【課題】何れかの読出用配線または行選択用配線が断線している場合にも解像度が高い画像を得ることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、入射光強度に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードＰＤと、このフォトダイオードと接続された読出用スイッチＳＷ_１と、を各々含むＭ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,ＮがＭ行Ｎ列に２次元配列された受光部を備える。各画素部Ｐ_ｍ,ｎは略正方形の領域を占めていて、その領域の殆どの部分がフォトダイオードＰＤの領域であり、その領域の一つの角部に読出用スイッチＳＷ_１としての電界効果トランジスタが形成されている。画素部間の領域にチャネルストッパＣＳが連続して形成されている。任意の互いに隣接する２個の画素部により挟まれる領域において、チャネルストッパＣＳにより囲まれてダミー用フォトダイオードＰＤ２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】撮影状況や製造課題に対応した積層型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】第１のリセットトランジスタを備えた第１の画素と、第２のリセットトランジスタを備えた第２の画素とが形成された半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された配線層と、前記配線層の上に形成され、前記第１のリセットトランジスタのソースに電気的に接続された第１の下部電極と、前記配線層の上に形成され、前記第２のリセットトランジスタのソースに電気的に接続された第２の下部電極と、前記第１の下部電極および前記第２の下部電極の上に形成された光電変換膜と、前記光電変換膜の上に形成され、上部電極電位が印加される透明な上部電極とを備え、前記第１のリセットトランジスタのドレインにかける第１のリセット電位と前記第２のリセットトランジスタのドレインにかける第２のリセット電位とが異なることを特徴とする固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】素子数を低減でき、部品選定の制約を緩和することのできる技術を提供する。
【解決手段】撮像装置は、シャッタドライブパルス電圧に応じて、電荷蓄積部に蓄積された不要電荷を第１極性の半導体基板に掃出し可能に構成されている固体撮像装置と、固体撮像装置を駆動するための駆動パルスを出力するパルス駆動部と、パルス駆動部と固体撮像装置との間のシャッタドライブパルスの配線系統に配置されており、固体撮像装置を破損・劣化から保護する保護部とを備える。保護部は、パルス駆動部のシャッタドライブパルスの出力端と固体撮像装置の基板電圧端子との間に接続されたコンデンサ、所定電位点と基板電圧端子との間に接続されたダイオード、及び、基板電圧端子と基準電位点との間に接続された抵抗素子で構成されたクランプ回路を有する。ダイオードのアノード端は、基板電圧端子の定格電圧と対応した電位が印加される所定電位点に接続されている。 （もっと読む）

【課題】隣接する画素間でのブルーミングを防ぐ。
【解決手段】 複数のフォトダイオード101a、101bと、複数のフォトダイオードに各々対応して設けられた複数の転送MOSFET102a、102bと、複数のフォトダイオードから読み出された信号を増幅して出力する共通の増幅MOSFET104と、を有する単位セルを２次元状に配し、フォトダイオード101bの周囲に複数のフォトダイオードが隣接して配され、フォトダイオード101bと複数のフォトダイオードとの間にフォトダイオード101bからの過剰電荷を捕獲する捕獲領域130,134,135,132を設けた。 （もっと読む）

【課題】位相差検出画素の遮光膜開口を小さくすることなく良好な位相差情報を取得する。
【解決手段】基板上に二次元アレイ状に配列形成され各々が入射光量に応じた信号電荷を発生させる複数の光電変換素子５と、該複数の光電変換素子５の各々の上に積層される同形状のマイクロレンズと、光電変換素子５の受光面と対応する前記マイクロレンズとの間に介挿され該光電変換素子５の受光面上に開口６が設けられた遮光膜とを備え、光電変換素子５のうち被写体からの入射光の位相差情報を検出する隣接する２つの光電変換素子５Ｇ，５ｇに設けられる前記開口が該２つの光電変換素子で共通に１つの開口７として設けられる （もっと読む）

【課題】 装置の特性変動を好適に低減可能で且つ動作制御が簡便な軽量薄型の撮像装置又はそれを用いた撮像システムを提供する。
【解決手段】 撮像装置は、半導体層を含む変換素子２０１を有する画素を複数備えた検出部１０１と、検出部１０１を駆動する駆動回路１０２と、を含み、電気信号を出力する撮像動作を行う検出器１０４と、変換素子２０１に電圧を供給する電源部１０７と、電源部１０７からの電圧の供給が開始されてから撮像動作が開始されるまでの間の少なくとも一部の期間に半導体層に与えられる電圧が、撮像動作において半導体層に与えられる電圧よりも高くなるように、電源部１０７を制御する制御部１０６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】リセットトランジスタのドレイン電源と増幅トランジスタのドレイン電源を別電源としつつ、リセットトランジスタのドレイン電源の負荷を低減し、更にレイアウト面積の削減を行う。
【解決手段】２個の画素が設けられたセルＵＣ１と、２個の画素で共有され、それらの画素から読み出された信号を増幅する増幅トランジスタＴｂと、２個の画素で共有され、それらの画素から読み出された信号をリセットするリセットトランジスタＴｃと、リセットトランジスタＴｃのドレインを異なる行間で別駆動する行走査回路１とを設ける。
更に、リセットトランジスタのドレイン拡散層部と増幅トランジスタのドレイン拡散層部を異なる画素共有単位隣接セル間で共有させる。 （もっと読む）

【課題】画素グループ単位で異なる露光制御を実行する撮像装置、方法を提供する。
【解決手段】撮像素子の撮像面の複数の画素を分割した画素グループ単位の輝度評価を実行し、評価結果に応じて、画素グループ単位の露光制御値を算出する。撮像素子は、算出された画素グループ単位の露光制御値に応じた制御信号を画素グループ各々の構成画素に出力して画素グループ単位の露光制御を実行する。制御信号として、例えば画素グループ内の複数画素に対して同一パターンからなる露光制御信号を時系列に順次、出力し、１つの画素グループに属する複数画素の露光時間を同一としたグループ単位の露光制御を実現する。 （もっと読む）

【課題】光検出感度の低下を抑えながらクロストークを低減するために有利な技術を提供する。
【解決手段】位相差検出方式による焦点検出のための複数の画素を含む固体撮像装置において、前記画素は、互いに独立して信号の読み出しが可能な複数の光電変換部を含む半導体領域と、マイクロレンズと、前記マイクロレンズと前記半導体領域との間に配置されたレンズ面とを含み、前記レンズ面は、前記マイクロレンズを通過して前記半導体領域に向かう光に対して負のパワーを作用させる。 （もっと読む）

【課題】参照信号と画素信号との比較動作を確実に行うことができる撮像装置を提供する。
【解決手段】比較部31は、第１の容量素子を介して単位画素と電気的に接続された第１の入力端と、参照信号が入力される第２の入力端とを有し、第１の入力端および第２の入力端の電圧を比較する差動アンプ部と、第１の入力端および第２の入力端の電圧をリセットするリセット部とを有する。変更部18は、リセット部によるリセット動作後に、第１の入力端と第２の入力端の電圧差が、比較部31による比較動作を保証する電圧となるように第１の入力端の電圧を変更する。 （もっと読む）

【課題】ダイオードの電流電圧特性に基づく温度測定精度を向上させる。
【解決手段】リセット期間に読み出された画素電圧Ｖｓと信号読み出し期間に読み出された画素電圧Ｖｓの差分を取得するＣＤＳ処理と同じタイミングで温度センサ８のダイオード電流を変化させ、ダイオード電流を変化させた時のダイオード電圧の差分を取得し、差分電圧から温度測定を行う。 （もっと読む）

【課題】光電変換膜に印加される電圧が高い場合でも増幅トランジスタのゲート破壊を抑えることが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】複数の画素単位セル１１と垂直信号線１７とを備え、画素単位セル１１は、光電変換膜１３と、画素電極７と、正電圧が印加された透明電極９と、シリコン基板１内に形成されたトランジスタであって、画素電極７と結線されたゲート電極を有し、画素電極７の電位に応じた信号電圧を出力する増幅トランジスタ５と、シリコン基板１内に形成されたトランジスタであって、画素電極７と結線されたドレイン領域を有し、増幅トランジスタ５のゲート電極の電位をリセット電圧にリセットするリセットトランジスタ６とを有し、シリコン基板１内には、リセットトランジスタ６のドレイン領域により寄生ダイオードが形成され、寄生ダイオードのブレークダウン電圧は増幅トランジスタ５のゲート破壊電圧以下である。 （もっと読む）

【課題】回路ノイズ及び混色を低減しながら、高感度化を図る。
【解決手段】本発明の一形態に係る固体撮像装置１０は、シリコン層１０１の第一主面側から入射した光を電荷に変換する第一導電型の複数のフォトダイオード１１１と、シリコン層１０１の第一主面側の表面に形成されている第二導電型の埋め込み層１２６と、フォトダイオード１１１間に形成されるとともに、シリコン層１０１の第二主面から埋め込み層１２６まで到達するように形成されている第二導電型の分離部１２０と、分離部１２０の第二主面側に形成されているトランジスタ１１２と、シリコン層１０１の第ニ主面側に形成されている周辺回路部１３０と、シリコン層１０１の、フォトダイオード１１１間の領域の第一主面側と、周辺回路部１３０が形成されている領域の第一主面側とに埋め込み形成されている導電性の遮光部１１９とを備える。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線等の放射線の一部遮蔽等無しに撮影期間中においてもラインアーチファクト情報を正確に取得可能なラインアーチファクト検出器を提供する。
【解決手段】放射線センサ１１と、放射線センサ１１における複数本のゲートラインの１本毎に順次、駆動電圧を印加するゲート駆動回路１２と、駆動電圧が印加されたゲートラインと接続された複数の画素に接続される信号読み出しラインを介して画像信号情報を読み取る読取回路１４と、読取回路１４で読み取った画像信号情報のうち、光電変換作用を行う画素群からの画像信号情報を表示する有効画像表示領域１６と、光電変換作用を行わない画素群からの画像信号情報を表示する検査画像表示領域１７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】開口率を低下させることなく広ダイナミックレンジを実現することができ、高照度下においても撮像可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２０の表面に形成された画素部が二次元状に配列された撮像領域２Ａを有する固体撮像装置であって、撮像領域２Ａは、２行２列の画素部からなる画素ブロックを配列単位として構成され、当該画素ブロックは赤色信号を検出する赤色画素１１Ｒと、青色信号を検出する青色画素１１Ｂと、第１の輝度信号を検出する白色画素１１Ｗ１と、第２の輝度信号を検出する白色画素１１Ｗ２とで構成されており、白色画素１１Ｗ２の受光面上部には、可視光線領域の光透過率を低減させる光減衰フィルタが設けられている。 （もっと読む）

【課題】従来技術とは全く異なる構成でＯＢ段差をなくすことが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】互いに隣接して配置される２つの有効画素５１，５２からなる有効画素ペアであって、二次元状に配列された複数の有効画素ペアと、撮像画像信号の黒の基準レベルを検出するためのＯＢ画素５３，５４を含むＯＢ画素群であって、同一行に並ぶ複数の前記有効画素ペアに対応して設けられた少なくとも１つのＯＢ画素群を備え、前記ＯＢ画素群に含まれるＯＢ画素５３，５４は、前記有効画素ペアに含まれる有効画素５１，５２の光電変換領域５１ａ,５２ａと対応する位置に形成される素子領域５３ａ,５４ａの構成が全てのＯＢ画素５１，５２で同じになっていないものである。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、動作時のトランジスタやダイオード等の能動素子からの発光の光電変換部への侵入を抑制し、画質の向上を図る。
【解決手段】固体撮像装置２８は、基板の光入射側に形成され、光電変換部ＰＤを含む画素が複数配列された画素領域２３と、画素領域２３の基板深さ方向の下部に形成され、能動素子を含む周辺回路部２５を有する。さらに、画素領域２３と周辺回路部２５との間に形成されて、能動素子の動作時に能動素子から放射される光の光電変換部への入射を遮る遮光部材８１，８１′を有する。 （もっと読む）

【課題】撮像信号に含まれるノイズ量のばらつきを抑えることができる固体撮像装置及び撮像装置を提供する。
【解決手段】コントローラ700は、リセット信号を行毎に順次読み出す第１の期間において、光電変換素子のリセットの開始又は解除の少なくとも一方のタイミングを基準とする第１の停止期間を設けてリセット信号の読み出しを一旦停止させる制御を行い、光信号を行毎に順次読み出す第２の期間において、リセット信号の読み出しを一旦停止させた行の画素に係る光信号の読み出しを一旦停止させる第２の停止期間を設ける制御を行う。 （もっと読む）

【課題】フローティングノードを共有する光電変換素子間の出力差が低減された固体撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の光電変換素子（１０１ａ）の電子が共通のフローティングノード（１０３）に転送される前に共通のフローティングノードの電子を複数のリセット電圧で順次リセットする第１のリセット期間と、第１の光電変換素子の電子が共通のフローティングノードに転送された後であって第２の光電変換素子（１０１ｂ）の電子が共通のフローティングノードに転送される前に、共通のフローティングノードの電子を第１のリセット電圧でリセットする第２のリセット期間とを有し、第１のリセット期間の長さと、第２のリセット期間の長さとが異なり、第１のリセット期間において複数のリセット電圧のうちで最も高いリセット電圧でリセットする期間の長さと、第２のリセット期間に第１のリセット電圧でリセットする期間の長さは略同一である。 （もっと読む）