【課題】一画素から出力される電荷量が少ない場合でも、特定信号配線の断線を検出することができる、放射線検出器、放射線画像撮影システム、断線検出プログラム、及び断線検出方法を提供する。
【解決手段】画素２０にバイアス電圧を印加して画素２０のセンサ部（フォトダイオード）１０３のリーク電流によるオフセット電荷を蓄積させ、順次、画素２０のＴＦＴスイッチ４のゲートをオンさせて蓄積されているオフセット電荷に応じた電気信号を出力させる。当該電気信号に基づいて、オフセット電荷量の累積値を検出し、制御部１０６は、検出した累積値と断線検出用に予め定められた閾値とを比較し、累積値が閾値未満の場合は信号配線３が断線していることを検出する。 （もっと読む）

【課題】結露に起因する画質低下を抑制することが可能な放射線撮像装置および放射線撮像表示システムを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置は、光電変換素子を有するセンサー基板１０と、センサー基板上に設けられた非イオン性層２０と、非イオン性層上に設けられると共に、放射線の波長を光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換部材３０とを備える。入射した放射線は、波長変換部材を通過後、光電変換素子１１１Ａにおいて受光され、その受光量に対応する電気信号（画像情報）が得られる。波長変換部材とセンサー基板１０との間に、結露によって水が溜まると、水に含まれるイオン成分と光電変換素子（光電変換素子の電極等）とのカップリングが生じ、暗電流が増加することがあるが、非イオン性層２０が設けられていることにより、そのようなカップリングが抑制され、暗電流が生じにくい。 （もっと読む）

【課題】検出器の欠陥素子の影響が周辺の素子にも及ぶ場合にも、高精度に画像補正を行うことが可能な画像撮影装置を提供する。
【解決手段】検出器の読出回路の不具合等によって、電荷が隣接素子（或いは周辺素子）に流出してしまう流出型欠陥素子について、流出の割合を表した信号流出関数ｆ（ｘ）を影響量パラメータ２０５として記憶部２０２に保持しておく。中央処理装置２０は補正処理として、一般的に行われるオフセット補正やエア補正等の他に、欠陥素子補正処理を行って、正常な検出素子から得られた出力信号に基づいて流出型欠陥素子の出力信号を推定するとともに、推定された流出型欠陥素子の出力信号と上述の影響量パラメータ２０５とに基づいて流出型欠陥素子の周辺の欠陥周辺素子の出力信号を補正する。 （もっと読む）

シリコンＰ又はＮベース層において、２つ、３つ、又は４つの上下に設置される多層複合感光画素は、それぞれ可視光又は可視光および赤外線スペクトル範囲内で直交又は相補されるスペクトルを感応するマルチ感光部材、およびその単一面加工又は両面加工などの方式。複合感光画素において、異なる層上の基本画素は異なるカラー又はスペクトルを感応するようにデザインすることができ、１つ以上の複合感応画素を重複に配列させて、マクロユニットを構成させることによって、マルチ感光チップが得られる。また、本発明には、新しい多層感光画素のデザインとそれを単一面２層、両面２層、両面３層、両面４層、単一面混合２層、および両面混合２層又は多層のマルチスペクトル感光部材の実例も含まれる。本発明のマルチスペクトル感光部材は、もっと優れたカラー感光性能とカラー感光および赤外線感光の集積および簡単な加工プロセスを持っている。
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【課題】高品質の撮像画像信号を得ることができ、製造歩留まりを高めることができる光電変換膜積層型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】信号読出手段が表面部に形成された半導体基板１１０と、半導体基板１１０の表面上方に積層され第１電極膜１０４と画素毎に区分けされた複数の第２電極膜１１３との間に光電変換膜１０３が形成された光電変換層と、該光電変換層に対して光入射側且つ有効画素領域１０１の外側に形成され第１電極膜１０４と電気的に短絡状態（１１５）で積層された導電性の遮光膜１２１とを備える。遮光膜１２１が第１電極膜１０４と短絡されて実効的にインピーダンスが低下するため、遮光膜１２１が製造工程中に帯電してもこれによる膜破壊が回避される。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成で精度の高い熱検出が可能な熱センサー用検出回路、熱センサーデバイス及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】熱センサー用検出回路は、熱センサー素子ＣＦの一端のノードである検出ノードＮ１と第２の電源ノードＶＤＤとの間に設けられる充電回路２０と、検出ノードＮ１と第１の電源ノードＶＳＳとの間に設けられる放電回路３０とを含む。放電回路３０は、検出ノードＮ１と第１の電源ノードＶＳＳとの間に直列に設けられる放電用抵抗素子ＲＡ及び放電用トランジスターＴ２を有する。充電回路２０は、第２の電源ノードＶＤＤと検出ノードＮ１との間に設けられる充電用トランジスターＴ１を含む。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置が形成されるチップ面積の縮小化が図られ、チップ単体のコストの低減が図られた固体撮像装置を提供する。また、その固体撮像装置を用いることにより、小型化が図られた電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、光電変換部ＰＤが形成された第１の基板８０と、電荷蓄積容量部６１及び複数のＭＯＳトランジスタが形成された第２の基板８１が張り合わされた構成とされている。また、第１の基板８０と、第２の基板８１にはそれぞれ接続電極（２６，２７，５６，５７）が形成されており、第１の基板８０と第２の基板８１は、接続電極により電気的に接続されている。これにより、グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置をより小さい面積に形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】集積化が容易で検出感度の向上が可能な赤外線２次元イメージセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】強誘電体膜から成る赤外線検出容量ＣＦのうち、容量部分１００は、引出配線１０２および１０４により支持されて、溝部３３０の両側のＳｉ基板に対して保持される。下部電極は、引出配線１０２と結合し、上部電極は、引出配線１０４と結合する。容量部分１００の平面形状は、長方形形状から、対角線方向に互いに対向する１０６の部分および１０８の部分を除いた形状となっている。 （もっと読む）

【課題】感度の低下を防止しながら浮遊拡散層におけるノイズの発生を防止する固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１のＮ型シリコン層１０３内には浮遊拡散層１０３ｂが形成されている。平坦化膜１０４上には誘電体材料からなる４本の柱状の支持体１０６が平面視において浮遊拡散層１０３ｂを囲むように立設されており、遮光膜１０７を支持している。遮光膜１０７は浮遊拡散層１０３ｂに外光が入射するのを防止する。遮光膜１０７と浮遊拡散層１０３ｂとの間は中空になっており、浮遊容量の発生が抑えられる。
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【課題】スミアの発生と出力ムラの発生とを同時に抑制し得る、シャント配線を有する固体撮像装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】受光部１１と、垂直電荷転送部１２と、入射光から垂直電荷転送部１２を遮光する遮光膜８及び１０とを備えた固体撮像装置を用いる。垂直電荷転送部１２は、受光部１１の垂直方向の列に沿って設けられた転送チャネルと、転送電極３及び５とを備えている。遮光膜８は、導電性を有し、絶縁膜７を介して、対応する垂直電荷転送部１２の上層に垂直方向に沿って形成されている。遮光膜１０は、遮光膜８、転送電極３及び５から絶縁された状態で、遮光膜８の下層に、対応する受光部１１とそれに隣接する垂直電荷転送部１２との間の領域に少なくとも形成されている。遮光膜は、受光部１１の周囲を囲むように形成されているのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の暗電流の低減と消費電力の低減を両立させることを可能にする。
【解決手段】入射光を光電変換する受光部（図示せず）と、前記受光部で光電変換された信号電荷を転送するｎチャネル絶縁ゲート型の電荷転送部５０と有する固体撮像装置１において、前記電荷転送部５０の転送電極５２上に形成した負の固定電荷を有する絶縁膜６１を有し、前記電荷転送部５０のしきい値電圧をエンハンスメント側に移行させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多層配線を備え、受光部に効率良く光を入射させることができる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】画素セルが２次元状に配置されてなる画素アレイを備え、画素セルは、半導体基板１１１内に設けられた光電変換素子１１２と、半導体基板１１１の上方に設けられた層間絶縁膜と、層間絶縁膜内に設けられた配線とを各々が有する複数の配線層と、光電変換素子１１２の上または上方に設けられ、複数の配線層を貫通する光導波路２００と、複数の配線層の上方に設けられ、外光を集めるためのトップレンズ１７４とを有している。光導波路２００に取り込まれた光は効率良く光電変換素子１１２へと入射する。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタとして多層膜干渉フィルタを用いた場合において、平坦化膜やバリア膜による干渉の影響を低減し、さらに、平坦化膜の膜厚ばらつきによる分光特性のばらつきを抑制し得るカラーフィルタを備える固体撮像装置を提供する。
【解決手段】入射光３５のうち所定の色の光を透過させるカラーフィルタ２９と平坦化膜２８、３０とバリア膜２６、３２を備える単位画素（１ａ、１ｂ、１ｃ）が２次元状に配列された固体撮像装置１０１であって、前記カラーフィルタ２９は高屈折率材料および低屈折率材料からなるλ／４膜からなり、前記バリア膜２６、３２の光学膜厚は、λ／２に略等しい。 （もっと読む）

【課題】 ノイズを低減し、良好な感度が得られる固体撮像素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】規則的に配列された複数の画素の各画素１は、半導体基板２表面に形成された入射光を電荷に変換する光電変換領域１２及び拡散領域１１と、電荷を拡散領域１１に転送する転送手段７と、拡散領域１１に転送された電荷の電荷量に応じた光信号を出力する増幅型素子２１と、半導体基板２上に形成された層間絶縁物膜１６、１７、１８内に形成された光信号を出力するための出力配線１４と、層間絶縁膜１６、１７、１８内にあって、かつ半導体基板２表面に沿って形成された出力配線１４よりも厚さの薄い金属薄膜１７と、を有し、金属薄膜１７は、少なくとも光電変換領域１２上に開口部を有し、かつ拡散領域１１の一部を覆っている。 （もっと読む）

【課題】遮光能力に優れた固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光電変換部ＰＤとトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２で構成された複数の画素６０が配列された撮像領域と、複数の画素６０の上方に層間絶縁膜６１を介して形成された複数層の配線６２〔６２１、６２２、６２３〕を有し、層間絶縁膜６１が遮光性を有して成ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードへの入射光量の低下を防止することができ、プロセス難易度が低く、プロセス工程数の増加を抑制した固体撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る固体撮像装置は、半導体基板１０１と、半導体基板１０１に形成され、入射光を光電変換する受光素子１０２と、半導体基板１０１の受光素子１０２が形成された面上に積層される複数の配線層とを備え、複数の配線層のうち１以上は、第１絶縁層１０４と、第１絶縁層１０４上に形成される金属配線１０５と、第１絶縁層１０４及び金属配線１０５上に積層され、金属配線１０５を構成する材料の拡散を防止し、入射光の反射を防止する反射防止層１２２と、反射防止層１２２上に積層される第２絶縁層１０８とを備える。 （もっと読む）

【課題】電圧印加電極と光導電層の界面に整流特性を持たせ、感度を損なうことなく暗電流を低減することが可能であって、界面での剥離の問題を解消することが可能な放射線検出器を提供する。
【解決手段】バイアス電圧が印加される電圧印加電極13と、放射線の照射を受けて電荷を発生する、ａ−Ｓｅからなる記録用光導電層14と、キャリア収集電極17と、記録用光導電層14において発生した電荷を蓄積する蓄電部および該蓄電部に蓄積された電荷信号を読み出すスイッチ素子20とをこの順に積層してなる放射線検出装置において、記録用光導電層14と電圧印加電極13との間に、膜厚が０．０１μｍ以上１μｍ未満、比抵抗が１０^１２Ωｃｍ以上、熱膨張係数が６×１０^−６〜１．５×１０^―４／℃の有機樹脂誘電体層16を設ける。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子において、入射光の反射を防止するとともに、暗電流を低減する。
【解決手段】シリコン基板１と、シリコン基板１に形成された受光素子部５と少なくとも有する固体撮像素子は、受光素子部５の受光領域の表面に形成されたシリコン酸化膜からなる第１の絶縁膜３Ａと、第１の絶縁膜３Ａ上に形成され第１の絶縁膜３Ａとは異なる屈折率を有するシリコン窒化膜とを含む複数層からなり、受光領域の表面における入射光の反射を低減させる反射防止膜７を有する。シリコン窒化膜７は、枚葉式ＣＶＤ装置の使用により、膜中の水素濃度が１×１０²² ｃｍ^-3以上となっている。 （もっと読む）

【課題】 信号配線、ゲート配線の寄生容量を低下させ、感度の向上、ノイズの減少を図る。
【解決手段】 本発明の放射線検出装置は、絶縁基板上に配置されたスイッチ素子と、スイッチ素子上に配置された放射線を電荷に変換する変換素子とを含み、スイッチ素子と変換素子とは接続されている画素を有し、画素は絶縁基板上に行列に二次元配列され、絶縁基板上に配置された行方向に配列された複数のスイッチ素子が共通に接続されるゲート配線と、列方向に配列された複数のスイッチ素子が共通に接続される信号配線と、を有し、スイッチ素子と変換素子の間に複数の絶縁層が配置され、ゲート配線又は信号配線の少なくとも一方が、複数の絶縁層に挟まれて配置されている。 （もっと読む）

【課題】 転送路のポテンシャル電位にポテンシャルポケットが生じない構造にする。
【解決手段】 半導体基板表面部１に複数の第１層転送電極膜３３ａ，３３ｂ，…が離間して形成され、各第１層転送電極膜３３ａ，３３ｂ，…の間に、端部５，６が、隣接する第１層転送電極膜３３ａ，３３ｂの端部に重なる第２層転送電極膜３４ａ，…が形成されるＣＣＤ型固体撮像素子において、第２層転送電極膜３４ａ，…と半導体基板表面部１との間に、第２層転送電極膜３４ａ，…を平板状に保つ絶縁層３２ａを設ける。これにより、第２層転送電極膜３４ａの半導体基板表面部１との層間膜厚が均一化され、ポテンシャルポケットの形成が回避される。 （もっと読む）