【課題】短波長領域（例えば４００ｎｍ未満）での透光性を保持しながら、赤外領域及び可視域（例えば４００〜７００ｎｍ）で高い遮光性を有し、剥がれの発生が抑制された遮光膜用着色組成物を提供する。
【解決手段】チタン原子を有する黒色チタン顔料から選ばれる少なくとも一種と、赤色有機顔料、黄色有機顔料、紫色有機顔料、及び橙色有機顔料の中から選ばれる有機顔料の少なくとも１種と、オキシム系光重合開始剤の少なくとも一種とを含み、波長６５０ｎｍの光の透過率が０．２％となるように成膜したときに、波長４００〜７００ｎｍの光の透過率の最大値が１．５％以下であり、その最大透過率を示す波長を４００〜５５０ｎｍに有しており、波長４００ｎｍにおける光の透過率が０．１％以上である。 （もっと読む）

【課題】出力される画像が暗くなるのを低減することのできる固体撮像素子およびその製造方法、並びにその固体撮像素子を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像素子は、有効画素領域Ａと、オプティカルブラック領域Ｂとが形成された撮像部１０を備えている。有効画素領域Ａのセンサ部１１ａ上に反射防止膜３６が形成されている一方、オプティカルブラック領域Ｂのセンサ部１１ｂ上に反射防止膜は形成されていない。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、且つ焦点検出用の画素を撮像画素としても兼用可能な固体撮像素子、およびこれを用いた撮影装置を提供する。
【解決手段】撮影装置２のＣＣＤ１１は、素子構造が対称な第一画素３８ａ、第二画素３８ｂと、各画素３８ａ、３８ｂ同士を分離する素子分離層４８に独立した電圧印加を可能とするＬＣＳ端子３７とを有する。瞳分割位相差検出方式による焦点検出を行う場合は、各画素３８ａ、３８ｂの受光部３０が左右対称に変形するようＬＣＳ端子３７に所定電圧よりも正負いずれかの側にシフトした電圧（素子分離層４８がｐ型半導体の場合は所定電圧よりも負側にシフトした電圧、ｎ型半導体の場合は所定電圧よりも正側にシフトした電圧）が印加される。画像データを生成する場合は、各画素３８ａ、３８ｂの受光部３０に変形が生じず各画素３８ａ、３８ｂの受光特性が等しくなるようＬＣＳ端子３７に所定電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】層内レンズ内のボイドの発生を防止する。
【解決手段】半導体基板上１１上に、ゲート絶縁膜２５及び第１、第２転送電極１９ａ，１９ｂを覆う絶縁膜２６、及び絶縁膜２６を覆うＢＰＳＧ膜４９を形成する。ＢＰＳＧ膜４９上にその凹部５０を埋めるようにＳｉＮ膜５２を形成して、下凸層内レンズ２９を形成する。ＳｉＮ膜５２を平坦化した後、ＳｉＮ膜５２をＢＰＳＧ膜４９よりも高選択比でエッチングして、各転送電極１９ａ，１９ｂ上及びその周囲の領域のＢＰＳＧ膜４９を露出させる。露出したＢＰＳＧ膜４９を異方性エッチングして電極周囲溝５５を形成する。電極周囲溝５５を埋めるように遮光膜２７を形成する。遮光膜２７における受光素子１２の直上位置に開口部２７ａを形成する。遮光膜形成前の低アスペクト比の凹部５０にＳｉＮ膜５２を埋め込んで下凸層内レンズ２９を形成するので、ボイドの発生が防止される。 （もっと読む）

【課題】 特性劣化を防止しながら、スミアの発生を抑制できる構造を備えた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、表面近傍に、垂直方向に延伸する複数の転送チャネル領域３と複数の受光部９とを有する半導体基板１と、半導体基板１の上に、複数の転送チャネル領域３を覆うように形成された複数の垂直転送電極１１ａと、複数の垂直転送電極１１ａの上を覆うと共に複数の受光部９の上を開口するように形成された遮光膜１３とを備えている。複数の転送チャネル領域３は、少なくともその一部が、複数の受光部９よりも上側に位置するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】遮光性能の確保と集光効率の向上とを両立することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】基板１に形成された、被写体からの光を受光してその光量に応じた電荷を発生する光電変換領域２ａ及び黒レベルを検出するための光電変換領域２ｂを有するＣＣＤ型の固体撮像素子１００であって、光電変換領域２ａ，２ｂに対応して設けられるＣＣＤを構成する電荷転送電極３ａと、電荷転送電極３ａ及び光電変換領域２ｂを遮光する遮光膜８であって、光電変換領域２ａ上方に開口が形成された遮光膜８と、光電変換領域２ｂと遮光膜８との間の基板１上方に設けられた導電性部材５とを備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性の低下、光学特性の劣化を防ぐことが可能な固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板に形成された光電変換素子１２を備えた固体撮像素子の製造方法であって、光電変換素子１２上方に下凸形状の層内レンズを形成する層内レンズ形成工程を備え、層内レンズ形成工程は、光電変換素子１２上に凹部を有する層間絶縁膜１７を基板上方に形成する工程と、層間絶縁膜１７の上に層内レンズを構成する第一のレンズ材料の膜１８を形成する工程と、第一のレンズ材料の膜１８をスパッタエッチングによって削り、第一のレンズ材料の膜１８内に空隙が発生するのを防止する工程と、スパッタエッチングの後、酸素プラズマ処理及び熱処理の少なくとも一方を行って、第一のレンズ材料の膜１８の表面の改質を行う工程と、改質を行う工程の後、第一のレンズ材料の膜１８の上に第二のレンズ材料の膜１９を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】高画質化を実現すると共に、フレームレートの向上を図ることを目的とする。
【解決手段】水平画素方向に映像未使用領域を有する画角で撮影する際に、電子シャッタパルスΦＳＵＢや垂直転送パルス（ΦＶ１〜ΦＶ４）の出力を、映像未使用領域に対応する水平転送パルスΦＨの出力位置で行うことにより、フレームレートを向上することができる。 （もっと読む）

【課題】短波長領域（例えば４００ｎｍ未満）での透光性を保持しながら、赤外領域及び可視域（例えば４００〜７００ｎｍ）で高い遮光性を有し、剥がれの発生が抑制された遮光膜用着色組成物を提供する。
【解決手段】チタン原子を有する黒色チタン顔料から選ばれる少なくとも一種と、赤色有機顔料、黄色有機顔料、紫色有機顔料、及び橙色有機顔料の中から選ばれる有機顔料の少なくとも１種とを含み、波長６５０ｎｍの光の透過率が０．２％となるように成膜したときに、波長４００〜７００ｎｍの光の透過率の最大値が１．５％以下であり、その最大透過率を示す波長を４００〜５５０ｎｍに有しており、波長４００ｎｍにおける光の透過率が０．１％以上である。 （もっと読む）

【課題】フラッシュ撮影時において広ダイナミックレンジで、かつ低ノイズの画像を得る。
【解決手段】短期間露光側の第２受光素子から信号電荷を読み出すタイミングｔ２の直前に、ＶＣＣＤ及びＨＣＣＤを駆動して、第２受光素子の露光期間ｔＳに第１及び第２受光素子に対応するＶＣＣＤに蓄積される不要電荷を、それぞれ第１及び第２ノイズ信号として出力させる空転送動作（高速転送動作）を実行する。次いで、第２ノイズ信号に、第１及び第２受光素子の露光期間ｔＬ，ｔＳの比に基づく係数を乗ずることにより、第１受光素子の露光期間ｔＬの終了時点で第２受光素子に対応するＶＣＣＤに蓄積される不要電荷の量に対応した補正信号を算出し、算出した補正信号を第２撮像信号から減算するノイズ補正を行う。そして、第１撮像信号と、ノイズ補正がなされた第２撮像信号とを合成して画像データを生成する。 （もっと読む）

【課題】 複数の画素列に対して１つの電荷転送路が形成された固体撮像装置において、電荷転送路が間に形成されていない光電変換素子間で生じる混色を防止することが可能な固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｘ方向に隣接する画素列１６Ｖの間には、垂直転送レジスタ１８が配置されている。垂直転送レジスタ１８は、Ｙ方向にのびており、複数列の画素列１６Ｖに対して１本ずつ配置されている。電極構造体２２−１及び２２−２の一部は、フォトダイオード１６の間の領域に列方向にのびている。電極構造体２２−１及び２２−２のうち、垂直転送レジスタ１８が間に形成された画素列１６Ｖ間にのびた部分は転送電極２４となり、垂直転送レジスタ１８が間に形成されていない画素列１６Ｖ間にのびた部分は画素間構造体２６となる。画素間構造体２６は、隣のフォトダイオード１６に対応するカラーフィルタを通った光の混入を防止する障壁として機能する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、スミアを抑制する。
【解決手段】固体撮像装置５０において、半導体基板１０の上部に設けられ、光電変換により電荷を生成する光電変換領域１１と、光電変換領域１１の側方で且つ半導体基板１０上に設けられた転送電極４と、転送電極４上を覆うと共に光電変換領域１１上に開口部を有する遮光膜６とを備える画素が複数配列されている。少なくとも一つの画素において、光電変換領域１１上に、遮光膜６と重なることを避けて開口部内に形成された反射防止膜１６ａを備える。 （もっと読む）

【課題】精細で矩形性の良好なパターンを、膜面及び基板面の粗れや不要な削れを抑えて加工形成することができるカラーフィルタの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも複数の受光素子を有する支持体に設けられるカラーフィルタの製造方法であって、（ａ）支持体上に有機層を形成する有機層形成工程と、（ｂ）パターニングされたフォトレジスト層をマスクとして、窒素、アンモニア、及び水素から選択される１種以上のガスと酸素ガスとを含む混合ガスを用い、前記有機層をドライエッチング処理するエッチング工程と、（ｃ）前記エッチング工程後に残存する前記フォトレジスト層を有機溶剤により選択的に溶解除去するフォトレジスト除去工程と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】混色を抑制して色再現性に優れたカラーフィルタを低コストに製造する。
【解決手段】チップ基板１２ａ上にデバイス保護層３６を形成する。デバイス保護層３６に凹部３７を形成する。凹部３７を埋めるように、デバイス保護層３６上に多孔質シリカ７４層を形成する。多孔質シリカ７４層に緑・青・赤用開口部７６Ｒ，７６Ｇ，７６Ｂを順番に形成するとともに、各開口部が形成される度にその開口部を埋めるように、開口部に対応した色の緑・青・赤色層８３Ｇ，８３Ｂ，８３Ｒを多孔質シリカ７４層上に順番に積層する。凹部３７の周縁部である研磨ストッパー部３８が露出するまで、各色層８３Ｒ，８３Ｂ，８３Ｇ及び多孔質シリカ７４の各表面に研磨処理を施して、各色画素４０Ｒ、４０Ｇ，４０Ｂ、及び分離壁４１からなるカラーフィルタ２２を形成する。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの直下の膜パターンを、寸法精度を高精度にレジストパターンと同形状の膜パターンとして形成する。
【解決手段】シリコン基板１の全面に、可視光を反射防止する第１反射防止膜としての窒化膜１１を成膜する窒化膜成膜工程と、窒化膜１１上に、露光を反射防止すると共に現像液に溶ける紫外線反射防止膜１２を成膜する紫外線反射防止膜成膜工程と、半導体装置を構成するゲート電極に隣接するシリコン基板１の所定表面領域の中央領域上に、紫外線反射防止膜１２の形状加工用のフォトレジストパターン１３を形成するフォトレジストパターン形成工程とを有している。このとき、紫外線反射防止膜１２によって露光が吸収されて露光の反射光が抑制され、反射光によるフォトレジスト膜側面のくびれを防止する。 （もっと読む）

【課題】入射光の混色の発生を抑制することができるカラーフィルタを提供する。
【解決手段】青色光を透過する領域（ＢＬＵ）３１、緑色光を透過する領域（ＧＲＥ）３３、及び、赤色光を透過する領域（ＲＥＤ）３２を備えるカラーフィルタ３０を構成する。そして、青色光を透過する領域（ＢＬＵ）３１、緑色光を透過する領域ＧＲＥ）３３、及び、赤色光を透過する領域（ＲＥＤ）３２のうち、隣接する少なくとも２つの領域を、補色光を透過する補色フィルタ３４，３５，３６の組み合わせにより構成する。さらに、隣接する領域において、光の入射面側に同色光を透過する補色フィルタ３４，３５，３６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜として作用する窒化膜を容易かつゲート側壁に残膜なく生産性よく正確に加工する。
【解決手段】ゲート膜のうちのゲート酸化膜１ａおよびゲート窒化膜２を反射防止膜としてフォトダイオードの中央部上に形成する反射防止膜形成工程を有しており、反射防止用のゲート窒化膜２を従来のようにゲート電極６１上に成膜しないため、ゲート電極の側壁に窒化膜の形成はなく、これによって、窒化膜の加工に等方性のドライエッチングによる必要がなくなり、異方性のドライエッチングとなって、エッチングシフトを抑えて、線幅の制御性を向上させている。 （もっと読む）

【課題】入射光によって半導体基板の表面で発生した電子が基板表面に沿って拡散し、チャネルストップ部を通過して転送チャネル領域に漏れ込むスミア成分を抑制する。
【解決手段】入射光を光電変換する受光部と、受光部から読み出される信号電荷を転送する電荷転送部と、電荷転送部の転送方向で隣り合う受光部間に設けられたチャネルストップ部５０′と、チャネルストップ部内に形成されたゲッター部６０′とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来のようなコンタクト部を形成しないことにより、製造工程が簡略化すると共に、集光効率のよい凹部形状を形状ばらつきなく形成する。
【解決手段】１層目の転送電極４が行方向に連結した複数のＴ字型に形成され、２層目の転送電極５が行方向に連結した複数の逆Ｔ字型に形成されており、１層目の転送電極４と２層目の転送電極５が行方向に重なって、行間に突出した１層目の転送電極４の端部と、行間に突出した２層目の転送電極５の端部とが重なって配置されている。この２層目の転送電極５が１層目の転送電極４に重なってない２層目の転送電極５上に、２層目の転送電極５よりも小さい領域（狭い幅）に柱状で島状のダミー構造部６（ダミー膜）が配置されている。 （もっと読む）

【課題】各画素の空乏層を本来の深さまで伸びるようにし、可視光での画素間のクロストークを低減すると共に赤外光での感度を高めることが可能な増幅型固体撮像装置を提供する。
【解決手段】第１導電型で不純物密度１０¹⁴ｃｍ^-3以下且つ１０¹¹ｃｍ^-3以上の電荷生成層１２と、この電荷生成層１２の上部の一部に埋め込まれた第２導電型の表面埋込領域１３とを有する光電変換素子ＰＤ_ｉｊと、電荷生成層１２の上部の他の一部に埋め込まれた第１導電型の転送チャネル形成ウェル１９及び増幅回路形成ウェル１８と、転送チャネル形成ウェル１９の上部の一部に埋め込まれた第２導電型の半導体領域からなり、光電変換素子から信号電荷が転送される電荷検出領域１６と、転送チャネル形成ウェル１９及び増幅回路形成ウェル１８のそれぞれの底部に設けられ電荷生成層１２と接して設けられた第２導電型の半導体領域からブロック層２１とを備える。 （もっと読む）