【課題】光電変換膜の残留電荷を効果的に除去することが可能な、高画質、高性能、高信頼性の撮像装置を提供する。
【解決手段】電子放出源アレイから放出される電子ビームを拡げる放出電子ビーム拡大手段を有し、点順次走査制御をなすコントローラは、画像信号の出力期間以外のブランキング期間において、電子放出源アレイから電子ビームを放出させるとともに、放出電子ビーム拡大手段を制御して電子放出源アレイから放出される電子ビームを拡げる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、画素欠陥の影響を受けることなく、また、特殊な光量調節装置を設けることなく、固体撮像素子から出力されるスミア等の雑音を低減することにある。
【解決手段】本発明の撮像装置は、撮像領域と蓄積領域を有する固体撮像素子と、垂直ブランキング期間に、蓄積領域の所定のラインを垂直転送し、垂直転送路のライン数より所定のライン数多く垂直転送する制御手段と、前記固体撮像素子の所定の画素から出力される画像信号を取得する画像信号取得手段と、前記蓄積領域の所定のラインから出力される信号を取得する取得手段と、該取得手段で取得した信号に応じた値を前記画像信号取得手段で取得した画像信号から減算する補正手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光電変換膜のハイライトキズの発生を効果的に抑制し、安定して撮像を行うことができる撮像装置及び撮像方法を提供することを目的とする。
【解決手段】撮像面に入射した光Ｌを電荷に変換するとともに、該電荷をアバランシェ増倍作用により増加させる光電変換膜２３を有し、該光電変換膜に蓄積された電荷を読み取ることにより撮像を行う撮像装置１００、１００ａ〜１００ｃであって、
前記撮像を行う前に、前記光電変換膜の前記撮像面に紫外線を照射する紫外線照射手段５０を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画像取得のタクト時間を増やすことなく分解能を向上させて高精細な画像を取得する撮像方法及び撮像装置、ひいては検査装置を提供することを課題とした。
【解決手段】被写体の光学像を二つに分割する光分割手段と、画素がライン状に配列した二つの撮像素子を有する撮像手段と、被写体を撮像手段に対して相対的に移動させる被写体移動手段と、撮像手段から転送される取得画像を合成及び結合し、統合画像を生成する画像処理手段とを有し、撮像手段は、二つの撮像素子が受光する光学像が画素の配列方向に対して画素の半ピッチ分だけ相互にずれる構成となっていることを特徴とする撮像装置。 （もっと読む）

【課題】高感度であるとともに撮影領域を広領域としたイメージインテンシファイアを提供する。
【解決手段】放射線に対して発光する蛍光体を有する複数の針状のシンチレータからなる入力側シンチレータ１７と、複数本の光ファイバを束ねてなり入力側シンチレータ１７から放出された光を伝送するＦＯＰ１２と、ＦＯＰ１２から伝送された光を受光して電子を放出する受光センサ１３と、放出された電子を増幅するイメージインテンシファイア管４と、増幅された電子を光に変換する出力側シンチレータ２２とを具備し、複数本の光ファイバをテーパー状に束ねてファイバ群１６を構成して入力側シンチレータ１７及びファイバオプティックプレート１２間に設置し、入力側シンチレータ１７からの光をファイバ群１６に入力するとともに、ファイバ群１６からファイバオプティックプレート１２へ伝送させた。 （もっと読む）

【課題】 高感度である光電変換層を有する撮像装置において、当該光電変換層の劣化を防止し、特に高輝度のスポット光を含む撮像を可能とする。
【解決手段】 Ｓｅを主体とし且つアバランシェ増倍機能を持つ非晶質半導体層と、ＳｅとＴｅを含み且つ入射光の大部分を吸収して電荷に変換し得る機能を持つ非晶質光電変換層とを少なくとも有する光電変換膜と、前記光電変換膜の第１の面に形成された第１のバリア層と、前記第１のバリア層上に形成された透光性電極と、前記光電変換膜の第２の面に形成された第２のバリア層と、前記光電変換膜の第２の面の側に設けられた、前記光電変換膜で生成される信号電荷を読み出す電荷読み出し手段と、を有する撮像装置であって、前記光電変換膜の温度を、前記非晶質光電変換層のガラス転移温度以上であって前記非晶質半導体層のガラス転移温度＋３０℃以下に制御する温度制御手段と、前記光電変換層の電界が０．８×１０⁸〜１．１×１０⁸Ｖ／ｍとなるように、前記透光性電極を介して電圧を印加する電圧印加手段と、を有することを特徴とする撮像装置。 （もっと読む）