【課題】複数のアプリケーションの実行中において、新たなアプリケーションをユーザの手を煩わせずに好適に実行させることが可能な電子機器を提供する。
【解決手段】実行部２は、実行中或いは中断中のアプリケーションがある際に、新たなアプリケーションの実行を要求され、判定部６１が、揮発性メモリ１２に新たなアプリケーションの実行に必要なメモリ容量が残っていないと判定した場合に、不揮発性メモリ１１内の終了禁止アプリケーション情報を参照し、終了禁止アプリケーション以外の実行中或いは中断中のアプリケーションを終了させる。 （もっと読む）

【課題】プログラマブルコントローラとプログラミングツールとが接続されたプログラマブルコントローラシステムで、変数を追加する際に断片化されたメモリ領域を整理し、連続領域を確保できるプログラマブルコントローラシステムを得ること。
【解決手段】プログラミングツール１０は、変数に割当てられているプログラマブルコントローラのデータメモリ２４内の使用領域が連続した領域となるように、変数のデータメモリ２４内での割当先を変更する割付変更情報を生成し、変数の割当先の変更に伴うプログラムの実行コードの変更箇所を変更情報として取得し、プログラマブルコントローラに送信する。プログラマブルコントローラは、プログラミングツール１０からの変更情報に基づいて、プログラムメモリ２２中のプログラムの実行コードを書換えると同時に、データメモリ２４中の割当先の変更前のアドレスに記憶されていたデータを割付変更情報に基づいて移動する。 （もっと読む）

【課題】書き込み禁止時間を短くするとともに、フラッシュメモリへデータを書き込む回数を少なくする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１００は、複数のセクタ２００の各々が、データの書き込みの対象となる使用中状態であるか、データが書き込まれた後の使用済み状態であるか、データ消去済みの未使用状態であるかを管理するセクタ管理部１２３と、複数項目の各々に対して、当該項目の最新のデータが前記使用済み状態のセクタに格納されている有効状態であるか、当該項目の最新のデータが前記使用中状態のセクタに格納されている無効状態であるかを管理するデータ管理部１２６と、使用中状態のセクタ２００Ｂの空き容量が設定値２３０以下になった場合に、使用済み状態のセクタ２００Ａに格納されている、有効状態の項目の最新のデータを、使用中状態のセクタ２００Ｂへ転送する転送部１２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】読み出し動作を高速化し、かつ書き込みに利用可能なフリーブロックを増加させる。
【解決手段】メモリシステム１は、不揮発性記憶装置３と情報処理装置２とを有する。情報処理装置２は、不揮発性記憶装置３の第１の論理アドレス領域からデータを読み出し、第１の論理アドレス領域に対応する読み出しデータが関数で表されるデータと同じである場合に、不揮発性記憶装置３に、第１の論理アドレス領域のデータを無効にするための削除通知を行う第１の制御回路を含む。不揮発性記憶装置３は、有効なデータに対応する論理アドレスと物理アドレスとを関連付ける管理テーブルと、削除通知により指定された論理アドレスを無効にするように管理テーブルを書き換え、情報処理装置２から受信した読み出し命令に含まれる論理アドレスが無効である場合に、関数で表されるデータを情報処理装置２に送信する第２の制御回路とを含む。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリの長寿命化を図りつつ不揮発性メモリを管理することが可能な管理装置、および管理方法を提供する。
【解決手段】電気的にデータの書き込み、読み出し、消去が可能であり、書き込みおよび読み出しはページ単位で行われ、消去は複数のページを含むブロック単位で行われる不揮発性メモリを管理する管理部を備え、管理部は、不揮発性メモリを構成する複数の物理ブロックを、仮想ブロックを有する仮想領域と、仮想領域の不良が発生している物理ブロックを代替する代替ブロックを有する代替領域とに分け、物理ブロックの管理、仮想ブロックの管理、およびユーザデータを一時的に保持する拡張ブロックの管理の３段階の管理単位で不揮発性メモリを管理し、物理ブロックの管理に用いる第１管理情報と、仮想ブロックの管理に用いる第２管理情報と、拡張ブロックの管理に用いる第３管理情報とを、不揮発性メモリに書き込む、管理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】大容量のデータをリアルタイムに記録でき、且つ、断片化による無駄な空き容量の増加を防ぐことができるようにする。
【解決手段】入力されたデータを記憶するメモリに記憶されたデータを記録する記録媒体の記録領域を複数の管理単位に分割する領域分割手段と、前記領域分割手段により分割された管理単位に対して、前記メモリからデータを読み出して記録する記録手段と、前記複数の管理単位におけるそれぞれの空き領域のサイズを検出し、前記検出した各管理単位の空き領域に基づいて、前記記録手段が前記データを記録する管理単位を指定する管理手段とを設け、次の記録開始指示が行われているか否かに応じて、前記空き領域のサイズが所定量以上の管理単位、または前記空き領域のサイズが所定量よりも小さい管理単位の何れか一方を指定する。 （もっと読む）

【課題】キャッシュ機能を用いないで、不揮発性半導体記憶装置における小容量書込みの高速化を図る。
【解決手段】本発明の代表的な実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置（１）は、ホストシステム（２）に接続可能とされ、不揮発性記憶部（１１）と、その動作制御を行うコントローラ（１２）とを含む。上記コントローラは、論理アドレスと物理アドレスとの対応関係を、上記ホストシステム側のアクセス単位と、上記不揮発性記憶部側のアクセス単位とに分けて管理し、上記ホストシステムからの書込み指示に係るデータのサイズに応じて、上記ホストシステム側のアクセス単位での管理と、上記不揮発性記憶部側のアクセス単位での管理とを判定し、上記不揮発性記憶部における対応領域にデータを書込むことで、バッファメモリへのデータ退避を不要とする。 （もっと読む）

【課題】書き込み時の論理アドレスによらず書き込み速度を低下させずデータを書き込むことが可能で低消費電力化が可能なメモリ装置およびメモリシステムを提供する。
【解決手段】メモリコントローラ２００は、論物変換テーブル２０４を持ち、消去済みの物理ブロックアドレスとその不揮発性メモリ、不揮発性メモリ毎の消去済みの物理ブロック数を管理する消去済み物理ブロック管理部２０６と、消去可能物理ブロックアドレスとその不揮発性メモリ、不揮発性メモリ毎の消去可能の物理ブロック数を管理する消去可能物理ブロック管理部２０５と、メモリ制御部２０７と、を含み、メモリ制御部は、消去済み物理ブロック管理部で管理される一の不揮発性メモリの第１の物理ブロックにデータの書き込みを行い、書き込みと並行して消去可能物理ブロック管理部で管理される他の不揮発性メモリの第２の物理ブロックの消去を行う。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリにおける空き領域の確保の効率化を図ることが可能な管理装置、管理方法、およびプログラムを提供する。
【解決手段】不揮発性メモリにおけるデータの書き込み、読み出し、消去を、ブロックのサイズの整数分の１かつページのサイズの整数倍のトランスレーションユニット（ＴＵ）単位で論理アドレス−物理アドレス変換を行うことによって管理し、未書き込みの物理ＴＵを増やすフォールド処理を行う管理部を備え、管理部は、フォールド処理を開始した場合には、書き込み済みの有効な物理ＴＵのデータを、未書き込みの物理ＴＵがあるブロックのうちの、先頭の物理ＴＵが未書き込みであるブロックへとコピーし、フォールド処理によって増えた未書き込みの物理ＴＵのサイズがブロックのサイズ以上となるまで、フォールド処理を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】転送効率を可及的に向上させること。
【解決手段】メモリシステムは、ストレージ領域を備える不揮発性メモリと、書き込みデータをストレージ領域に格納する転送処理部と、不要な書き込みデータを指定した削除通知を蓄積記憶する削除通知バッファと、削除通知にかかる書き込みデータを無効化する削除通知処理部とを備えている。削除通知処理部は、削除通知バッファから複数の削除通知を一括して読み出してストレージ領域よりも小さい単位領域毎に分類し、同一の単位領域に分類された削除通知にかかる書き込みデータを一括して無効化する処理を単位領域毎に実行する。削除通知処理部は、１つの単位領域にかかる処理を実行する際、無効化対象の書き込みデータを除く書き込みデータを別の単位領域に複製した後、前記１つの単位領域が記憶している全ての書き込みデータを無効化する。 （もっと読む）

【課題】書き込み効率の向上を図る。
【解決手段】第１記憶部と第２記憶部と制御部とを具備する記憶装置であって、第１記憶部は複数のページを含む複数のブロックを有し、第２記憶部は第１記憶部における書き込み可能なブロックの情報を保持するフリーブロックリストと第１記憶部における書き込み可能なページの情報を保持するフリーページリストとを有し、制御部は第１記憶部にホストからのデータを転送する際、ブロック単位のデータを圧縮して圧縮ブロックデータを生成し、圧縮ブロックデータをフリーブロックリストに情報が保持されたブロックに書き込み、圧縮ブロックデータが書き込まれたブロック内において圧縮ブロックデータが書き込まれていないフリー領域に存在するページの情報をフリーページリストに保持し、ページ単位のデータをフリーページリストに情報が保持されたページに書き込む。 （もっと読む）

【課題】ＳＬＣフラッシュメモリとＭＬＣフラッシュメモリとのそれぞれのメリットを状況に応じて得る。
【解決手段】実施の形態によるメモリシステム１は、ＭＬＣフラッシュメモリ１１２と、ブロック管理部１０２と、転記部（１０７、１０８および１０９）と、を備える。ＭＬＣフラッシュメモリ１１２は、ＳＬＣモードおよびＭＬＣモードのいずれでもデータの書込みが可能な複数のブロックを含む。ブロック管理部１０２は、有効データを格納しないブロックをフリーブロックとして管理する。転記部は、ブロック管理部１０２が管理するフリーブロックの数が所定の閾値Ｔｂｆ以下である場合、有効データを格納する１つ以上の使用ブロックを転記元ブロックとして選択し、転記元ブロックに格納されている有効データをフリーブロックにＭＬＣモードで転記する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリにおける検索効率を向上させる。
【解決手段】メモリコントローラ２０は、機器制御部１０からデータの書き込み要求を受けると、フラッシュメモリ３０にアクセスして、指定されたデータサイズ分の空きセクタを検索する。空きセクタがない場合、何れかのブロックのデータを消去することで、指定されたデータサイズ分の空きセクタを確保する。その際、使用中のセクタのデータは、所定の移動方向に基づいて、他のセクタに移動される。メモリコントローラ２０は、機器制御部１０からデータの書き込み指示を受けると、機器制御部１０から転送されたデータを、検出又は確保した空きセクタに書き込む。そして、メモリコントローラ２０は、機器制御部１０からデータの読み出し指示を受けた際に、当該データが当初に書き込んだセクタに存在しないと、上記の移動方向に基づいて絞り込んだ領域の範囲で当該データを検索する。 （もっと読む）

【課題】ユーザの利便性の低下及びメモリの無駄が生ずることなく、待機時の消費電力を効果的に削減することができる画像形成装置を提供する。
【解決手段】本発明の画像形成装置は、複数のＤＲＡＭ２１ａ〜２１ｈと、ＤＲＡＭ２１ａ〜２１ｈの管理を行うＣＰＵ１１と、ＤＲＡＭ２１ａ〜２１ｈを予め定められた単位の区分Ｄ１〜Ｄ４に区分し、ＣＰＵ１１によるＤＲＡＭ２１ａ〜２１ｈの管理状況に応じて、ＤＲＡＭ２１ａ〜２１ｈに対する電力の供給及び停止を区分Ｄ１〜Ｄ４毎に制御する電源制御部２３とを備える。 （もっと読む）

【課題】製品寿命の長い半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】半導体メモリ装置２は、書き替え頻度が高い第１の領域と、書き替え頻度が低い第２の領域と、フリーブロック領域と、に分類される半導体メモリ部３０と、所定のタイミングで、第２の領域のブロックに記憶されたデータをフリーブロック領域の最上位エントリのブロックにコピーするとともに、データが記憶されていたブロックを前記第２の領域から解放してフリーブロック領域の最下位にエントリするように制御するメモリコントローラ１０と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】アプリケーションに実行に支障をきたすことなく、連続した空き領域を確保する。
【解決手段】 中央制御部１１は、電源オン時、または、電源オフ時、あるいは、アプリケーションが記憶部１３の画像記憶部Ｍ２にデータを保存するアプリケーションである場合には、その起動時、または、その終了時に、記憶部１３の画像記憶部Ｍ２の記憶領域を所定のサイズで複数のブロックに分割し、分割された複数のブロックのうち、少なくとも１つ以上のデータが記憶されている書き込みブロックと何もデータが記憶されていない空きブロックとを区別し、複数のブロックのうち、空きブロックの比率を算出し、空きブロックの比率が所定の比率より小さい場合に、記憶部１３の画像記憶部Ｍ２に記憶されているデータの再配置を行う。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリの記憶領域に対する書き込み回数の平準化の程度を一層高めることで、フラッシュメモリの寿命を実質的に延長することができる、書き込み装置、書き込み方法、及び書き込みプログラムを提供すること。
【解決手段】フラッシュメモリ４における連続する記憶領域に順に情報を書き込む書き込み装置１であって、フラッシュメモリ４に情報を書き込む場合、当該フラッシュメモリ４において情報が最後に書き込まれた記憶領域を特定し、当該特定した記憶領域の次の記憶領域から順に、情報を連続して書き込みが可能な空き記憶領域を検索する検索部３ａと、この検索部３ａによって検索された空き記憶領域に対応する記憶領域に情報を書き込む書き込み部３ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】ＣＰＵからの１コマンドでコンパクション動作が実行される半導体記憶装置。
【課題を解決するための手段】半導体記憶装置は、不揮発性メモリのコマンドをキューイングするキューイングバッファ（２６）と、不揮発性メモリのリードコマンドを発行するリード手段（＃１０２）と、リード手段により前記不揮発性メモリから読み出されたデータをユーザデータと管理データとに分離する分離手段（＃１０４）と、不揮発性メモリのライトアドレスを管理するライトポインタ情報により示されるアドレスを分離手段により得られた管理データに対して加えてライトコマンドを発行し、キューイングバッファへ自動的にキューイングするライトコマンド発行手段（＃１１０）と、ライトコマンド発行手段により発行されたライトコマンドを不揮発性メモリに与え、データを不揮発性メモリに書き込むライト手段（＃１１４）とを具備する。 （もっと読む）

【課題】コンパクション処理の対象候補となるブロックの検索動作がメインメモリへのアクセス速度に影響しない不揮発性メモリのコントローラを提供する。
【解決手段】不揮発性メモリのコントローラ（１）であって、不揮発性メモリへのデータ書き込み時にデータ書き込みに伴い無効にすべきページが属するブロックの有効ページ数をカウントする手段（５）と、前記カウント手段によりカウントされた有効ページ数が所定数以下の場合、前記ブロックをコンパクション処理の対象とする追加手段（６１）とを具備するコントローラ。 （もっと読む）

【課題】メモリ使用効率の向上を図る。
【解決手段】データ送信部１１は、データの送信処理を行う。メモリ２２は、送信されたデータを格納する。メモリ管理部２３は、メモリ２２上に離散している空き領域の数を管理する。制御部２５は、メモリ２２の空き領域数にもとづき、送信装置１０に対するフロー制御の要求、または空き領域を減少させるデータ再配置の少なくとも１つの制御を行う。 （もっと読む）