設置され赤外線を検出する赤外線検出部４と、を備え、凹部１５はポリシリコンを含む撥水膜１６に覆われ、梁２２及び支持部２３は窒化シリコンまたは炭窒化シリコンを含む。 （もっと読む）

【課題】動作時の発熱を抑制して、赤外線領域の光を高感度かつ精度良く検出する光検出装置を提供する。
【解決手段】赤外線検出器１０，１１等と、制御部と、前記光検出器１０，１１等から出力される検出信号を増幅する増幅器６０と、前記光検出器１０，１１等の検出信号を前記増幅器６０へ入力させる入力回路と、前記制御部の制御により前記光検出器１０，１１等と前記入力回路との接続をオン・オフさせる切替スイッチ２０，２１等とを備え、前記制御部は、前記検出信号を前記入力回路へ入力する動作時に前記切替スイッチ１０，１１等の抵抗成分によるｋＴＣ雑音の発生が抑制される抵抗値となるように該切替スイッチ１０，１１等を制御する。 （もっと読む）

【課題】感度の向上を図ることが可能な熱電変換デバイスを提供する。
【解決手段】熱電変換デバイスは、支持基板１０と、支持基板１０の一表面に形成された凹所１１の内面から離れて配置された薄膜構造部２０と、支持基板１０と薄膜構造部２０とを連結している複数の梁部３０と、熱エネルギを電気エネルギに変換する熱電変換部４０とを備えている。そして、本実施形態の熱電変換デバイスでは、支持基板１０が、シリコン基板１０ａとシリコン基板１０ａの主表面上の絶縁層１０ｂとを有し、複数の梁部３０が、薄膜構造部２０の厚み方向に沿った薄膜構造部２０の中心線に対して回転対称となるに配置されている。梁部３０では、熱電変換部４０の熱電材料により形成された部分が露出しており、熱電材料が、ＳｉＧｅもしくはＧｅである。 （もっと読む）

【課題】感度の向上を図ることが可能な熱電変換デバイスを提供する。
【解決手段】熱電変換デバイスは、支持基板１０と、支持基板１０の一表面側で支持基板１０から離れて配置された薄膜構造部２０と、支持基板１０と薄膜構造部２０とを連結している複数の梁部３０と、熱エネルギを電気エネルギに変換する熱電変換部４０とを備えている。そして、本実施形態の熱電変換デバイスでは、支持基板１０が、シリコン基板１０ａとシリコン基板１０ａの主表面上の絶縁層１０ｂとを有し、梁部３０が、熱電変換部４０において熱電材料により形成された部分のみにより構成されてなり、熱電材料が、ＳｉＧｅもしくはＧｅである。 （もっと読む）

【課題】接着剤を用いて基板に接着されても中空構造の空間に接着膜が形成され難い構造の赤外線検出素子を提供する。
【解決手段】第１表面２ａと第１表面２ａの反対側の第１裏面２ｂとを有し、第１裏面２ｂに第１凹部４を有し第１表面２ａの第１凹部４と対向する場所に赤外線を検出する赤外線検出部３を有する第１基板２と、第２表面８ａと第２表面８ａの反対側の第２裏面８ｂとを有し、第１凹部４と向かい合う場所の第２裏面８ｂに第２凹部９を有する第２基板８と、第１裏面２ｂと第２裏面８ｂとを接着する接着膜７と、を有し、第２表面８ａに接着剤を付着させて用いられ、第２凹部９が第２裏面８ｂと交差する第２外周部９ｂは第１凹部４が第１裏面２ｂと交差する第１外周部４ｂを囲んでいる。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップの発熱に起因した赤外線センサチップの面内でのＳ／Ｎ比のばらつきを抑制することが可能な赤外線センサを提供する。
【解決手段】赤外線センサは、赤外線センサチップ１００と、赤外線センサチップ１００の出力信号を信号処理するＩＣチップ１０２と、赤外線センサチップ１００およびＩＣチップ１０２が収納されたパッケージ１０３とを備える。赤外線センサチップ１００は、複数の熱型赤外線検出部３が半導体基板１の一表面側においてアレイ状に配置されている。パッケージ１０３は、パッケージ本体１０４と、パッケージ本体１０４に接合されたパッケージ蓋１０５とを有する。ＩＣチップ１０２は、パッケージ本体１０４に実装されている。赤外線センサチップ１００は、パッケージ本体１０４に保持された支持部材１０６に支持され、パッケージ１０３内でＩＣチップ１０２の厚み方向においてＩＣチップ１０２から離れて配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板に形成する熱分離しやすい薄膜の構造体で、画一的で所望の形状、厚み、寸法が容易に形成でき、かつ強度の大きい構造体を形成するための材料と構造体を提供する。
【解決手段】添加物として、ファイバや発泡剤を混入した添加物入りのフォトレジストを提供する。露光用光源の波長に対して透明な細く短いファイバを添加物としたフォトレジストで、パターン化した強度を高めた薄膜による構造体を提供する。また、添加物として発泡剤を混入させた材料とし、塗布や貼り付けなどで形成して露光、現像のパターン形成後に発泡処理を行い、薄膜を膨張させて膜厚を増加させて、疎な薄膜にして熱伝導率を下げると共に曲げ強度を増加させた薄膜による平面的もしくは立体的な構造体を提供する。 （もっと読む）

【課題】センサ感度をより向上させることが可能な赤外線センサを提供する。
【解決手段】ベース基板１と、該ベース基板１の一表面側でベース基板１に支持され直下に空間が設けられる薄膜構造部２と、ベース基板１と薄膜構造部２とに亘って設けられ赤外線の吸収による温度変化を検知するサーモパイル３とを有する赤外線センサ１０であって、サーモパイル３の熱電対４は、異なる材料からなる一対の熱電対素線４ａ，４ｂを備え、一対の熱電対素線４ａ，４ｂは、少なくとも薄膜構造部２において薄膜構造部２の厚み方向に絶縁膜５を介して配置されている。 （もっと読む）

【課題】設計した吸収波長に対して高い感度を持つ赤外線検出素子を提供すること。
【解決手段】赤外線検出素子２０は、支持基板１上に配置され、赤外線を吸収する第１の吸収膜２と、支持基板１上に配置され、第１の吸収膜２と接続された検出部４と、支持基板１を支持する支持脚５と、支持脚５上に配置され、赤外線を吸収する第２の吸収膜３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】支持部材と受光部との間に空間が形成された焦電素子において、焦電素子の機械的強度を向上させる。
【解決手段】焦電素子１０は、受光部６１，６２よりも焦電基板２０の外側を支持する第１支持部３１だけでなく、受光部６１，６２の間を支持する第２支持部３２によっても焦電基板２０が支持されている。このため、第１支持部３１のみで焦電基板２０を支持する場合と比べて、焦電素子１０の機械的強度が向上する。また、焦電基板２０は２つの受光部６１，６２の間に空隙２８を持つように焦電基板２０ａ，２０ｂに分割されており、第２支持部３２は空隙２８を架け渡すように焦電基板２０を支持している。 （もっと読む）

【課題】受光部を形作るスリットを設けても犠牲層が残存し、レジストマスクパターンの精度悪化も起こらない参照素子を備え、当該参照素子の遮光効果及び伝熱効果が高く、ドリフト抑制精度が高い熱型赤外線固体撮像素子及びその製造方法の提供。
【解決手段】内部に熱電変換素子を包含する絶縁膜に受光素子を形作るスリットが犠牲層に達するまで開口された参照素子において、受光部及びスリットを覆う導電性材料膜とその上に保護膜が設けられ、導電性材料膜及び保護膜は、スリットの側壁に沿ってスリット内部に入り込みスリット内部に空隙が残存している。これにより、絶縁膜の残留応力が受光素子と参照素子とで揃った状態が保たれ、焦点ズレによるレジストマスクパターン精度悪化は起こらず、入射赤外線に対する遮光効果や熱を効率良く逃がす伝熱効果も向上し、ドリフト抑制精度を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】測定精度が低下してしまうのを抑制することのできる赤外線センサモジュールを得る。
【解決手段】基板２上に配置した赤外線センサ３の上方にレンズ５が配置されており、開口部６１が形成された座壁６２と、赤外線センサ３の周囲を覆う側壁６３とを有するセンサカバー６が基板２上に搭載されている。また、ワイヤ１２を介して赤外線センサ３と電気的に接続されるＩＣ搭載部４が基板２上に配置されている。そして、センサカバー６を基板２の上面２ａおよびＩＣ搭載部４の上面４ａに配置した。 （もっと読む）

【課題】冷接点における温度上昇や外気温の変化等があっても、サーモパイル素子の冷接点から速やかに熱を移動させることができ、正常な出力を行うことができる熱型赤外線センサを提供する
【解決手段】ステム１と、キャン４と、サーモパイル素子２と、シボリ３と、を備え、前記サーモパイル素子２が、前記一方の面に形成された冷接点部２２を前記シボリ３に接触させて取り付けられているとともに、前記基板Ｗの他方の面と前記ステム１との間に隙間が形成されており、前記シボリ３が、前記ステム１に接触させて取り付けられているとともに、前記キャン４との間には隙間が形成されている。 （もっと読む）

【課題】放射温度計が設置された雰囲気において、センサヘッドの外部からの熱外乱が起こり、センサ素子の熱バランスがくずれ、変換器へ出力される信号に生ずる誤差を抑え、センサヘッド外部からの熱の影響のない放射温度計センサ素子断熱構造を提供する。
【解決手段】センサヘッド筺体０１０１と、センサヘッド筺体内に収められ、赤外線放射エネルギーを検出するセンサ素子０１０２と、赤外線放射エネルギーを透過する赤外線レンズ０１０３と、赤外線レンズを透過した赤外線放射エネルギーをセンサ素子へ導く鏡筒０１０４と、センサ素子が検出した信号を変換器へ出力するための出力ケーブル０１０５と、センサ素子の端子と接続された第一接続部０１０６と、出力ケーブルと接続された第二接続部０１０７と、第一接続部と第二接続部を接続する接続導線０１０８と、からなる放射温度計センサ素子の断熱構造。 （もっと読む）

【課題】 第１電極に接続される配線を支持部材に導き、焦電型検出素子や支持部材に形成される段差を抑制して形状加工性を向上できる焦電型検出器、焦電型検出装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】 焦電型検出器は、基体１００と、基体より突出するスペーサー部材１０４と、スペーサー部材に支持される支持部材２１０と、支持部材に支持される焦電型検出素子２２０とを有する。焦電型検出素子は、第１電極２３４と、第２電極２３６と、第１，第２電極間に配置された焦電体２３２とを有する。第１電極が、焦電体が積層形成される第１領域２３４−１と、第１領域より延在形成された第２領域２３４−２とを含む。支持部材は、絶縁層２１２と、絶縁層よりも第２面２１１Ｂ側に配置された第１配線層２１４と、平面視で第１電極の第２領域及び第１配線層が重なる位置にて絶縁層を貫通して第１配線層と第１電極とを接続する第１プラグ２１６とを含む。 （もっと読む）

【課題】 熱型検出素子を基体から熱分離する空洞部の深さを規定するスペーサー部材を配線構造として兼用し、かつ、その配線構造により、確実に熱分離できる空洞部の深さを確保することができる熱型検出器、熱型検出装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】 熱型検出器は、基体１００と、基体１００より突出するスペーサー部材１０４と、スペーサー部材１０４に支持される支持部材２１０と、支持部材に支持される熱型検出素子２２０と、基体内に配置されて熱型検出素子と接続される検出回路５１０，５２０と、熱型検出素子と検出回路とを接続する配線部と、を有する。配線部は、基体内に配置された少なくとも一層の第１導電層ＬＩＡ，ＬＩＢと、スペーサー部材内に配置された少なくとも一層の第２導電層ＬＩＣ，ＬＩＤと、支持部材に支持された第３導電層２１４，２３８と、第１，第２及び第３導電層の隣接層同士を接続する複数のプラグＨＬＡ〜ＨＬＤとを含む。 （もっと読む）