【課題】非選択データの冗長な書き込み操作を不要とでき、ページの配列を書き換えに効率の良い状態に最適化することが可能な記憶装置を提供する。
【解決手段】記憶装置５０において、外部との入出力インターフェース回路５３には内部バスＢＳ５０を介してＮＡＮＤ型フラッシュメモリよりなる大容量のメインメモリ５１と、強誘電体メモリよりなる比較的小容量の補助メモリ５２が接続されており、さらに転送制御回路５４を有し、メインメモリ５１は内部が高並列化されており、３２ｋＢのデータ群が単位ページとして同時にアクセスされ、内部バスＢＳ５０に入出力転送される。装置内部にはページを管理単位としたアドレステーブル６０が構築されている。インターフェース回路５３は内部に３２ｋＢのページバッファーを備え、内部バスＢＳ５０から一旦ページ単位でデータを取得し、５１２Ｂのファイルセクター単位でデータを入出力する。 （もっと読む）