【課題】データの記録方式などが用途に応じて最適になるようにする。
【解決手段】記録媒体に記録されるデータの特性であって、当該データの保持期間を表す寿命値および当該データを読み出したときに発生すると想定されるエラーの割合を表すエラーレートを含む特性に基づいて、前記記録媒体により構成される論理デバイスの記録領域を複数生成するとともに、前記記録領域のそれぞれに適用される記録方式を決定する記録方式決定部と、前記決定された記録方式に基づいて、前記論理デバイスの記録領域のそれぞれを初期化する論理デバイス初期化部とを備える。 （もっと読む）

【課題】Ｈ／Ｗの無駄が生じることがなく、高速に処理可能なメモリ制御装置を実現する。
【解決手段】メモリ制御装置１０００は、ペイロードをペイロード領域に格納し、パリティデータをパリティ領域に格納する実メモリ００４を制御する。ペイロード／パリティ領域アドレス計算部００１は、ペイロードとパリティデータのビット数の比をペイロード／パリティ比１０４として入力し、実メモリ００４の領域をペイロード／パリティ比に近似させてペイロード領域とパリティ領域とに分類した結果ペイロード領域に分類される領域の数を分割比１０３として入力し、実メモリ００４のメモリアドレス長１０２を入力し、ペイロードのメモリアドレス１０１を入力し、これらを用いて、当該ペイロードに対応するパリティデータのパリティ領域でのメモリアドレスを算出する。 （もっと読む）

【課題】データ管理および運用を複雑化させることなく、経時的にエラー発生率の変化する半導体メモリの信頼性を向上させることを課題とする。
【解決手段】ＥＣＣ回路３４は、メモリ４に格納されたデータに対して訂正能力の異なる複数のエラー訂正モードで動作可能である。ＥＣＣ回路３４は、制御部３０において設定されたエラー訂正モードに従い、情報データ５５に対するシンドロームを算出し、算出されたシンドロームにダミービットを付加した固定長のシンドローム５３を情報データ５５に付加する。ＥＣＣ回路３４は、符号データ５０が読み出されたとき、符号データ５０に含まれるシンドローム５３を利用して符号データ５０の訂正処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】印刷データのリード速度が低下することを抑制すると共に、リードエラーを回復可能な半導体不揮発性記憶素子を搭載した印刷装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】装置全般の制御を司る制御部２１０は、高い処理スピードが要求される処理動作を実行することを検知する。制御部２１０は、データを記憶すると共にデータのリード時にリフレッシュする機能を持つ記憶部制御部２２１を備えた記憶部２２０からデータをリードする時にリフレッシュ動作を停止させるためのリフレッシュ停止手段を備える。制御部２１０は、高い処理スピードが要求される処理動作の際にリフレッシュ動作を停止させた場合に、高い処理スピードが要求される処理動作の終了後にリフレッシュ動作を許可するためのリフレッシュ許可手段を備える。 （もっと読む）

【課題】メモリを省電力状態にすることによる省電力効果を最大限に得る。
【解決手段】メモリを備えた計算機であって、メモリを、当該メモリに対するアクセスが可能な通常状態と、当該メモリにおける消費電力が通常状態よりも低減され、当該メモリに対するアクセスが不可能な省電力状態とのいずれかの状態にするメモリ電源制御部と、メモリに対するメモリアクセスエラーを検出する検出部とを有し、メモリ電源制御部は、メモリが省電力状態である場合に、当該メモリに対するメモリアクセスエラーが検出部にて検出されると、当該メモリを通常状態に変更する。 （もっと読む）

【課題】誤り制御符号化（ＥＣＣ）の符号化率の動的調節方法、装置、およびシステムを提供する。
【解決手段】ビット誤り率モニタ１０６は、ＥＣＣエンジン１０４から受信した訂正不能コードワード信号に少なくとも部分的に基づいて、ビット誤り率を動的に決定する。ビット誤り率に基づいて、符号化率変更トリガがＥＣＣエンジン１０４へ送られ、所定の所望の範囲内に出力誤り率を維持するには符号化率を増減させる。ビット誤り率の変更に呼応して、誤り制御符号化の符号化率（ＥＣＣ符号化率）を、第１の符号化率から第２の符号化率へ変更する段階を備える。 （もっと読む）

【課題】 各種のデータ転送が可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】 メモリセルアレイ10は、複数の不揮発性メモリセルが配置されている。ＲＡＭ（Random Access Memory）30は、メモリセルアレイ10に書き込まれるデータ、又は読み出されたデータを保持する。制御部4は、ＲＡＭを用いた第１の動作モードと、ＲＡＭを用いない第２の動作モードを制御する。データ転送部17は、第２の動作モードにおいて、データの書き込み時、データバスDIRを介して入出力部40から供給されたデータをバッファ部12に転送し、バッファ部12に転送されたデータをエラー訂正部20に転送し、エラー訂正部20において、生成されたパリティデータをバッファ部12に転送する。 （もっと読む）

【課題】メモリモジュールの故障に対して早急な処置を行うことを可能とし、情報処理システムの信頼性を向上させることを可能にするメモリコントローラ及び情報処理システムを提供する。
【解決手段】メモリコントローラ及び情報処理システムにおいて、メモリモジュールから読出されたデータのエラー検出を行うエラー検出部と、メモリコントローラを通常モードから故障検査モードに切り替え、複数の単位メモリ領域におけるそれぞれの検査対象のデータ記録済アドレスからデータを読出し、該読出しデータのエラーを前記エラー検出部により検出させて、故障検査を実行させる故障検査制御部と、故障検査制御部による検査結果における各単位メモリ領域のエラー検出状況に基づいて、メモリモジュール内部の故障に起因するメモリ故障と、メモリモジュール外部のデータ伝送路の故障に起因する伝送路故障を判定する判定部を備える。 （もっと読む）

【課題】エラー訂正に所要される性能損失は最少化しながら、エラー訂正の効率は増進させ得るフラッシュメモリ装置及びそれの読み出すための方法が提供される。
【解決手段】本発明のフラッシュメモリの読み出す方法は、ソフト判定読出しコマンドとアドレスとに応答して対応されるフラッシュメモリセルから複数の読出し動作を遂行する段階と、前記複数の読出し結果からハード判定データと、１つ又はその以上の信頼性データビットを決定する段階と、連続的に発生した複数のソフト判定出力コマンドに応答して、前記ハード判定データと、前記信頼性データの各ビットを最上位ビットから最下位ビット順に順次的に出力する段階と、を含み、前記順次的に出力された前記ハード判定データと前記信頼性データの各ビットとはエラー訂正回路に提供されて前記ハード判定データを適用したエラー訂正動作と、前記信頼性データの各ビットを利用する複数のエラー訂正動作に段階的に適用され、前記ソフト判定出力コマンドは前記複数のエラー訂正動作結果にしたがって選択的に発生し得る。 （もっと読む）

【課題】書き込み不要なデータを非書き込みとし、書き込み処理時間を短縮することができる記憶装置、ホスト装置、回路基板、液体容器及びシステム等を提供すること。
【解決手段】記憶装置１００は、ホスト装置４００との通信処理を行う制御部１１０と、ホスト装置４００からのデータが書き込まれる記憶部１２０と、記憶部１２０のアクセス制御を行う記憶制御部１３０とを含む。制御部１１０は、ホスト装置４００からコマンドパケット及びデータパケットを受信し、データパケットの書き込みイネーブルビットが書き込み許可状態に設定されている場合には、アドレス情報の更新指示を行うと共に、データパケットのデータの書き込み指示を行い、書き込みイネーブルビットが書き込み非許可状態に設定されている場合には、アドレス情報の更新指示を行う一方で、データパケットのデータの書き込み指示を行わない。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減出来る半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置１は、データを保持可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２２と、データについての誤りを検出・訂正する誤り訂正部３８と、データ毎に、使用される誤り訂正方式についての情報を有するテーブル３５、３６とを具備する。誤り訂正部は、前記テーブル内の前記情報に従って、適用する誤り訂正方式を前記データ毎に選択する。 （もっと読む）

【課題】記憶部用のソフトウェアが破損されて、データの読み書きが不可能となることを防止する。
【解決手段】記憶装置は、データを不揮発的に記憶可能なフラッシュメモリ３０と、フラッシュメモリ３０へのデータの読み書きを制御するためのメインコントローラ１０と、通常用ファームウェアＦＷ１と拡張用ファームウェアＦＷ２とを個別に格納するＳＰＩフラッシュ７１，７２と、メインコントローラ１０によりアクセスし得るＳＰＩフラッシュ７１，７２を切り替えるＳＷ回路８０とを備える。 （もっと読む）

【課題】エラー耐性を改善しつつ、高速リード転送と低消費電力の双方を満足する半導体記録装置を提供する。
【解決手段】半導体記録再生装置１０は、外部機器とユーザデータを送受信する外部インタフェイス部１と、ユーザデータに対するパリティデータを生成するとともに、パリティデータを用いてユーザデータのエラーを訂正する第１のＥＣＣ処理部３と、ユーザデータを複数に分割し、分割したユーザデータおよびパリティデータを、フラッシュメモリ６ａ〜６ｅに記録するとともに、パリティデータを除くユーザデータを読み出す第１の再生モードと、パリティデータを含むユーザデータを読み出す第２の再生モードを有し、何れかのモードでフラッシュメモリ６ａ〜６ｅからユーザデータを読み出して再生するＥＣＣ制御部２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】頻繁に書き換えを行うデータ領域と殆ど書き換えを行わないデータ領域とが混在するデータを格納している際にも最適なウェアー・レベリング制御が可能で、システムの書き換え回数の実効的な寿命を大幅に改善することが可能なメモリシステムを提供する。
【解決手段】制御部は、特定物理アドレスブロックに書き換えが集中しないウェアー・レベリング（Wear-leveling）制御を行う際、書き換えを行わない物理アドレスブロックは、そのまま放置しておくパッシブ・ウェアー・レベリング制御と、書き換えを行わない物理アドレスブロックも全ての物理アドレスブロックの書き換え回数が平均化されるように書き換えを行うアクティブ・ウェアー・レベリング制御とが可能であり、不揮発性メモリ部には、パッシブ・ウェアー・レベリング制御およびアクティブ・ウェアー・レベリング制御の方式選択、若しくは、両ウェアー・レベリングの条件設定値が格納されている。 （もっと読む）

【課題】書き込み動作の処理効率の向上を図ることができるデータ記憶装置を提供することにある。
【解決手段】実施形態によれば、データ記憶装置は、リードモジュールと、エラー検出モジュールと、コントローラとを具備する。リードモジュールは、データの書き込み動作時に、フラッシュメモリから書き換え領域及び書き戻し領域のデータを読み出す。エラー検出モジュールは、前記読み出されたデータのエラー検出を行なう。コントローラは、前記エラー検出モジュールにより前記書き換え領域のデータからエラーが検出されたときに、エラー訂正を実行せずに前記書き込み動作を継続させる。 （もっと読む）

【課題】画像形成装置に搭載されるメモリのチェックについて、メモリの信頼性を確保しつつチェック時間を短縮すること。
【解決手段】画像形成装置１の不揮発性メモリ１３には、ＲＡＭ１４をチェックする処理の強度を示すチェックモードが記憶され、ＲＡＭチェック処理部１６はチェックモードに従ってＲＡＭ１４をチェックする。ＲＡＭチェックモード設定部１５は、メモリエラーが検出されたときには、不揮発性メモリ１３内に現在記憶されているチェックモードよりも強度の高いチェックモードを、不揮発性メモリ１３に書き出し、メモリエラーが検出されないときには、不揮発性メモリ１３内に現在記憶されているチェックモードよりも強度の低いチェックモードを、不揮発性メモリ１３に書き出す。 （もっと読む）

【課題】半導体メモリカードに応じて、適切なアクセス性能を引き出すことが困難であるという課題がある。
【解決手段】メモリカード制御装置１００は、データを記録する際に、データに関するエラー訂正情報を生成し、データをエラー訂正情報とともに記録するエラー訂正情報生成手段１０８と、取得したデータに対してエラーが発生した場合に、エラー訂正に必要なエラー訂正情報を取得し、訂正するエラー訂正手段１０４と、メモリカード１１０中のフラッシュメモリ１１２等に関する情報とメモリカード１１０内で実施可能なエラー訂正に関する情報とを基に、エラー訂正情報生成手段１０８及びエラー訂正手段１０４を動作させるかを決定するステータス情報リード手段１０６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】代替ブロックを有する記録媒体へのデータ記録において、バッファメモリのオーバーフロー等の異常の発生を防止する。
【解決手段】ブロック単位でのデータの書き込みが可能なフラッシュメモリを有し、記録領域の一部を正常なデータの書き込みができない不良ブロックの代替ブロックとして用いてデータの書き込みを行う記録媒体に、データを記録するデータ記録装置は、第１の記録モードと、第１の記録モードよりも処理するデータ量が大きい第２の記録モードとを含む複数の記録モードの一つをユーザに選択させ、選択された記録モードでデータを取得し、記録媒体に記録する。データ記録装置は、記録媒体から取得された代替ブロックの残量が閾値以下であった場合に、第１の記録モードでの記録を許可するが、第２の記録モードでの記録を禁止する。 （もっと読む）

【課題】データ処理用半導体装置における不揮発性メモリの書き換え制御の信頼性を向上させる。
【解決手段】データ処理用半導体装置（１〜６）において、書き換え可能な不揮発性の記憶領域（１１、９１）のデータの読み出しとデータの書き込み及び消去とを制御する制御部（１２、３０、９０、１２０、１６０）は、入力した温度のデータを参照して前記記憶領域のデータの読み出し可能な温度範囲よりもデータの書き込み及び消去を行う温度範囲を狭く制御する動作モードを有する。 （もっと読む）

【課題】メモリカードにおけるメモリカードの誤り訂正処理に起因する問題を解決するメモリカード及びメモリカードに対する制御方法等を提供する。
【解決手段】メモリカードは、データ処理装置との間でコマンドやデータの送受信を行うホストインタフェース（２）と、データを格納する不揮発性メモリ（７）と、メモリカードの動作を制御するコントローラ（３）と、所定の管理情報を格納する記憶手段（３２）とを備える。管理情報は、不揮発性メモリからのデータの読み出し時に誤り訂正機能を実行するか否かを指定するための誤り訂正設定情報を含む。コントローラは、データ読み出し動作時に、誤り訂正設定情報を参照し、誤り訂正設定情報が誤り訂正機能の停止を示す場合は、読み出したデータに対して誤り訂正を行わないように、また、誤り訂正設定情報が誤り訂正機能の作動を示す場合は、読み出したデータに対して誤り訂正を行うように、読み出し動作を制御する。 （もっと読む）