【課題】情報データの書き込み及び消去を繰り返しても電荷保持特性の悪化を防ぐことが出来る半導体メモリ装置の製造方法、再生方法及び再出荷方法を提供する。
【解決手段】半導体基板に形成されたＦＥＴ構造のメモリセルの複数からなり、メモリセルの複数の各々が単位ビットを記憶して情報データを保持している半導体メモリ装置の製造方法であって、メモリセルの複数を用意して、メモリセルの各々に情報データの各ビットを書き込む。そして、メモリセルの各々に情報データの各ビットを書き込んだ後、メモリセルの各々を所定の周囲温度の下に所定時間放置して、その後、メモリセルの各々に情報データの各ビットを書き込む。 （もっと読む）

【課題】 プログラマブルメモリにおけるプログラムの記録回数を減少させる。
【解決手段】 プログラマブルメモリ４０は、Ｎ個のワンタイムプログラマブル（ＯＴＰ）メモリ行４３１、出力モジュール４４、判定モジュール４１、および、書き込みモジュール４２を含む。出力モジュール４４はＯＴＰメモリ行４３１の全てのデータを受信し、出力データＯを生成する。判定モジュール４１は出力データＯおよび入力データＩを受信し、出力データＯおよび入力データＩに従って書き込み制御データＺを生成する。出力データＯのビットデータが入力データＩのビットデータと異なる場合に、書き込み制御データＺのビットがイネーブルとされる。書き込みモジュール４２は書き込み制御データＺを受信し、イネーブルとされたビットに対応するＯＴＰメモリ行４３１のプログラムされていないＯＴＰメモリセルに所定のビットデータを保存する。 （もっと読む）