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Fターム[5B018LA03]の内容

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【課題】 データ書込み中の電圧低下により、データが正常に記憶されなかったことを検知し、正常に記憶されなかったデータを本来の正常なデータに書換えることができる記憶装置を実現する。
【解決手段】 制御回路10は、記憶領域1,2の順に同一のデータを書込み、電源電圧低下検出回路12により電源電圧の低下が検出されると、記憶領域1,2からデータを読出すとともに、その読出したデータと、レジスタに記憶されているデータとを相互に比較し、相互に一致しない場合は、データ書込み前にレジスタに記憶したデータを、電源電圧の低下が検出されたときにデータ書込みを行っていた記憶領域に書込むことにより、誤書込みされたデータを正常なデータに補正する。 (もっと読む)


【課題】
ファイルシステムの破壊を防ぐ場合に消費電力の低減が可能な不揮発性メモリ書き込み回路、携帯型情報端末及び不揮発性メモリのデータ書き込み方法を提供する。
【解決手段】
不揮発性メモリ書き込み回路10は、不揮発性メモリ13と、不揮発性メモリ13に対する書き込みを制御するCPU11と、不揮発性メモリ13及びCPU11に対して電源供給を行う主電源14及び補助電源15とを備える。なお、不揮発性メモリ13は、ファイル管理情報を格納するファイル管理領域とファイルデータを格納するファイル格納領域とに区画して使用されるものである。さらに、不揮発性メモリ13にファイル管理情報を書き込む際は、主電源14及び補助電源15による電源供給を可能とし、不揮発性メモリ13にファイルデータを書き込む際は、補助電源15による電源供給を停止して、主電源14による電源供給を行う。 (もっと読む)


【課題】書き換え可能な不揮発性メモリを有する電池駆動可能な機器において、不揮発性メモリの内容を更新する際に、電池の残量不足による更新処理の失敗を防ぐ。
【解決手段】電池駆動の状態で不揮発性メモリの内容更新をする際には(S103、電池)、更新を実行する前に電池の残量を調べ(S105)、電池の残量が所定のレベル以上の場合は不揮発性メモリの更新を行い、電池の残量が所定のレベル以下の場合には不揮発性メモリの更新を開始しない(S106)。 (もっと読む)


【課題】給電の有無にかかわらずデータの保持機能を有するメモリを用いない場合であっても、所定の演算に用いられるデータである演算データをより適切に使用することのできる電子制御装置を提供する。
【解決手段】電子制御装置100では、機関始動前に取得される大気圧データがRAM114に書き込まれる。更に、この際、大気圧データの論理値を反転したデータである大気圧データの反転データもRAM114に書き込まれる。機関始動によってバッテリBの電圧が低下すると、マイクロコンピュータ110がリセットされる。このリセットからの復帰に際し、マイクロコンピュータ110では、大気圧データと大気圧データの反転データとがRAM114から読み出され、読み出された大気圧データの反転データが、読み出された大気圧データを論理反転したものに等しいか否かが判断される。 (もっと読む)


【課題】二次記憶手段としてメモリ部及びコントローラ部と有する記憶手段CFを用い、CFのデータ書き換え動作中に電源遮断が生じてもデータ消失が発生せずデータ書き換え動作を正確に再実行可能なデータ記憶制御装置を実現する。
【解決手段】主記憶メモリ135のバックアップデータ130を二次記憶装置としてのCF145の記憶ブロック単位と同一の記憶ブロック単位に分割し、CF145へのデータ書き込み時にはバックアップデータ130領域における、データ書き込みセクタを含むブロックにフラグをセットする。セクタ単位の書き込みデータがCF145に転送されるが、CF145ではその書き込みデータを含むブロック全体の書き込みを実行する。CF145のデータ書き込み途中で電源遮断が発生した場合はバックアップデータ130領域におけるフラグがセットされた位置のブロック全体の書き込みをCF145に対して行う。 (もっと読む)


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