【課題】より良好な画質を得る。
【解決手段】シリコン基板の内部に形成されるＮ型領域を有する第１のＰＤと、第１のＰＤよりもシリコン基板の深部に形成されるＮ型領域を有する第２のＰＤと、シリコン基板に対して積層され、第１のＰＤおよび第２のＰＤにより光電変換された電荷に応じた信号を読み出す電荷転送時に、所定の電圧が印加されるゲート電極と、電荷転送時に、第１のＰＤおよび第２のＰＤに蓄積されている電荷が転送されるＦＤと、転送ゲートと平面的に見て重なり合うように、シリコン基板の深さ的にＮ型領域とＮ型領域との間に配置されるＮ型領域とを備える。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOS型固体撮像素子に適用できる。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードからフローティングディフュージョンへの信号電荷の転送効率を向上させ、撮像画像の画像品質を向上させる。
【解決手段】転送ゲート電極をチャネル形成領域の上方からフォトダイオードの上層における埋込酸化膜の上方に渡るように形成する。 （もっと読む）

【課題】 各画素の微細化にも対応可能で、光検出感度の高い光検出装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体基板２０の一方の面２０ａ上に２次元アレイ状に配列されて形成された複数の凸部２に、入射光強度に応じた量の電荷を発生する光検出部４が形成される。また、２次元アレイの一方の配列方向に沿って、凸部２間に形成された凹状領域３ａに、読み出し部である配線６及びスイッチ７が形成される。配線６によって光検出部４から発生した電荷が読み出され、スイッチ７によって光検出部４と配線６とが電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】カラーピクセルアレイ部が通常のウェル内に形成され、ブラックピクセルアレイ部が二重ウェルの中のウェル内に形成された固体撮像装置において、周辺回路トランジスタの製造プロセスとの整合性を確保しつつ、ピクセルの高感度化を実現しうる固体撮像装置の構造及び製造方法を提供する。
【解決手段】
第１のウェル内に形成されフォトダイオード及び第１の読み出しトランジスタとを有するカラーピクセルと、二重ウェルである第２のウェル内に形成されフォトダイオード及び第２の読み出しトランジスタとを有するブラックピクセルとを有し、第１のウェルが第１の読み出しトランジスタが形成された領域のウェル底部に埋め込み不純物層を有し、第２のウェルがフォトダイオードが形成された領域及び第２の読み出しトランジスタが形成された領域のウェル底部に埋め込み不純物層を有する。 （もっと読む）

【課題】埋込フォトダイオードを電荷生成部に有するＣＭＯＳ型固体撮像装置において、暗電流をさらに低減できるようにする。
【解決手段】半導体基板２１１の表面側に信号電荷蓄積層である第１センサ領域２２１を形成し、第１センサ領域２２１の上部にホール蓄積層である第２センサ領域２２２を形成することで、埋込フォトダイオード２３２を形成する。フローティングディフュージョン部２３８をなす拡散層２４６とフォトダイオード２３２との間に転送トランジスタ２３４をなす転送ゲート電極２４８を形成する。この転送ゲート電極２４８を、少なくともそのチャネル側がｐ型半導体またはそれに準じる仕事関数の物質で形成する。仕事関数差を利用することで、転送ゲート電極２４８の電位を実質的に負電位にして、転送ゲート電極２４８下にホールを蓄積する効果を享受できるようになり、転送ゲート下界面からの暗電流の発生を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】低照度時の感度を向上させると共に、ダイナミックレンジを向上させる。
【解決手段】 基板５０と、前記基板内に設けられ、入射した光に応じた光発生電荷を発生させる光電変換素子と、前記光電変換素子に隣接配置される変調トランジスタを構成する環状のゲート１４と、前記環状のゲートの中央開口の前記基板表面に形成されるソース領域１５と、前記ゲート下方の前記基板内に形成された高濃度領域であって、前記光電変換素子において発生した光発生電荷を保持して前記変調トランジスタの閾値を変化させる第２キャリアポケット１９と、前記ゲート下方の前記基板内に形成された高濃度領域であって、少なくとも一部が前記第２キャリアポケットのいずれの部分よりも前記光電変換素子に隣接して形成され、前記光電変換素子からの光発生電荷を保持して前記変調トランジスタの閾値を変化させる第１キャリアポケット１７と、前記第１キャリアポケットと前記第２キャリアポケットとの間に形成される電位障壁２とを含む。 （もっと読む）