【課題】不揮発性メモリ（「ＮＶＭ」）の正常性情報を取得して使用するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】正常性情報は、ＮＶＭの一部で検出されたエラー数、又は不揮発性メモリの一部から読み取りを行うために又はこのメモリの一部をプログラムするために必要な時間量などの、ＮＶＭ装置の一部の性能及び信頼性に関連する様々な情報を含むことができる。動作中、ホスト装置上にアドレス固有の正常性情報を受動的に記憶し、コマンドの一部としてメモリコントローラに提供することができる。メモリコントローラは、このコマンドから正常性情報を抽出し、この情報を使用してアクセス要求を実行することができる。アクセス要求の完了後、メモリコントローラは正常性情報を更新し、この情報をホスト装置へ返送することができる。 （もっと読む）

【課題】メモリの寿命を縮める動作を遅延させるシステム、方法、及びコンピュータプログラム製品を提供する。
【解決手段】メモリの寿命を縮める動作を遅延させるシステム５００は、複数のストレージデバイス５３０、５４０を含むストレージシステム５０３が含まれている。コマンドの少なくとも一部は、寿命を縮めるコマンドであり、少なくとも一つのモジュール又はブロック５３１、５３２、５３３、５４１、５４２、５４３への悪影響を有する。使用中に、装置５１０は、そのような寿命を縮めるコマンドに拠らず、ストレージデバイス５３０、５４０の寿命を延ばすように働く。使用時に、メモリの寿命に関連する少なくとも一つの特徴が、特定される。このために、メモリの寿命を縮める少なくとも一つの動作が、当該特徴に基づいて遅延される。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリ（ＮＶＭ）を有するシステムのための非正常シャットダウンを取り扱うためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】ある実施形態では、このシステムは、非正常のシャットダウン事象の後に論理的−物理的マッピングをより効率的に再構成するためにインデックスページから得た情報からレバレッジすることができる。他の実施形態では、このシステムは、ＮＶＭに記憶されたコンテクスト情報からレバレッジすることにより論理的−物理的マッピングを再構成することができる。更に別の実施形態では、コンテクスト情報は、非正常のシャットダウンの後に論理的−物理的マッピングを再構成するためにインデックスページに関連して使用することができる。 （もっと読む）

【課題】 フラッシュメモリにデータを記録する技術において、記憶しているデータが消失する可能性をより低減させる。
【解決手段】ブロック１のデータ消去時に、データの最新値が保存されているブロック２のブロックＩＤを、管理ブロックに書き込み、その後、ブロック１のデータ消去を行う。制御装置がリセットから復帰した後、使用中である旨のブロックステータスとなっているブロックが２個あった場合、当該２個のブロックのうち、管理ブロック中の上記ブロックＩＤを有するブロック（ブロック２）とは異なるブロック（ブロック１）のデータ消去を行う。 （もっと読む）

【課題】より少ないステータス情報領域で、ステータス異常に対応することができる不揮発性半導体記憶装置およびメモリ管理方法を提供する。
【解決手段】不揮発性メモリに対し、メモリセルブロック単位での一括消去処理、予め定められたアドレス数の記憶領域単位またはビット単位での書き込み処理、および、メモリセルブロック単位で、データ更新元メモリセルブロックからデータ更新先メモリセルブロックへ予め定められたデータを転送するデータ更新処理の制御を行うメモリ制御部と、を備え、複数のメモリセルブロックは、それぞれ、該メモリセルブロックの使用状態に関する情報を含むステータス情報を記憶するためのステータス情報記憶領域と、該メモリセルブロックのデータ更新処理における更新履歴を含む更新履歴情報を記憶する更新履歴情報記憶領域と、を備え、ステータス情報および更新履歴情報に基づいて、現在使用中のメモリセルブロックを特定する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリへのデータの書き込みは１または複数のページ単位で行われ、一方、書き込んだデータの消去はブロック単位で行われる。
【解決手段】複数のブロックから構成され、ブロックが複数のページから構成される書き換え可能なフラッシュメモリ１２と、書き込みデータ領域と、書き込みデータ領域に続く管理フラグ領域と、から構成される領域を１つの管理単位とし、第一の管理単位の管理フラグ領域に書き込み開始フラグを書き込んだ後、第一の管理単位の書き込みデータ領域にデータを書き込み、第一の管理単位の管理フラグ領域の書き込み開始フラグを書き込み完了フラグに書き換える書き込み動作を行い、第一の管理単位への書き込み動作完了後、第一の管理単位に続く第二の管理単位への書き込み動作を開始する制御部１１とからなるフラッシュメモリ制御装置１００。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリ装置において、メンテナンス中にリセットが発生した場合であっても、より確実に真の最新値を読み出すことにある。
【解決手段】第２のブロックＢ２への最新値のコピーが完了した後に、第１のブロックＢ１におけるブロック管理値を未使用状態とするとともに、第１のブロックＢ１のデータを消去するメンテナンスが実行される。このように、メンテナンス実行時には、第１のブロックＢ１のブロック管理値は、「＄ＦＦＦ０」から「＄ＦＦＦＦ」とされる。メンテナンス中に電源がオフ状態となるリセットが発生した場合には、ブロック管理値における「＄０」の桁が、１６進法における「１」〜「Ｅ」となる可能性がある。このように、ブロック管理値が１桁の「１」〜「Ｅ」と、３桁の「Ｆ」とで構成される場合には、その値を有するブロックからの最新値の読み出しが規制される。 （もっと読む）

【課題】画像処理装置に設けられた不揮発性メモリに対して、比較的に簡素な構成で適切にリフレッシュを行うことができるようにする。
【解決手段】画像処理装置は、自装置で用いられるデータを保存する不揮発性メモリと、自装置の動作状況を認識する認識手段１０１と、認識手段１０１が認識した動作状況をと、記憶部に予め記憶された自装置の動作状況ごとの温度変化を示す動作温度情報とを用いて、不揮発性メモリのリフレッシュの要否を判定する判定手段１０２と、リフレッシュが必要であると判定手段１０２が判定した場合、不揮発性メモリをリフレッシュするリフレッシュ手段１０３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリ装置において、ブロック間で最新値をコピーしている間にリセットが発生した場合であっても、真の最新値を認識することにある。
【解決手段】ブロック管理値をアクティブ状態とする際に、ブロック管理値がブロック毎に異なるとともに順に大きくなるように設定される。例えば、ブロック管理値として第１のブロックＢ１には「＄１１１１」が、第２のブロックＢ２には「＄１１１２」が記憶される。このため、たとえ、アクティブ状態であるブロックが複数存在する場合であっても、ブロック管理値が大きいブロックの最新値を読み出すことで、真の最新値を読み出すことができる。 （もっと読む）

【課題】
ウエアレベリングを効率良く、かつ、合理的に行う。
【解決手段】
メモリ利用モジュール９００から送られた書き込み要求ＷＲＱを受けた場合に、アクセス制御部１５０が、現在時刻ＴＭＤ、書き込み対象の候補となったアクセス単位ブロックの現時点における検出エラービット数ＥＢＮ、並びに、不揮発性メモリ２００内の管理領域に記憶されている当該書き込み対象の候補となったアクセス単位ブロックに関する最新書込時刻、及び、最新の書き込み時における検出エラービット数を取得する。引き続き、アクセス制御部１５０は、これらの取得結果に基づいて、最新の書き込み時から現時点までの検出エラービット数の時間変化率を算出し、算出された時間変化率に基づいて、当該書き込み対象の候補となったアクセス単位ブロックが、不揮発性メモリ２００に関する消去回数の平準化のために利用できるか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】読み出し動作開始から読み出し動作完了までの処理時間を可及的に低減する。
【解決手段】制御部は、不揮発性メモリに格納されているデータを読み出す際、読み出し電圧管理情報に記録されている読み出し電圧の値を用いて不揮発性メモリからデータを読み出して、誤り検出部が読み出されたデータに誤りを検出したとき、誤り検出部が読み出されたデータに誤りを検出しなくなるまで読み出し電圧を変更して前記不揮発性メモリからデータの再読み出しを行い、誤り検出部が読み出されたデータに誤りを検出しなくなったとき、読み出し電圧管理情報に記録されている読み出し電圧を更新する。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、不揮発性メモリデバイスの信頼性を改善できるメモリシステムを提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、不揮発性メモリデバイスとモニタ部と変更部とを有することを特徴とするメモリシステムが提供される。不揮発性メモリデバイスは、データを記憶する。モニタ部は、前記不揮発性メモリデバイスに対するデータの書き込み処理及び消去処理による前記不揮発性メモリデバイスの特性をモニタする。変更部は、前記モニタされた前記不揮発性メモリデバイスの特性に応じて、前記書き込み処理に要する時間が目標値に一致するように、書き込み動作とベリファイ動作とが交互に繰り返される前記書き込み処理における書き込み開始電圧の値と書き込み電圧の増加幅との少なくとも一方を変更する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、信頼性を向上させ得るディスクアレイ装置を提案する。
【解決手段】ホスト計算機から送信されるデータを物理ディスクに読書きすると共に、ログデータを不揮発性メモリに格納する第１の制御部と、前記第１の制御部の動作内容が記憶されるメモリと、外部記憶媒体を接続するためのコネクタと、障害が発生したときに押下されるスイッチと、前記コネクタに前記外部記憶媒体が接続されていることを条件に、前記メモリに記憶されている前記第１の制御部の動作内容をダンプファイルとして直接前記メモリから採取して、前記コネクタを介して前記ダンプファイルを前記外部記憶媒体に格納する第２の制御部とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 低コストのフラッシュメモリの使用によるコスト低減を可能にし、更には、処理の高速化や、フラッシュメモリの寿命延長を図ることもできる電子機器を提供すること。
【解決手段】ｎ個のデータブロックのマップ番号を書き換え候補番号に設定して、該書き換え候補番号をマップ番号として持つ記憶ブロックがフラッシュメモリ上に複数存在するか否かを判定する候補ブロック判定処理を実施し、候補ブロック判定処理で、書き換え候補番号に一致するマップ番号の記憶ブロックがフラッシュメモリ上に複数存在すると判定された時には、該当する複数個の記憶ブロックの内から、更新日時が最も古い記憶ブロックを書き込みブロックに決定して、該記憶ブロックにＲＡＭ上の該当データブロックを書き込む。 （もっと読む）

【課題】再書き込み可能な不揮発性半導体メモリに対する負荷を抑えつつ、リードディスターブ現象により生じるエラーに対処する技術を提供することを課題とする。
【解決手段】メモリ４は、ページ単位での読み出しと、ブロック単位で消去が可能である。リードカウンタ５は、メモリ４に対するリード回数ＲＣをブロック単位でカウントする。メモリコントローラ３は、リード回数ＲＣがリード回数閾値ＲＣｔｈを上回る検査対象ブロックが存在するか否かを判定する。メモリコントローラ３は、検査対象ブロックが検出された場合、検査対象ブロックに含まれる各ページに対してエラー検出処理を行い、エラー閾値ＥＢｔｈを超えるエラーが検出されたエラーページが存在するか否かを検査する。エラーページが検出された場合、検査対象ブロックに対してデータの再書き込み処理を実行する。再書き込み処理終了後、検査対象ブロックのリード回数ＲＣを初期化する。 （もっと読む）

【課題】画像形成装置に不揮発性の半導体記憶装置を搭載する場合において、ウェアレベリングの処理を効率化する。
【解決手段】画像形成装置における画像形成出力においてＮＡＮＤフラッシュメモリへの情報の書き込み命令を取得し、情報を書き込むべき記憶領域が、描画情報を一次的に記憶するための一次記憶領域であるか、それ以外の通常記憶領域であるか判断し、一次記憶領域である場合に、情報の書き込み先として一次記憶領域に含まれる全領域を先頭から順番に選択し、次の画像形成出力において再度前記一次記憶領域に情報を書き込む際、前回の画像形成出力において情報が書き込まれた領域の次の領域を選択する。 （もっと読む）

【課題】処理速度の低下を防止でき、状況に応じた的確なリフレッシュ動作を実現することが可能なメモリ装置、メモリ制御方法、およびプログラムを提供する。
【解決手段】メモリ装置２０は、ブロック単位にデータの消去が行われ、このブロックに対するデータの書き込みおよび読み出しが行われる不揮発性メモリ２３と、不揮発性メモリのアクセス動作を制御し、不揮発性メモリのデータ変化状態のレベルを監視して不揮発性メモリのリフレッシュ動作を制御する制御部２１と、を有し、制御部２１は、複数設定されたリフレッシュ動作実行の緊急度とデータ変化状態のレベルとの比較結果に応じたリフレッシュ動作を行う。 （もっと読む）

【課題】管理テーブルを不揮発性メモリに保存する時の応答遅延時間を縮減し、データ記録装置の電源遮断後に、不揮発性メモリに保存した情報から管理テーブルを復元する機能を備えるメモリコントローラを提供する。
【解決手段】不揮発性メモリ１０１１は、管理テーブル格納ブロックと、データ書き込みのために割り当てたスクラッチブロックと、データを保持するデータブロックと、データを消去した消去済みブロックを持つ。メモリ１０１２は、データの格納場所を管理する論理・物理アドレス変換テーブル１０１２０と、ブロック履歴管理テーブル１０１２５を持つ。管理テーブル格納ブロックは、論理・物理アドレス変換テーブル１０１２０とブロック履歴管理テーブル１０１２５を保存する管理テーブルページを持つ。メモリコントローラ１０１０は、論理・物理アドレス変換テーブル１０１２０の一部を不揮発性メモリ１０１１の管理テーブル格納ブロックに保存する。 （もっと読む）