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Fターム[5C024GX20]の内容

光信号から電気信号への変換 (72,976) | 撮像素子の細部(構造) (7,971) | セル構造 (7,384) | 回路素子 (2,124) | 有機感光体 (11)

Fターム[5C024GX20]に分類される特許

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【課題】固体撮像装置において画像としての不自然さを発生させずに、ダイナミックレンジを拡大する。
【解決手段】半導体基板10にマトリクス状に配置された複数個の画素ごとに区分して光電変換部(フォトダイオード11)が形成された受光面を有し、少なくとも一部の画素の形成領域において、光電変換部に対する光入射路において半導体基板上に、あらかじめ決められた波長領域での入射光強度に応じて光透過率が変動するフォトクロミック材料を含むフォトクロミック膜16が形成されており、ここで、画素において得られる画素信号が全画素に対して読み出される期間である1フレームより、フォトクロミック膜の光透過率の半減期が短い構成とする。 (もっと読む)


【課題】撮像画像の画像品質を向上する。
【解決手段】接地されているグラウンド電極230Gを、撮像面において、読出し回路20(リセットトランジスタ22など)と画素電極211Gとの間に介在させる。これにより、各読出し回路部202R,202G,202Bを構成するTFTのチャネル形成領域に、ゲート電圧以外の不要な電圧が印加された状態になることを防止する。 (もっと読む)


【課題】光電変換素子での画素出力信号の蓄積時間(露光時間)の短縮化を図ることができる光センサを提供する。
【解決手段】行状のm本のゲート線と、列状のn本の信号線と、前記ゲート線と前記信号線の各交差部に配置された行列状のm×n個の画素P11〜Pmnと、前記画素内の能動素子を制御するためのゲート信号を前記ゲート線に出力する垂直走査回路11とを備えるアクティブマトリックス型の光センサであって、光照射領域を検知する光スイッチPSWを備え、垂直走査回路11が、光スイッチPSWの出力に応じて、複数行の前記画素内の能動素子を、1水平走査期間内に行毎に異なるタイミングで制御可能であることを特徴とする光センサ。 (もっと読む)


【課題】光電変換効率の低下をできるだけ抑えつつ、暗電流を減少させることができる光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】本発明は、一対の電極と、一対の電極の間に配置された光電変換層とを含む光電変換部を有する光電変換素子であって、光電変換層の少なくとも一部がp型有機半導体とフラーレン類の混合層を含む光電変換素子であって、該p型有機半導体に対するフラーレン類の体積比が、一対の電極の正孔捕集電極側より電子捕集電極側の方が小さい。 (もっと読む)


【課題】カプセル型内視鏡を小型化する。
【解決手段】カプセル型内視鏡の撮像素子は、平面視において信号出力部12と光電変換部14とが重なっている。したがって、例えば、信号出力部と光電変換部とが重なっていない構成と比較し、投影面積を小さくできる。よって、撮像素子が小型化される。そして、その結果、撮像素子を備えるカラー画像が撮影可能なカプセル型内視鏡が小型化される。 (もっと読む)


【課題】ノイズを効果的に抑制するとともに、高い画質を得ることができる放射線撮像素子を提供する。
【解決手段】被写体を透過した放射線を吸収することにより発光する蛍光体膜8と、上部電極6、下部電極2、及び該上下の電極間に配置された光電変換膜4を有し、該光電変換膜が、前記蛍光体膜が発する光を吸収する有機光電変換材料を含む光電変換部13と、非晶質酸化物により形成された活性層24を有する電界効果型薄膜トランジスタ10を有し、前記光電変換部により発生した電荷に応じた信号を出力する信号出力部14と、前記信号出力部、前記光電変換部、及び前記蛍光体膜が順次積層した基板1と、を備え、前記信号出力部、前記光電変換部、及び前記蛍光体膜により構成される画素部が前記基板上に複数配列されており、各画素部における前記信号出力部と前記光電変換部とが重なりを有している放射線撮像素子12。 (もっと読む)


【課題】放射線検出装置を暗電流を低く、残像を低減することができるものとする。
【解決手段】画像情報を担持した記録用の電磁波を透過する正バイアスを印加した第1電極1と、電磁波の照射を受けることにより電荷を発生する記録用光導電層3と、第1電極1と記録用光導電層3の間に積層された有機高分子層4と、記録用光導電層3に対して第1電極1が設けられている側とは反対側に設けられた第2電極2とからなる放射線検出装置において、有機高分子層4が正孔ブロック性材料を含有するものとする。 (もっと読む)


【課題】電池の小型化が達成できる撮像素子および撮像装置を提供。
【解決手段】半導体基板125の上部には、透明絶縁膜124が積層され、その上に、太陽電池204を構成する透明電極膜206、p型導電膜208、n型導電膜210、透明電極膜212がこの順に、下から上に積層されている。太陽電池204の上に、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)をそれぞれ検出する光電変換膜123r、123g、123bが積層される。太陽電池204は、赤外域に感度を有する。 (もっと読む)


【課題】色分離性能が高いハイブリッド型の光電変換膜積層型カラー固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板21と、基板21の上層に積層され3原色のうちの緑色光を吸収して光電荷を発生させる光電変換膜30と、基板21の表面部に配列形成され光電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部25と、基板21の表面部に配列形成され光電変換膜30を透過した赤色及び青色の混色光を受光し発生した光電荷を蓄積する第1画素12bのn領域23と、基板21の表面部に配列形成され光電変換膜30を透過した混色光のうち赤色光を受光し発生した光電荷を蓄積する第2画素12aのn領域23と、第2画素12aのn領域23の上部に設けられ青色光を遮光するカラーフィルタ層33とを備える。 (もっと読む)


【課題】 TFTのリペアの際に開口を設けずに、光電変換素子の感度を低下させないようにすることを目的とする。
【解決手段】 絶縁性基板上に、TFTと、TFT上に配置された光電変換素子と、を備える電磁波検出装置において、光電変換素子上に、TFTの位置を示すための部材が配置されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 コンパクトな構成で、第1の電極層近傍に存在する残存電荷を消去する。
【解決手段】 放射線画像検出器10は、赤外光L3の照射により該赤外光L3よりも波長の短い蛍光L4を発するアップコンバージョン蛍光体層17と、第1の電極層11と、放射線の照射量に応じた電荷を発生する記録用光導電層12と、蓄電部16と、電荷輸送層13と、読取光の照射により導電性を呈する読取用光導電層14と、第2の電極層15とを有している。第2電極層15側には、面状光源が設けられ、消去時には赤外光L3および青色光L2を射出する。赤外光L3は、各層を透過して、アップコンバージョン蛍光体層17を照射する。この赤外光L3の照射によりアップコンバージョン蛍光体層17から蛍光L4が発せられる。この蛍光L4により、第1の電極層11近傍に存在する正の残存電荷が励起され、該正の残存電荷とトラップされていた負の電荷との結合が促進される。 (もっと読む)


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