メモリユニット（２００）であって、メモリユニットの第１の層において第１のトランジスタ領域に広がる第１のトランジスタ（２１０）と、メモリユニットの第２の層において第２のトランジスタ領域に広がる第２のトランジスタ（２２０）と、メモリユニットの第３の層において第１のメモリ領域に広がる第１の抵抗センスメモリ（ＲＳＭ）セル（２３０）と、メモリユニットの第３の層において、第２のメモリ領域に広がる第２のＲＳＭセル（２５０）とを含む。第１のトランジスタは第１のＲＳＭセルに電気的に結合され、第２のトランジスタは第２のＲＳＭセルに電気的に結合される。第２の層は第１の層と第３の層との間にある。第１のトランジスタおよび第２のトランジスタは、トランジスタ重畳領域を有する。第１のメモリ領域および第２のメモリ領域は、第１のトランジスタ領域および第２のトランジスタ領域を越えて延在しない。
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【課題】本発明は、裏面コンタクト電極と拡散層とのコンタクト抵抗が低減して、半導体装置の動作速度の向上を図ることを可能にする。
【解決手段】基板１０の表面側に形成された拡散層２５Ｐ、２６Ｐ、２５Ｎ、２６Ｎと、前記拡散層２５Ｐ、２６Ｐ、２５Ｎ、２６Ｎの表面に形成されていて前記拡散層２５Ｐ、２６Ｐ、２５Ｎ、２６Ｎよりも抵抗が低い低抵抗部２７Ｐ、２８Ｐ、２７Ｎ、２８Ｎと、前記基板１０の裏面側より前記基板１０を貫通して前記拡散層２５Ｐ、２６Ｐ、２５Ｎ、２６Ｎを通して前記低抵抗部２７Ｐ、２８Ｐ、２７Ｎ、２８Ｎに接続された裏面コンタクト電極６３Ｐ、６４Ｐ、６３Ｎ、６４Ｎを有する。 （もっと読む）

【課題】ディスターブとリテンションを改善する書き込み技術を提案する。
【解決手段】本発明の抵抗変化型メモリは、第１方向に延びる第１及び第２駆動線Ｌ１，Ｌ２と、第２方向に延びる第３駆動線Ｌ３と、一端が第３駆動線Ｌ３に接続される抵抗変化素子ＭＣと、アノードが第１駆動線Ｌ１に接続され、カソードが抵抗変化素子ＭＣの他端に接続される第１ダイオードＤ１と、アノードが抵抗変化素子ＭＣの他端に接続され、カソードが第２駆動線Ｌ２に接続される第２ダイオードＤ２と、抵抗変化素子ＭＣに書き込み電流を供給するドライバ／シンカーＤＳと、抵抗変化素子ＭＣに対する第１データの書き込み時に書き込み電流を第１駆動線Ｌ１から第３駆動線Ｌ３に向かう方向に流し、抵抗変化素子ＭＣに対する第２データの書き込み時に書き込み電流を第３駆動線Ｌ３から第２駆動線Ｌ２に向かう方向に流す書き込み制御回路ＣＮＴとを備える。 （もっと読む）

【課題】セルの高集積化を図ることが可能な磁気ランダムアクセスメモリ及びその書き込み方法を提供する。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、第１の方向に延在された第１の配線ＢＬと、第１の方向と交差する第２の方向に延在された第２の配線ＷＬと、第１及び第２の配線間の第１及び第２の配線の交点に配置され、第１の配線に接続された一端を有し、固定層と記録層と固定層及び記録層の間に設けられた非磁性層とを有し、固定層の膜厚は記録層の膜厚よりも厚く、固定層の幅は記録層の幅より広く、固定層及び記録層の間に第１の電流を流すことで記録層の磁化方向が反転する磁気抵抗効果素子ＭＴＪと、磁気抵抗効果素子の他端に接続された一端と第２の配線に接続された他端とを有し、第１の電流を一方向のみに流すダイオードＤとを具備する。 （もっと読む）

【課題】記録層の形状変化にともなう反転磁界の変化量を抑制することのできる磁気抵抗素子を提供する。さらに、情報の書込みに要する電流のばらつきを抑制することのできる不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子であるトンネル接合素子１００は、固定層ＰＬと、非磁性層１４と、記録層ＲＬとを備えている。固定層ＰＬは、固定された磁化方向を有している。非磁性層１４は、固定層ＰＬ上に形成されている。記録層ＲＬは、非磁性層１４を介した固定層ＰＬとの対向面ＩＦを有し、外部磁界により反転する磁化方向を有し、コバルトと鉄とホウ素と酸素とを含んでいる。 （もっと読む）