【課題】ストレージ装置（高分子強誘電性メモリ装置）のメモリのセルが現在の状態に刻印(imprinted)または膠着されるのを防止するためのリフレッシュ・サイクルを発行するシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】ホスト制御インターフェイス（ＨＣＩ）は、大容量ストレージに周期的なメモリ・リフレッシュ・サイクルを提供し、セルの状態が固定化されるのを防止する。時間に基づいたリフレッシュは、キャッシュ・ストレージ装置２０，２２，・・・，２４，２６中の高分子メモリ装置が現在の状態に「刻印される(imprinted)」または膠着されるのを防止する。ＨＣＩ１８は、電源投入時にすべてのアドレスを経由する最初のループを提供し、規則的な時間間隔で通常のアクセス時間の読み出しが後続し、電源オン中にセルが刻印されないことを保証する。 （もっと読む）

【課題】ＣＰＵ電源のオン／オフが頻繁に行われる場合に於いても、データの退避と復帰とに要するサイクルを少なし、動作時の処理能力の低下を少なくする。
【解決手段】スタックポインタＳＰで指定されるアドレスとそれに連続したアドレスに格納されたデータがＭＲＡＭより成るＲＡＭ２から読み出されて、プログラムカウンタＰＣで指定されたアドレスに格納された命令コードがＲＯＭ３より読み出されてデコード化される。命令コードに制御されたＡＬＵ−Ｍは、ＲＡＭ２から読み出されたデータの演算を行い、その演算結果ＷＤを、ＲＡＭ２に於けるスタックポインタＳＰで指定される同一のアドレスに格納する。ＣＰＵ電源オフ時には、先立って、ＣＰＵ１は、スタックポインタＳＰ及びプログラムカウンタＰＣの値を、ＲＡＭ２に於ける予め定められたアドレスに格納して退避する。ＣＰＵ電源オン時にはＣＰＵ１は退避した値をＲＡＭ２から読み出す。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＤを複数搭載したボードの不具合に対する原因究明の時間短縮のため、プログラムの誤書き込みを検出すること。
【解決手段】コンフィグレーション制御部２０は、各デバイス３０に本来のプログラムを書き込む前に、ナンバリング用のプログラムを書き込み、通知データの受信順にデバイス３０に対して番号を付与する。番号付与後、各デバイス３０に本来のプログラムを書き込む。本来のプログラムには、予め固有の番号（以下、機能番号）が格納されており、デバイス３０にプログラムを書き込むことで当該機能番号を取得する。そして、コンフィグレーション制御部２０は、各デバイス３０から通知された機能番号と、先にデバイス３０に対して付与した付与番号とを比較し、その整合性を判断する。両者の整合性がとれていなければ、プログラム保持部４０へプログラムを書き込む際に、順序を誤って書き込んだものと判断することができる。 （もっと読む）

【課題】マルチ−ビットデータを各々格納するメモリセルを有するメモリシステムの読み出し方法を提供する。
【解決手段】選択されたメモリセルの隣接したメモリセルから各々読み出されたデータに基づいて、選択されたメモリセルから読み出されたデータの状態が隣接したメモリセルがプログラムされる時に異なる状態に変化されているか否かを判別し、判別結果に応じて選択されたメモリセルから読み出されたデータを補正する。 （もっと読む）

【課題】 電源停止処理時における退避するデータ数を削減し、速やかに電源停止処理を行える情報処理装置を提供する。
【解決手段】 情報処理装置１は、所定の処理を実行するデバイス１２と、退避すべきデータを記憶する退避メモリ１８と、退避すべきレジスタ１４のアドレスを記憶するバス監視用テーブル２２と、処理部に接続されたバスを流れるデータを監視し、データの送信先あるいは送信元がバス監視用テーブル２２で示されたアドレスである場合、当該データを退避メモリ１８に書き込むバス監視部２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、プロセッサからのデータを記憶する記憶装置を診断し、プロセッサからのデータを確実に記憶装置に記憶する書き込み保護装置を提供することである。
【解決手段】本発明では、試験データを第１のレジスタに記憶し、プロセッサが第１のレジスタから読み出した試験データを第２のレジスタに書き込み、データ判定手段が第１のレジスタの試験データと第２のレジスタのデータとを比較して一致した時に、プロセッサのデータが第３のレジスタへ書き込み許可される書き込み保護装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】複数の誤り訂正符号化データセットを生成、格納、および読み出す装置および方法を提供する。
【解決手段】情報を受信して、その情報を使って複数の誤り訂正符号化データセットを生成、格納、および読み出す装置および方法を開示する。出願人の記憶コントローラは情報を受信して、（Ｎ）が２以上である（Ｎ）セットの誤り訂正符号化データを生成する。方法は、（ｉ）が１以上かつ（Ｎ）以下である（ｉ）の各値について、（ｉ）番目の誤り訂正符号化データのセットを（ｉ）番目のデータ記憶媒体に書き込む。出願人の記憶コントローラが情報を読み出す要求を受信すると、出願人の方法は（Ｎ）個の誤り訂正符号化データセットの各々を読み出して、その（Ｎ）個の誤り訂正符号化データセットを使って情報を生成し、その情報を要求者に返す。 （もっと読む）

固体メモリシステムは、第１書き込みサイクル寿命を有する第１不揮発性半導体（ＮＶＳ）メモリと、第１書き込みサイクル寿命と異なる第２書き込みサイクル寿命を有する第２不揮発性半導体（ＮＶＳ）メモリと、ウェアレベリングモジュールと、を備える。ウェアレベリングモジュールは、第１および第２書き込みサイクル寿命に基づいて第１および第２ＮＶＳメモリに対する第１および第２消耗レベルを生成し、第１および第２消耗レベルに基づいて、第１および第２ＮＶＳメモリのいずれかの物理アドレスに論理アドレスをマッピングする。 （もっと読む）

【課題】強誘電体メモリはアクセス速度が速く、書き換え回数が多い反面、耐ストレス特性（耐熱ストレス特性や耐応力ストレス特性）は劣る。ヒューズメモリは耐ストレス特性が高くデータ保持能力は優れている反面、１回しか書き換えができない。不揮発性メモリを搭載する半導体装置、ＩＣカードにおいて、不揮発性メモリに要求される基本性能を低下させることなく、初期データを確実に保持させることができるようにする。
【解決手段】第１の不揮発性メモリ１と、第１の不揮発性メモリ１よりも耐ストレス特性が高く初期データを格納している第２の不揮発性メモリ２と、第２の不揮発性メモリ２から初期データを読み出し、読み出された初期データを第１の不揮発性メモリ１にコピーして初期化する初期化制御部３とを備える。 （もっと読む）

【課題】メモリ素子の情報を正常に読み出すことができる記憶媒体再生装置を提供すること。
【解決手段】電荷を保持可能な記憶素子であって、最小または最大の値を固定値とした３つの閾値に対する電荷量の大小で定まる４つの範囲に対し、隣接する符号間のハミング距離が１となるように関連付けられた２ビットの符号を表すための記憶素子を、複数備える記憶部１１０と、各記憶素子に対応する前記３つの閾値を用いて、各記憶素子が保持する電荷量により各２ビットの符号を読み出す比較部１０４と、読み出された各２ビットの符号の列に対し、１ビットごとに誤りが存在するか否かを検出する誤り検出部１０６と、あるビットに誤りが検出された場合に、誤りが検出されたビットに対応する閾値であって固定値以外の閾値を、正しいビットになるように変更する閾値生成部１０７と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】ＣＡＭ内のエントリデータの信頼性を向上させる。
【解決手段】本発明によれば、特定の処理対象データに対して、重複せず且つマスクされない２以上の所定数のフラグパターンを１フラグパターンずつ組み合わせ、同一の特定の処理対象データに対して異なるフラグパターンが組み合わされた所定数のビットパターンを生成する生成手段と、各々異なる１の上記ビットパターンを含む所定数のコマンドを連想メモリに出力するコマンド出力手段とを有する。このようにすれば、例えば登録時には同一の特定の処理対象データが互いに異なるビットパターンとして連想メモリ内の複数領域に登録され、また検索時には複数箇所に登録された同一の特定の処理対象データをそれぞれ異なるビットパターンとして検索することができるため、ＣＡＭ内のエントリデータの信頼性が向上しており、さらに検索箇所が増えることで検索結果の信頼性も向上している。 （もっと読む）

【課題】強誘電体メモリを備えたデータキャリアシステムについて、特に高温環境下でのデータ保持特性の劣化、データ消失、及びインプリント劣化の問題を解決する。
【解決手段】データキャリアシステムは、強誘電体メモリである第１のメモリ（１０１）と、第２のメモリ（２０２）と、与えられた命令に従って第１のメモリの分極消去を行う分極消去回路（１０２）と、第１及び第２のメモリに対するデータアクセス及び分極消去回路の動作制御を行う制御回路（１０３）とを備えている。ここで、制御回路（１０３）は、第１の命令を受けたとき、第１のメモリに格納されたデータを第２のメモリに退避させてから分極消去回路に分極消去命令を出す一方、第２の命令を受けたとき、第２のメモリに退避させたデータを第１のメモリに書き戻す。 （もっと読む）

【課題】 データ処理中に電源が消失してもデータの消失を確実に防止することが可能な制御装置を提供する。
【解決手段】 制御装置１００を制御するＣＰＵ１０と、制御装置１００において使用するデータを一時的に記憶しておくＤＲＡＭ１４と、ＤＲＡＭ１４の一部のデータを保持しておくＦｅＲＡＭ１６と、ＤＲＡＭ１４の所定のアドレス空間にデータの書き込みが行われるか否かを検出するアドレス検出部１８と、を備え、アドレス検出部１８においてＤＲＡＭ１４の所定のアドレス空間にデータの書き込みが行われることを検出した場合に、ＤＲＡＭ１４に書き込まれるデータと同一のデータをＦｅＲＡＭ１６にも書き込む。 （もっと読む）

【課題】 ＦｅＲＡＭの寿命を延ばすことが可能な半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】 ＲＡＭ１２はＦｅＲＡＭ１１と同じアドレスにＦｅＲＡＭ１１と同じデータを記憶し、ＦＦ（フリップフロップ）部１３はＲＡＭ１２の各アドレスのデータの有効性を記憶し、データアクセス制御部１４は、データ読み出し時、ＦＦ部１３を参照して、指定されたアドレスのデータが有効の場合にはＦｅＲＡＭ１１の代わりにＲＡＭ１２からデータを読み出させる。 （もっと読む）

【課題】リード／ライトの高速化が図れるメモリシステムを提供する。
【解決手段】メモリシステムは、強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリ１４と、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型ＥＥＰＲＯＭメモリ１３−１，…，１３−ｎと、上記強誘電体メモリとフラッシュ型ＥＥＰＲＯＭメモリを制御するコントロール回路１５と、外部との通信を行うインターフェース回路とを有する。フラッシュ型ＥＥＰＲＯＭメモリにはデータを記憶し、強誘電体メモリにはデータを記憶するためのルート情報、ディレクトリ情報、データのファイル名称、データのファイルサイズ、データの記憶箇所を記憶するファイルアロケーションテーブル情報、及びデータの書き込み終了時間の少なくとも一つを記憶する。 （もっと読む）

【課題】強誘電体メモリ等の不揮発性ＲＡＭの性能が、温度等の動作環境によって変化しても、安定して動作させるようにする。特に低温時に書き込まれたデータのリテンション特性の劣化を補償する。
【解決手段】温度検知部１１０が検知した温度などの動作環境値に応じてリフレッシュ部１１１が不揮発性の補助記憶メモリ１０９のリフレッシュ処理を行う。具体的にはリフレッシュ部１１１は、周囲温度が低温から常温に変化した際に、不揮発性の補助記憶メモリ１０９への再書き込みを行うことにより、不揮発性の補助記憶メモリ１０９に低温時に書き込まれた情報ビットの電位（低下している電位）を高電位に引き上げる。あるいは、常温に戻ることなく低温のままであっても、周期的にリフレッシュを行うことにより、低下した電位が異常電位（情報識別不能）まで低下することを防止する。 （もっと読む）

本発明は識別された故障メモリセルを修正または修復するセット連想リペアキャッシュシステムを利用してメモリデバイスのスケーリングおよびその動作を容易にする。リペアキャッシュ領域ルータ（６０２）がメモリアドレスのリペア領域部をリペアキャッシュ領域と比較して整合リペアキャッシュ領域を識別する。次に、ローカルリペア個所ルータ（６０３）がメモリアドレスのリペアアドレス部を整合リペアキャッシュ領域に特有のローカルリペア個所アドレスと比較して整合ローカルリペアアドレスを識別する。整合ローカルリペアアドレスが識別されると、リペアコンポーネント（６０６）は整合ローカルリペアアドレスおよび整合するリペアキャッシュ領域に従ってリペア個所へのアクセスを提供する。また、メインメモリ（６０４）がメモリアドレスに従って記憶場所へのアクセスを提供する。他のシステムおよび方法も開示される。
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【課題】
ＰＭＣメモリ素子の耐久性を高める。
【解決手段】
プログラム可能な抵抗メモリ素子１１０のグループ４１２と、前記グループの選択されたメモリ素子にプログラミング電力を供給し、前記選択されたメモリ素子の実測パラメータが前記選択されたメモリ素子が既にプログラミングされていることを示すときに、前記プログラミング電力を断つことにより前記選択されたメモリ素子のプログラミング中において上書きを保護する回路４１８とを備えるデータ記憶装置４１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】 不揮発性メモリを備える情報処理装置において、電力制御のためのメモリ管理を適切に行うこと。
【解決手段】 情報処理装置１は、不揮発性メモリ４０の記憶領域に確保されるメモリブロックそれぞれに固有のメモリブロック名を付し、そのメモリブロック名によってメモリブロックを識別するメモリ管理テーブルを用いて、不揮発性メモリ４０のメモリ管理を行う。そして、電源の再投入時には、アプリケーションがメモリブロック名を指定することにより、不揮発性メモリ４０においてメモリブロック名が検索され、そのメモリブロック名に対応するメモリブロックのデータにアクセスされる。したがって、不揮発性メモリを備える情報処理装置において、電力制御のためのメモリ管理を適切に行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】通常の動作中に負荷の状況に依存することなく故障を診断することができる。
【解決手段】データを入力し、入力されたデータを順次シフトしながら記憶する複数のレジスタ１１０〜１１７と、複数のレジスタ１１０〜１１７に記憶されたデータから所定の優先度に基づいて選択したデータを取り出し、取り出されたデータを出力すると共に、誤りを検出するバッファ装置１０であって、装置診断データ書込部１１０ａ〜１１７ａは、出力データ選択部１３０によって取り出されたデータのレジスタにレジスタの故障を診断するデータである診断データを書き込み、診断データ誤り検出部１５０は、データ出力部１２０から出力される診断データの誤りを検出する。 （もっと読む）