【課題】動作信頼性を向上させるメモリシステムを提供すること。
【解決手段】データを保持可能な不揮発性のメモリセルを備えた半導体メモリ３と、バックアップ電源２と第１外部電源（電源Ｃ）とが供給されるバックアップ制御回路６とを具備し、前記バックアップ制御回路６は、前記半導体メモリ３が前記メモリセルへのデータの書き込み中に前記第１外部電源が遮断された際に前記バックアップ電源２から与えられる電圧を前記半導体メモリ３に供給し、前記書き込みが終了した後前記バックアップ電源２から与えられる前記電圧の供給を停止する。 （もっと読む）

【課題】補助電源の容量を増大させることなく、バックアップされないメモリのデータを確実に退避させるデータ処理装置を提供する。
【解決手段】 電源回路９からの電源供給が遮断（電源電圧の低下が検出）されても、電源遮断時間の間は、ＲＡＭモジュール１０やＡＳＩＣ２０への電源供給が継続されることを利用し、この間に、ＲＡＭモジュール１０に格納されているデータを、バックアップ電源回路３３からバックアップされた第２低電圧ＢＤＬの供給を受けるＳＤＲＡＭ１１，１２に退避させる。 （もっと読む）

【課題】メモリの運用を中断することなく、ハードウェアに起因する障害であるかの判別を行うことのできるメモリ判定システム、メモリ判定方法およびメモリ判定プログラムを得ること。
【解決手段】メモリの出力にコレクタブルＥＣＣエラーが発生したら（ステップＳ２０１：Ｙ）、電圧制御回路は電圧制御線を使用してメモリの印加電圧を許容範囲内で所定時間変動させる（ステップＳ２０３）。この時間内に再びコレクタブルＥＣＣエラーが発生したら（ステップＳ２０４：Ｙ）、固定障害が発生したと判定する（ステップＳ２０６）。それ以外はソフトウェアの障害と判定する（ステップＳ２０８）。本発明では、メモリを運用しながらエージングが可能である。 （もっと読む）

【課題】最後にユーザが車両の電源状態を変化させた際のバッテリ１０の電圧がＥＥＰＲＯＭ２の書き込み可能電圧より低く、その後に電源制御部６がリセットされた際にも実際の車両の電源状態と電源制御部６で認識される電源状態とを一致させることのできる電源状態検出装置を提供する。
【解決手段】ＥＥＰＲＯＭ２の書き込み可能電圧より低い電圧に書き込み可能電圧を有するＲＡＭ７を備える。このような電源状態検出装置によれば、ＲＡＭ７を備えているので、バッテリ１０の電圧がＥＥＰＲＯＭ２の書き込み可能電圧より低い際に車両の電源状態が変化されてもＲＡＭ７に車両の電源状態に関するデータを記憶させることができる。このため、この後に電源制御部６がリセットされても、電源制御部６はＲＡＭ７に記憶させたデータから車両の電源状態を認識することができ、実際の車両の電源状態と電源制御部６で認識された車両の電源状態とを一致させることができる。 （もっと読む）

【課題】少なくともフラッシュメモリ部分を過電流から保護して、ラッチアップなどによる故障を未然に防止すること。
【解決手段】複数のフラッシュメモリ２と、ホスト装置１００に接続するためのコネクタと、複数のフラッシュメモリ２とホスト装置１００との間のデータ転送のためのキャッシュメモリ４と、複数のフラッシュメモリ２とホスト装置１００との間のデータ転送を制御するドライブ制御回路３と、外部電源電圧を内部電源電圧に変換する電源回路５とが基板上に搭載され、少なくともフラッシュメモリ２を過電流から保護するヒューズ１０を基板上に設ける。 （もっと読む）

【課題】マイクロコントローラの動作が動作保証範囲内で特定の動作条件から逸脱して性能劣化したときマイクロコントローラ内部のデータに対する不正アクセスの抑制に寄与する。
【解決手段】書換え可能な不揮発性メモリ（１４６）及び不揮発性メモリの制御と外部インタフェース制御とを行うコントローラ（１４７）を有するデータ処理回路の動作が第１の動作条件から逸脱したか否かを検出する第１検出器（１５２）と、データ処理回路の動作が前記第１の動作条件よりも厳しい第２の動作条件から逸脱したか否かを検出する第２検出器（１５４）を採用し、第１検出器が前記第１の動作条件からの逸脱を検出することに応答して前記コントローラにリセットを指示する。コントローラは、前記第２検出器が前記第２の動作条件からの逸脱を検出することに基づいて内部状態をバックアップすると共に、前記不揮発性メモリの記憶領域に対する外部からのアクセス制限を行う。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が基準電圧よりも低下したときに、揮発性メモリ内のデータを不揮発性メモリに速やかに退避できるマイコン装置を提供する。
【解決手段】ＣＰＵ７と揮発性メモリ９と不揮発性メモリ１１とがバス接続されてなるマイコン装置１Ｂにおいて、電源電圧Ｖddと第１基準電圧Ｖref1とを比較し、電源電圧Ｖddが第１基準電圧Ｖref1よりも低下した時に割込要求信号を出力する第１コンパレータ３と、電源電圧Ｖddと第2基準電圧Ｖref2とを比較し、電源電圧Ｖddが第2基準電圧Ｖref2よりも低下した時に割込要求信号を出力する第2コンパレータ4と、第１コンパレータ３からの前記割込要求信号と第2コンパレータ４からの前記割込要求信号に応じて起動し、バス１３経由で揮発性メモリ９内のデータを不揮発性メモリ１１に転送するＤＭＡ転送手段５とを備える。 （もっと読む）

コントローラと、コントローラによって制御される不揮発性メモリアレイとを有する不揮発性メモリ（ＮＶＭ）装置で、ＮＶＭ装置に給電する電圧源の出力を電圧監視回路で監視する。電圧監視回路はＮＶＭ装置の一部をなす場合と、これに結合される場合とがある。電圧監視回路は、ＮＶＭ装置に給電する電圧源の出力が所定値を下回るのを検出すると「低電圧」信号をアサートするように構成される。コントローラは、「低電圧」信号がディアサートされている間はメモリアレイにデータを書き込み、「低電圧」信号がアサートされている間はデータの書き込みを保留するように構成される。「低電圧」信号がアサートされると、コントローラは処理中の書き込みサイクル／プログラム操作がある場合はこれを完了し、「低電圧」信号がアサートされている間はさらなる書き込みサイクル／プログラム操作を阻止する。
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【課題】メモリ信頼性を向上させるシステムを提供する。
【解決手段】メモリ・セルが動作する電圧とメモリ・セルをアクセスする論理回路素子が動作する電圧との間の相対的な変動から生じる不安定性と書込み性問題を減少させるシステムは、電圧が許容可能な動作範囲内にないときにメモリ・アクセスを禁止する。第１の電圧で電力を受ける論理回路素子を有するパイプライン方式のプロセッサ及び第２の電圧で電力を受けるＳＲＡＭセルのセットを備える。クリティカル状態検出器は、第１の電圧と第２の電圧をモニタするように、かつこれらの電圧の比が許容可能な範囲内であるかどうかを決定するように設定される。電圧が許容可能な範囲内にないときに例外が発生され、例外ハンドラは、ＳＲＡＭセルへのアクセスを禁止するためにプロセッサ・パイプラインをストールする。電圧が許容可能な範囲に戻ると、パイプラインをレジュームし、例外の取り扱いを終了する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリシステムが誤動作してしまうことを確実に防止する。
【解決手段】電圧調整回路１１は、外部から供給される電源電圧（Ｖｉｎ）とこの電源電圧（Ｖｉｎ）によってコンデンサＣ２に充電される充電電圧（Ｃ２電圧）のいずれか高い方の電圧をフラッシュメモリシステムに供給する動作電圧に調整して出力する。電圧検出回路１２は、充電電圧が第１の設定値より低くなったときに、充電電圧が第１の設定値より低くなったことをメモリコントローラに通知する警告信号（ＤＥＴ＿ＶＤＤ）を出力する。電圧検出回路１３は、充電電圧が第１の設定値より小さい第２の設定値より低くなったときに、トランジスタＱ１をオンさせる信号を出力する。トランジスタＱ１がオンすると、コンデンサＣ２に充電されている電荷の放電が開始され、コンデンサＣ２の充電電圧は負荷変動の影響を受けることなく降下する。 （もっと読む）

本発明は、とりわけ自動車用のタコグラフにおいて、第１のメモリ領域と第２のメモリ領域とを有する電子回路内のデータメモリへのアクセスを制御するための方法に関している。データ保全性を高めるため、本発明では、第１のメモリ領域（２）は比較的高い安全性をもって保護されるべきデータを記憶するために設けられており、第２のメモリ領域（３）は比較的低い安全性をもって保護されるべきデータを記憶するために設けられており、供給電圧（ＵＶ）が測定され、供給電圧が予め定められた第１の電圧閾値（ＵＶＳ１）を下回っている場合には、前記第１のメモリ領域（２）へのアクセスが遮断される。本発明はまた、データストア（４）を有する電子回路（５）を備えた、上記方法を実行するための装置、とりわけ自動車用のタコグラフにも関している。
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【課題】電源に停電又は瞬断等が発生して電力が低下した場合に、不揮発性の記憶手段を備えない装置のデータをバックアップすることができるデータバックアップシステム、及びこのシステムの構成要素をなし、電源の電力の低下を検知する電力低下検知装置を提供する。
【解決手段】分電盤１の最も近傍に設置された電力低下検知装置１０が、交流電圧の振幅の低下を検知して電力の低下を検知し、電力低下通知を複合機３０及び電気機器５０へ送信する。これに応じて、不揮発性の記憶手段を備えない電気機器５０はバックアップするデータを電力低下検知装置１０へ送信し、これを受信した電力低下検知装置１０が複合機３０へデータを転送し、複合機３０に備えられた不揮発性の記憶手段にバックアップする。 （もっと読む）

【課題】電源切断後の不揮発性の記録媒体への情報記録を確実に行うことのできる情報記録装置を提供する。
【解決手段】電源切断後の不揮発性の記録媒体への情報記録を確実に行うため、電源供給部と、不揮発性記録部と、電源供給部からの電力供給を受けて不揮発性記録部への情報の記録を行う制御部と、を具備し、制御部が、電源供給部が供給する電力を監視し、当該電力が予め定めた記録限界のしきい値を下回るまで、情報の記録を実行する情報記録装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体ディスク装置内の異常発生による半導体ディスク装置やシステムの停止時間を最小限にすることができる半導体ディスク装置の異常監視・記録方法、プログラム、半導体ディスク装置、および記憶システムを提供する。
【解決手段】この半導体ディスク装置１Ａは、電源ユニット１８や冷却ファンユニット１９の駆動状況を内部モニタ１４Ａで監視し、その監視結果を常時不揮発性のＥＥＰＲＯＭ２０に記録する。それらの箇所に異常が発生したことによりシステムが停止した場合には、記録された監視結果に基づいて故障原因を把握できるため、修理のために要する半導体ディスク装置１Ａやシステムの停止時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリシステムに供給される電源電圧が所定の電圧より低くなったときに、フラッシュメモリに対する処理を停止させるメモリコントローラおよびフラッシュメモリシステムを提供する。
【解決手段】電源電圧が予め設定された第１の電圧より低くなったときに処理を停止し、その後、電源電圧が予め設定された第２の電圧より高くなったときに処理を再開する。更に、処理を停止してから処理を再開するまでの間に予め設定された第３の電圧の電圧より低くなった期間がある場合は、電源電圧が第２の電圧より高くなっても、停止していた処理を続行せずに処理を中止する。 （もっと読む）

【課題】ポータブル機器に使用されるデータ保持装置において、電源断あるいは瞬断が発生した場合においても、データの破壊が発生しない、小型で優れた特性を持つデータ保持装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＥＥＰＲＯＭまたはフラッシュメモリの電源をバックアップ電源より供給し、その電源供給線に電源切り離しスイッチを設け、そのスイッチを、メインバッテリの電圧低下検出信号と、ＥＥＰＲＯＭまたはフラッシュメモリから出力されるＲＥＡＤＹ／ＢＵＳＹ信号の、両方を条件として制御することにより、バックアップ電源の消費電力を抑えながら、電源断あるいは瞬断で、データが破壊しないデータ保持装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】バックアップ電源がないため保守作業が不要で機器構成が簡単かつ長寿命で、しかもプラントから受信するデータを確実に保存でき、データの信頼性が高いプラント用ネットワーク機器及びデータ修復方法を提供する。
【解決手段】プラントから送信されるデータが伝わるバス９に、コンピュータ１を介してデータを記録保存する大容量メモリ４と、コンピュータ３に電源を供給する平滑コンデンサを有する電源回路３と、電源遮断を監視する電圧監視回路２とを接続している。また、バスには論理回路を接続し、この論理回路６を介してデータの記録保存をする高速メモリ５を備えて構成することを特徴とするものである。大容量メモリ４と高速メモリ５には、不揮発性メモリを使用する。電圧監視回路２で電源遮断を電源遮断の監視し、電源遮断の時に高速メモリ５に一時的に記録したデータを、電源の復電時に高速メモリ５からデータを大容量メモリ４に格納修復する。 （もっと読む）

【課題】 停電等の電源異常時および地震等の衝撃を受けた時のいずれにおいてもデータ保護を行うことができるデータ処理装置を提供する。
【解決手段】 このデータ処理装置は、データ処理を行うＣＰＵ１と、ＣＰＵ１によって書き込みおよび読み出しが行われるＲＡＭ３およびＨＤＤ装置１０を具備する。ＣＰＵ１は、ＲＡＭ３への書き込みデータと同じデータを不揮発メモリ４に書き込み、ＲＡＭ３からの読み出しデータと同じデータを不揮発メモリ４に書き込む。加速度検出手段７は外部から加えられる衝撃の強さを検出する。電源電圧検出手段８は電源電圧を検出する。ＣＰＵ１は加速度検出手段７によって検出された衝撃の強さが第１の一定値を越えた時、ＨＤＤ装置１０の書き込みを禁止すると共に、不揮発メモリ４の書き込みを禁止する。また、電源電圧検出手段８によって検出された電源電圧が第２の一定値以下となった時、不揮発メモリの書き込みを禁止する。 （もっと読む）

【課題】 電源電圧降下による不揮発性メモリでのデータ破壊を、安価かつ簡単な構成で防止できるようにする。
【解決手段】 不揮発性の記憶装置ＥＥＰＲＯＭ２１７にデータ書き込みまたは読み出しを行う記憶制御装置において、電源インターフェース２１８より供給された電源電圧１３Ｖから電源電圧３．３Ｖを発生して、ＥＥＰＲＯＭ２１７およびＣＰＵ２０３に供給する。一方、電圧検出回路２２０が、電源電圧１３Ｖの実際の電圧値を検出し、ＣＰＵ２０３に送る。ＣＰＵ２０３は、検出時間がずれた２つ電圧値を基にして電圧変動度合を算出し、算出された電圧変動度合と電源電圧１３Ｖの実際の電圧値とに基づいて、ＥＥＰＲＯＭ２１７に対するデータ書き込みまたは読み出しを許可するか否かを判断する。 （もっと読む）

【課題】 停電検出回路の単一故障によるバックアップ動作不良を回避し、バッテリの長寿命化を実現する。
【解決手段】 例えばディスクアレイ装置のメモリバックアップ回路に、外部電力を入力し回路に必要な直流電圧を出力する直流電源回路と、前記外部電力の入力状態を監視する第１の停電検出回路と、前記直流電源回路の出力電圧を監視する第２の停電検出回路と、前記外部電力の消失時に揮発性メモリへ電力を供給するバックアップ電源と、前記第１または第２の停電検出手段から停電検出信号を受けた場合に前記揮発性メモリのバックアップ制御を実施するメモリ制御手段と、前記第２の停電検出手段のみが電圧低下を検出した場合に前記バックアップ電源の電力を所定期間前記メモリ制御手段へ供給するスイッチ手段とを設ける。 （もっと読む）