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Fターム[5B018LA00]の内容

記憶装置の信頼性向上技術 (13,264) | 電源 (239)

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Fターム[5B018LA00]に分類される特許

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【課題】不揮発性半導体記憶装置のアクセス回数限度値を適正化することが可能となるメモリ制御装置および画像形成装置を提供する。
【解決手段】画像形成装置が印刷動作中であればCPU2が送信する制御信号により電源電圧可変部6は5Vの出力電圧をEEPROM7に電源電圧として供給しCPU2がEEPROM7にアクセスし、画像形成装置がスタンバイモードまたはスリープモードであればCPU2が送信する制御信号により電源電圧可変部6は1.8Vの出力電圧をEEPROM7に電源電圧として供給しCPU2がEEPROM7にアクセスする。 (もっと読む)


【課題】 各々異なるデータを格納する異なる記憶部にデータ格納不能が発生しても、速やかにデータ格納可能状態に復帰させることができるようにする。
【解決手段】 EEPROM5はIICバス3を介して機器動作上の重要データの読み書き可能なメモリである。RFIDモジュール7はEEPROM5と同じIICバス3を介してそれ以外のデータが書込まれるメモリである。CPU1はEEPROM5及びRFIDモジュール7に対してIICバス3を介してデータを選択的に書込制御する。また、CPU1は書込先のEEPROM5及びRFIDモジュール7について書込終了情報が得られないとき、RFIDモジュール7への駆動電源V2を瞬断制御する。 (もっと読む)


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