【課題】 昇圧回路の出力電圧が高くなるにつれて発振周波数が低くなるという特性を維持しながら、さらに電源電圧、温度、製造ばらつきのいずれに対しても依存が少ない発振回路を提供する。
【解決手段】 発振回路を構成するリングオシレータにおいて、各インバータに接続される遅延回路として、抵抗回路を用いる。すなわち、インバータＮＯＴ１〜ＮＯＴ９の直列接続において、各インバータ同士の間に抵抗Ｒ１〜Ｒ９をそれぞれ直列に挿入する。 （もっと読む）

【課題】 サスペンド状態における消費電流の低減が可能なメモリを搭載する半導体装置を提供する。
【解決手段】 外部からロウアクティブコマンドＡＣＴ＿ＣＭＤが入力されると内部クロック制御回路２８は信号ｉｎｔ．ＣＫＥを活性化させ、この活性化に応じて外部クロック信号ｅｘｔ．ＣＬＫが内部のメモリアレイに対して信号ｉｎｔ．ＣＬＫとして供給される。したがって、きめ細かなクロック制御を行なうことによりメモリアレイにおける消費電流が低減されたシステムＬＳＩを実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 入力回路の簡素化と製品管理の取り扱いを簡便にしつつ、実質的な低消費電力化及び素子の微細化に適合して安定した入出力伝達特性を実現できる入力回路を備えた半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】 外部端子から供給される入力信号を受ける差動増幅回路に第１と第２の動作電圧を第１と第２のスイッチＭＯＳＦＥＴを介して供給するようにし、バイアス電圧発生回路により上記入力信号が上記第１と第２の動作電圧の中心電圧付近にあるときに上記第１と第２スイッチＭＯＳＦＥＴをオン状態にし、その入力信号が継続的に一定期間上記第１電圧又は第２電圧にあるときには、それに対応した出力信号を形成すべく上記第１又は第２スイッチＭＯＳＦＥＴのいずれか一方をオン状態に他方をオフ状態にする制御電圧を形成し、上記第１動作電圧と第２動作電圧に対応した第１振幅の入力信号と、上記第１動作電圧と第２動作電圧の間の所定の中間電圧に対応した第２振幅の入力信号の双方の供給を可能とする。 （もっと読む）