【課題】例えばリフロー実装可能な程度の優れた耐熱性を有する赤外線センサを提供する。
【解決手段】赤外線センサ１は、焦電体層１０と、一対の電極１１ａ、１１ｂとを備える。焦電体層１０は、窒化アルミニウム系圧電体材料からなる。一対の電極１１ａ、１１ｂは、焦電体層１０を狭持している。 （もっと読む）

【課題】故障し難く小型化することが可能な光検出素子及び該光検出素子を用いる光検出方法を提供する。
【解決手段】光吸収層及び該光吸収層に隣接する量子構造部と、光吸収層に接続された第１電極と、量子構造部に接続された第２電極とを有し、量子構造部は、量子井戸層及び該量子井戸層を挟む障壁層を有し、障壁層の伝導帯端は光吸収層の伝導帯端よりも高エネルギーであり、障壁層の伝導帯端と光吸収層の伝導帯端とのエネルギー差は、０．５８ｅＶよりも大きく、量子井戸層の伝導帯側に形成された量子準位は光吸収層の伝導帯端よりも高エネルギーであり、量子準位と光吸収層の伝導帯端とのエネルギー差は電子が受け取る熱エネルギーよりも大きい光検出素子とし、該光検出素子を用いて光検出素子へと入射した光により生じた電流電圧特性を得る工程と、得られた電流電圧特性を用いて入射した光の波長及び強度を同定する工程と、を有する光検出方法とする。 （もっと読む）

【課題】焦電センサーとボンディングパッドとを同一の基板に効率良く形成することができ、また、特別なプロセスを追加することなくボンディングパッドの剥離を抑制できるようにしたセンサー装置の製造方法及びセンサー装置を提供する。
【解決手段】基板上の第１領域に第１導電部を形成する工程と、第１導電部上に焦電体を形成する工程と、焦電体上に第２導電部を形成する工程と、第２導電部上及び、基板上の第２領域にそれぞれ第１絶縁膜を形成する工程と、第１絶縁膜の一部を除去して、第１領域に第２導電部を底面とする第１開口部を形成し、第２領域に第２開口部を形成する工程と、第１開口部及び第２開口部にそれぞれ第３導電部を埋め込む工程と、第１領域において焦電体を覆い、第２領域において第３導電部を覆う第２絶縁膜を形成する工程と、第２絶縁膜の一部を除去して第３導電部を底面とする第３開口部を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】日影損失によって発電量が低下したことを迅速且つ確実に評価し、日影損失が発生した際のユーザの経済的損失を最小限に抑制する。
【解決手段】本発明は、太陽光発電アレイ１と、太陽光発電アレイ１に取り付けられる魚眼カメラ２と、少なくとも異なる二つの時点に前記魚眼カメラにより撮影された各全天画像から天空域と日射遮蔽物とのエッジを画像処理によりそれぞれ検出するエッジ検出手段１１と、エッジ検出手段１１により検出された各エッジに基づき前記少なくとも異なる二つの時点における斜面日射量をそれぞれ算出する斜面日射量算出手段１２と、して機能するＣＰＵ７と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 磁界中において渦電流の発生を低減して発熱による検出誤差を低減可能な赤外線センサ及びこれを備えた電磁加熱調理器を提供すること。
【解決手段】 絶縁性フィルム２と、絶縁性フィルム２に設けられ一対の端子電極を有する感熱素子３と、絶縁性フィルム２にパターン形成され一対の端子電極に接続された導電性の一対の配線パターン４とを備え、一対の配線パターン４が、線状に形成され、感熱素子３を中心にして該感熱素子３から半径方向外方に向けて放射状に延在する複数の放射状パターン４ａを有している。 （もっと読む）

【課題】紫外線用の照度計において、測定を行いたい波長の光の照度を精度良く測定し、かつ受光器の厚さを薄くすること。
【解決手段】紫外線が入射する受光口と、この受光口から入射した紫外線を受光し受光した光の強度に応じた電気信号を送信する受光素子を備える受光器と、受光器からの信号に基づき紫外線の照度値を計算する演算部を備える本体部とを有する紫外線用の照度計において、受光器の受光口と受光素子との間に、受光口側から、拡散板と、干渉フィルタと、アパーチャ板をこの順で設ける。 （もっと読む）

【課題】工程数の増加を抑えつつ、焦電センサーとボンディングパッドとを同一の基板上に効率良く形成できるようにしたセンサー装置の製造方法及びセンサー装置を提供する。
【解決手段】基板上の第１領域及び第２領域にそれぞれ第１導電部を形成する工程と、第１領域の第１導電部上に焦電体を形成する工程と、焦電体上に第２導電部を形成する工程と、第２導電部上及び、第２領域の第１導電部上にそれぞれ第１絶縁膜を形成する工程と、第１絶縁膜の一部を除去して、第１領域に第２導電部を底面とする第１開口部を形成し、第２領域に第１導電部を底面とする第２開口部を形成する工程と、第１開口部及び第２開口部にそれぞれ第３導電部を埋め込む工程と、第１領域において焦電体を覆い、第２領域において第３導電部を覆う第２絶縁膜を形成する工程と、第２絶縁膜の一部を除去して第３導電部を底面とする第３開口部を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）