【課題】高集積化を図ることができる固体撮像装置及び情報端末装置を提供する。
【解決手段】入射した光を電荷に変換して蓄積する光電変換素子が形成された第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有する複数の画素が２次元的に配置され、前記複数の画素の前記第１面によって上面１１が形成され、前記複数の画素の前記第２面によって裏面１２が形成された撮像基板１０と、前記撮像基板１０の前記上面１１側に設けられた遮光部材１３と、を備える。前記複数の画素は、前記遮光部材１３の上方から光が照射された場合に、前記遮光部材１３によって、遮光される画素と、遮光されない画素とに区別され、前記遮光されない画素の前記光電変換素子によって蓄積された前記電荷は、前記遮光される画素の前記第２面に形成されたＡＤ変換回路によってデジタル信号に変換される。 （もっと読む）

【課題】装置の信頼性や、製品の歩留まりなどを向上させる。
【解決手段】第１の開口と第２の開口との内部に金属材料を埋め込んで第１プラグと第２プラグとを設けると共に、第１プラグと第２プラグとの間を接続する接続配線を設けることで、接続導電層を形成する。そして、接続導電層において接続配線の上面を被覆するようにパッシベーション膜を形成する。このパッシベーション膜の形成工程では、高密度プラズマＣＶＤ法などのように埋め込み性に優れた成膜法で、ＳｉＯ_２などの絶縁膜を成膜することによって、パッシベーション膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 裏面照射型イメージセンサ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 イメージセンサデバイスは、表面及び表面と対向する裏面を有する基板、この基板に配置され、裏面を通過して基板に入射する放射波を検出するように動作可能である放射線検出領域、基板の表面の上に配置された相互接続構造、基板の裏面の上に配置され、基板に引張応力を与える材料層、及び材料層の少なくとも一部の上に配置された放射線遮蔽デバイスを含む。 （もっと読む）

【課題】高画素密度、高解像度、低混色、高感度を可能にする固体撮像装置を提供する。
【解決手段】各画素１ａは、基板上に形成された第１の半導体Ｎ^＋領域と、この領域上の第２の半導体Ｐ領域３と、その上部側面領域の第３の半導体Ｎ^＋領域６ａ，６ｂと、領域６ａ，６ｂの下部側面領域の外周部の絶縁層４ａ，４ｂと、第３の半導体Ｎ^＋領域６ａ，６ｂ及び絶縁層４ａ，４ｂの外周部の光反射導体層９ａ，９ｂと、領域３及び領域６ａ，６ｂ上の第５の半導体Ｐ^＋領域１０と、領域１０上に形成され、該領域１０の上表面近傍に焦点が位置するマイクロレンズ１１と、マイクロレンズ１１と第５の半導体Ｐ^＋領域１０との間の光透明中間層２４と、を備えている。マイクロレンズ１１の焦点が、光透明中間層２４の内部に位置する。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の面積が異なる画素を含む固体撮像装置において、画素間の感度のばらつきを低減する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光電変換素子をそれぞれ有する複数の画素と、光電変換素子を覆う遮光層とを備える固体撮像装置が提供される。遮光層は、複数の画素のそれぞれの光電変換素子に対して、当該光電変換素子への入射光の一部分を遮るための遮光部と、入射光の残り部分を通すための開口部とを有し、複数の画素は、光電変換素子の平面視における面積が異なる少なくとも２種類の画素を含み、光電変換素子の平面視における面積の大きい画素ほど遮光部の面積が大きい。 （もっと読む）

【課題】 複数の配線層を有する固体撮像装置における、配線上に形成されたパッシベー
ション膜と層間絶縁膜の界面による反射光と、受光面上での反射光とのリップルを低減さ
せて、色ムラを低減させることを目的とする。
【解決手段】 本発明は、基板に受光部１０２が配置され、前記基板上に複数の配線層（
１０４〜１０８）を有し、該配線層の少なくとも一つは略平坦な第１の絶縁膜（１０７）
上に配置されている固体撮像装置であって、前記第１の絶縁膜上に配置された配線層（１
０８）上に、前記第１の絶縁膜と接する部分を有し、且つ該第１の絶縁膜と屈折率の異な
る第２の絶縁膜（１０９）を有し、前記受光部上の少なくとも一部に、膜厚方向に２種類
以上の異なる屈折率（１１２，１１３）を有する部分を含む第３の絶縁膜を有することを
特徴とする固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】小型化が容易に可能であって、ノイズの発生を防止して撮像画像の画像品質が低下するなどの不具合の発生を抑制する。
【解決手段】入射光Ｈを遮光するように形成された光電変換膜１３を、シリコン基板１１において、読出し回路５１，ｎ型不純物領域１２，４１１よりも入射光Ｈが入射する側に設ける。これにより、読出し回路５１，ｎ型不純物領域１２，４１１へ入射する入射光Ｈを光電変換膜１３で遮光させる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、受光部となる光電変換部の開口部に入射した光の回折効果で光電変換部以外に広がる回折光の強度を弱め、感度向上を図り、スミアあるいは混色などのノイズを抑制する。
【解決手段】光電変換部４と、光電変換部４からの電荷が転送される電荷受容部７と、光電変換部４上に形成されて断面逆テーパー形状の開口部１９を有し光電変換部以外に広がる回折光の強度を弱めるための光規制膜２１とを有する。 （もっと読む）

【課題】位相差画素のスミアを低減する。
【解決手段】半導体基板の表面部に二次元アレイ状に複数の画素２を配列形成し、画素２で構成される複数の画素列に対し１本置きの画素列に沿って電荷転送路３を形成すると共に、両脇の２本の画素列で該電荷転送路３を共用させ、共用する電荷転送路３を挟んで隣接する２つの画素２ａ，２ｂを位相差画素とすべく、該位相差画素の２つの画素の夫々に遮光膜開口４ａ，４ｂを設けると共に、２つの遮光膜開口４ａ，４ｂを、当該画素の中央部に対して電荷転送路３に沿う方向で逆方向、及び電荷転送路３に沿う方向に対して直角の方向で逆方向、かつ、該共用する電荷転送路３から離れる方向に偏心して設ける。 （もっと読む）

【課題】小型化可能な分光センサー及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】分光センサー装置は、光源部１１０と、光源部１１０からの光を観察対象に照射することで得られる光が入射される分光センサー１００を含む。分光センサー１００は、透過波長が異なる複数の光バンドパスフィルター６１〜６４と、複数のフォトセンサー部３１〜３４を有する。第１の光バンドパスフィルター６１は、第１の特定波長を透過する波長特性を有し、第２の光バンドパスフィルター６２は、第１の特定波長とは異なる第２の特定波長を透過する波長特性を有する。第１のフォトセンサー３１は、第１の光バンドパスフィルターを透過した第１の特定波長の光をセンシングし、第２のフォトセンサーは、第２の光バンドパスフィルターを透過した第２の特定波長の光をセンシングする。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型の固体撮像装置において、混色の発生を抑制する。
【解決手段】半導体基板内の第１の面側に形成された複数の光電変換部３と、半導体基板の前記第１の面とは反対の第２の面側に、複数の光電変換部３のそれぞれに対応して形成された複数の読み出し回路と、半導体基板の第２の面上に形成された、複数の読み出し回路を用いて複数の光電変換部の電気信号を外部に出力するための積層配線７と、半導体基板内に形成された、各光電変換部の周囲の少なくとも一部を囲む遮光部８とを備える。 （もっと読む）

【課題】転送チャネル領域とフォトダイオード部との実効距離を長くし、ＰＤ容量、つまりフォトダイオード部での信号電荷の蓄積量を確保することができる固体撮像装置を得る。
【解決手段】半導体基板１０１と、該半導体基板上に形成された複数のフォトダイオード部１１０とを有する固体撮像装置１００において、半導体基板１０１の表面の、画素を構成するフォトダイオード部に対応する部分を掘り込んで、行列状に配列された複数の掘り込み溝１０１ａを形成し、各掘り込み溝の底面部にフォトダイオード部１１０を形成し、フォトダイオード部からの信号電荷を転送するための転送チャネルを、半導体基板１０１の、掘り込み溝の両側の基板表面部分に形成した。 （もっと読む）

【課題】感度の向上とクランプミスの防止とを両立できる固体撮像素子及び撮像装置を提供する。
【解決手段】被写体からの光に応じた撮像信号を得るための光電変換部が設けられた有効画素領域と、光学的黒レベルの基準信号を得るための素子領域を有するＯＢ画素領域と、有効画素領域とＯＢ画素領域上に設けられ、有効画素領域の光電変換部の上方に開口部が形成された遮光膜とを備え、遮光膜の膜厚が、有効画素領域よりＯＢ画素領域の方が厚くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】撮像画素サイズにかかわらず、混色の発生を効果的に抑制し得る固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１は、半導体基板１００の一方の主面に沿って複数の撮像画素が二次元配列されてなる構成を有する。そして、固体撮像装置１では、複数の撮像画素の各々に、光電変換機能を有するフォトダイオード１０１と、当該フォトダイオード１０１よりもＺ軸方向上方に配されたカラーフィルタ１１０とが設けられており、半導体基板１００の厚み方向（Ｚ軸方向）において、隣り合う前記撮像画素間に、半導体基板１００の一方の主面から、カラーフィルタ１１０の上端と略同一の高さあるいはそれよりも上方に達するまでの範囲で、遮光部が形成されている。遮光部は、遮光膜１０６と遮光壁１１３との組み合わせをもって構成されている。 （もっと読む）

【課題】隣接したフォトダイオードへのクロストークを低減することで良好な画像を実現し、且つ、高感度を実現できるＭＯＳ型固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、入射光を光電変換するフォトダイオードと、前記フォトダイオードから信号電荷を読み出す読出し回路部と、前記フォトダイオードと隣接するフォトダイオードとの間に入社する光を分離する遮光障壁と、を有する画素を行列状に配置してなる固体撮像装置において、前期読出し回路部の配線の領域に遮光障壁を有する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極に起因する容量成分を簡便に低減でき、かつ信号電荷の変換効率を向上できる半導体素子及び固体撮像装置並びに撮像装置を提供する。
【解決手段】ＭＯＳトランジスタ２８のソース領域３２を第１高濃度拡散層３２ａと第１低濃度拡散層３２ｂとを有するＬＤＤ構造とするとともに、ドレイン領域３３を第２低濃度拡散層３３ｂと第２高濃度拡散層３３ａとを有するＬＤＤ構造とし、第２低濃度拡散層３３ｂの面積を第１低濃度拡散層３２ｂの面積より大きくして第２高濃度拡散層３３ａのゲート電極３５からの距離を第１高濃度拡散層３２ａのゲート電極３５からの距離より大きくした。 （もっと読む）

【課題】素子の微細化に際しても、高感度で、低スミアの固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部と、前記光電変換部に、受光部を規定する開口を有し、前記電荷転送部上を覆う遮光膜を有する固体撮像素子であって、前記遮光膜の終端部近傍に、前記半導体基板表面に溝部が形成されており、前記溝部に前記遮光膜が陥入するように形成される。 （もっと読む）

【課題】斜光による混色を防止することができると共に、各画素間に存在する受光感度のばらつきを低減することが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板に規定された受光領域において、等間隔にマトリクス状に形成された複数の受光素子と、複数の受光素子に対応して半導体基板上に設けられ、各当該受光素子が発生した電荷を読出す複数の読出し電極と、複数の読出し電極を覆い、かつ各受光素子上に開口領域を有する遮光膜と、各受光素子上の開口領域に設けられた第１の光導波路と、遮光膜上に設けられた第２の光導波路とが形成される。第２の光導波路は、ドット、ストライプまたは格子状に形成される。 （もっと読む）

【課題】素子の微細化と共に顕在化する層内レンズの問題点を解消し、固体撮像素子の集光効率を効果的に改善する。
【解決手段】光電変換部３０と、この光電変換部３０で生成された電荷を転送する電荷転送部８０と、入射した光を光電変換部３０に導く光導波路と、を有する固体撮像素子であって、光導波路が、電荷転送部８０を覆うとともに光電変換部３０の上方に内壁面が略垂直に形成された開口部を有する被覆層７と、開口部の内部に形成される透光性材料部とで構成され、被覆層７の内壁面および上面が遮光性を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】画素が電荷格納部を保有することで全画素同時の電子シャッタ動作を行うことができる固体撮像装置において、電荷格納部への光入射を低減してその光入射による偽信号の発生を抑える。
【解決手段】画素は、基板２１に形成され、フォトダイオード１から転送される電荷を蓄積する電荷格納部３と、フローティングディフュージョン４の電荷量に応じた信号を出力する増幅トランジスタと、フォトダイオード１から電荷格納部３に電荷を転送する第１の転送ゲート部１１と、電荷格納部３からフローティングディフュージョン４に電荷を転送する第２の転送部５とを備える。基板２１上に形成された層間膜３２，３３に、間隙４０が、基板２１の略法線方向から見た平面視で前記電荷格納部を実質的に囲むように形成される。 （もっと読む）