【課題】リワークセル上でのダミー配線に起因するショートエラーを抑制すること。
【解決手段】レイアウトパターン生成方法は、半導体チップ領域に配置されたリワークセルとフィルセルのうち、編集に使用されるリワークセルを特定し、該特定リワークセルの配線層に所定形状の特定パターンを生成するステップと、前記リワークセルのうち前記特定リワークセル以外の非特定リワークセルと前記フィルセルの少なくとも一部の前記配線層にダミー配線パターンを配置するステップと、前記特定リワークセルの前記配線層から前記特定パターンを削除するステップと、前記特定リワークセルを論理セルとして配線して、前記特定リワークセルの前記配線層に配線パターンを配置するステップとを具備している。 （もっと読む）

【課題】 パターン作成方法に関し、ＯＰＣモデルの残渣成分を補正するために用いるルールベースＯＰＣ後に発生する段差形状に起因するエッチング後形状と設計図パターンとの乖離を低減する。
【解決手段】 被露光基板上に電子デバイスの設計データに基づいてパターンを形成する工程において、入力した設計データに対し、ルールベースの近接効果補正を行う際に、パターンの辺を単位に補正量を算出して移動した後、モデルベースの近接効果補正を行って露光データを作成する。 （もっと読む）

【課題】パターン設計時に行う計算のタイミング収束を短時間で行うこと。
【解決手段】本発明は、回路設計データから生成された物理レイアウトデータを用いて転写シミュレーション計算および段差シミュレーション計算を行い、当該転写シミュレーション計算および段差シミュレーション計算の結果と予め設定した基準との比較を行う工程と（ステップＳ１０５〜Ｓ１０６）、前記比較の結果、前記基準を満たしている場合には物理レイアウトから得られるパラメータを用いて電気的特性の計算を行い、前記基準を満たしていない場合には前記転写シミュレーション計算の結果を前記パラメータに反映させて電気的特性の計算を行いパラメータの抽出を行う工程と（ステップＳ１１０、Ｓ１１１、Ｓ１０２〜Ｓ１０４）を備えることを特徴とするパターン設計方法。 （もっと読む）

【課題】設計データに基づいて領域分けを行ってＯＰＣ処理を行った場合に、領域ごとに処理が行われてしまう。ＯＰＣ精度が必要な領域と必要ではない領域が隣接していた場合には、精度の低い領域の影響が及んで、精度が必要な領域で所望の形状が得られない場合があった。
【解決手段】ＯＰＣ精度が必要な領域と必要ではない領域の境界部分で精度が必要な領域を精度の高い領域に適した領域分拡張し、精度が必要ではない領域は精度の高い領域に適した領域分縮小する領域調整を行って、調整された領域データに基づいてＯＰＣ対象パターンの計算精度を決めてＯＰＣ付加計算を行ってマスクデータを生成する。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程における、過度のエッチングを防止するため、エッチングレジストパターン形成用のフォトマスクパターンの補正方法を提供すること。特に、ラインとランド間に相当する直線と円弧パターン間の補正方法を提供すること。
【解決手段】ＣＡＤで設計された輪郭のパターンデータを入力データとして、これを指定の微小線分に分割し、対向する最小スペースに応じた補正値でパターンを太らせた後、直線と円弧の部分に関してのみ、さらに補正を加える。ＣＡＤで設計されたパターンデータの中で直線と円弧が対向する部分でかつスペースが指定された寸法以下のデータのみをピックアップし、この部分の補正データ１に関して、さらに配線のみを太らせる補正を行いフォトマスクの作製用のデータとすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は多様化する住宅デザイン等にマッチしたＡＬＣパネル（意匠パネル）を顧客の要望に応じて容易・迅速に設計および生産できるようにする。
【解決手段】予め加工機の制御用コンピュータＣ１に記憶させた複数種類の表面テクスチャー加工プログラム１５ａ〜１５ｃを選択的に適用することによって所望の表面テクスチャーを有する意匠パネル１を自動生産する加工機と、その加工機で形成される複数種類の表面テクスチャーを画像データとして記憶部に記憶し、かつ、その記憶した画像データを選択的に組み合わせて所望の意匠パネルを表示部の表示画面上でシミュレーション設計する設計用コンピュータＣ２とを備え、上記設計用コンピュータＣ２で設計した意匠パネルに基づいて、その意匠パネルを生産するのに必要な加工情報を上記加工機制御用コンピュータＣ１に送信して上記加工機で上記意匠パネルを自動的に生産する。 （もっと読む）

【課題】 増大するＯＰＣ処理時間の短縮を実現し、半導体デバイスの製造ＴＡＴを短くし、コストを削減するマスクパターン設計方法を提供することである。
【解決手段】 半導体回路パターンの基本構成をなすセルライブラリパターンに予めＯＰＣ処理を行い、ＯＰＣ処理されたセルライブラリパターンを用いて半導体チップを作成する。マスクパターン設計方法は、マスクパターンを露光してパターンを形成する際に生じる形状変化を補正する近接効果補正の処理を、セルライブラリごとに施すセルライブラリのパターン設計工程と、複数の前記セルライブラリを配置してマスクパターンを設計する工程と、前記セルライブラリに施した近接効果補正の補正量を、周囲に配置したセルライブラリのパターンの影響を考慮して変化させる工程とを含む。この補正処理を予め採取した周囲のパターンによる影響度と遺伝的アルゴリズムによって行う。 （もっと読む）

光近接効果補正処理検証方法は、設計データから第１の条件で第１のマスクパターンデータを生成し、第１のマスクパターンデータを光近接効果補正処理して第１の補正パターンデータを生成し、設計データから第２の条件で第２のマスクパターンデータを生成し、第２のマスクパターンデータを光近接効果補正処理して第２の補正パターンデータを生成し、第１の補正パターンデータと第２の補正パターンデータとを比較して両データが一致するか否かを判断する各段階を含む。 （もっと読む）